chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Yole:SiC 器件將占領(lǐng) 30% 的功率器件市場(chǎng)

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:未知 ? 2023-02-20 17:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè),在未來 5 年內(nèi),SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%,SiC 行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的增長(zhǎng)率非常高。在Yole看來,到 2027 年,該行業(yè)的產(chǎn)值有望超過 60 億美元。

Yole 表示,EV/混合動(dòng)力汽車市場(chǎng)將成為 SiC 功率元件的最佳市場(chǎng),預(yù)計(jì)超過 70% 的收入將來自該領(lǐng)域。如下圖所示,根據(jù) Yole 的預(yù)測(cè),除汽車以外,能源、交通、工業(yè)、消費(fèi)者、通信和基礎(chǔ)設(shè)施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

815ff28a-b0fc-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

總結(jié)而言,SiC 基器件擁有下面幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì):

  1. 與硅基器件相比,SiC 器件的導(dǎo)熱性能是前者的三倍以上;

  2. 與硅基器件相比,SiC 器件單 Si 面積內(nèi)的耐受電壓是前者的四倍;

  3. 由于 SiC 器件的電子漂移率是硅基器件的十倍以上,因此對(duì)于給定的耐壓值,其每平方毫米的 RdsA 變小,導(dǎo)通損耗也能做得更??;

  4. 在不依賴于雙極性傳導(dǎo)時(shí),SiC 具有更快的關(guān)閉速度和更低損耗;

Qorvo而言,在收購了UnitedSiC以后,公司也成為了這個(gè)領(lǐng)域的重要玩家。

UnitedSiC 團(tuán)隊(duì)從 1994 年開始就開始投入碳化硅領(lǐng)域的研究,截止在這方面有了 23 年的投入。而早在 2014 年,UnitedSiC 就已經(jīng)成功量產(chǎn)了四英寸的 1200V 和 650V 的碳化硅 FETS 和二極管結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。到了 2018 年,UnitedSiC 成功在六吋晶圓上量產(chǎn)了第三代的 1200V 和 750V 碳化硅產(chǎn)品。目前,這些產(chǎn)品也升級(jí)到第四代。

正是因?yàn)閾碛腥绱硕嗟膬?yōu)勢(shì),SiC 產(chǎn)品能夠在多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。

81731e50-b0fc-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

首先看汽車方面,如上圖所示,因?yàn)?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/293/" target="_blank">新能源汽車的火熱,催生了 SiC 的需求。這也是一個(gè) SiC 擁有巨大潛力的市場(chǎng),尤其是在 OBC 充電方面。據(jù)了解,現(xiàn)在市場(chǎng)上已經(jīng)提供了有 6.6KW - 22KW 等多種功率段的方案。而在這些方案的 FPC 側(cè),基本上都會(huì)用到 SiC 器件以提升方案效率;5KW 左右的 “小功率” 汽車充電領(lǐng)域,也會(huì)用到 SiC 產(chǎn)品來打造 DC-DC 轉(zhuǎn)換器系統(tǒng);在新能源汽車市場(chǎng),牽引系統(tǒng)也會(huì)是 SiC 發(fā)力的又一個(gè)方向,如新能源汽車大廠就會(huì)在其高端電動(dòng)汽車的牽引系統(tǒng)上選擇 SiC 方案,有助于提升其續(xù)航能力。

其次,與新能源汽車配套充電樁行業(yè)也是 SiC 能夠發(fā)揮作用的又一個(gè)市場(chǎng)。而 Qorvo 現(xiàn)在更專注的是直流快充市場(chǎng)。在這個(gè)領(lǐng)域,企業(yè)基于 SiC 打造了涵蓋 20KW、30KW 甚至 40KW 功率的單個(gè)模塊。此外,充電樁里的無線充電也是 SiC 可以發(fā)力的又一個(gè)方向。

第三,IT 市場(chǎng)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)也讓 SiC 有了用武之地。如 Qorvo 的器件可以用在圖騰柱的 PFC 上,用做功率因素校準(zhǔn)等。同時(shí),小的 DCDC 也是 SiC 的應(yīng)用方向;

第四,如光伏逆變、能源再生和能源反饋市場(chǎng)也是 SiC 看上的又一個(gè)市場(chǎng)。

最后,SiC 還可以充當(dāng)電路保護(hù)器件,尤其是在固態(tài)電路中,SiC 能發(fā)揮出比較好的電路保護(hù)作用。

由此可見,擁有這些領(lǐng)先產(chǎn)品和技術(shù)的 Qorvo 必將能在 SiC 市場(chǎng)取得一席之地。

END


原文標(biāo)題:Yole:SiC 器件將占領(lǐng) 30% 的功率器件市場(chǎng)

文章出處:【微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    708

    瀏覽量

    79967

原文標(biāo)題:Yole:SiC 器件將占領(lǐng) 30% 的功率器件市場(chǎng)

文章出處:【微信號(hào):Qorvo_Inc,微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    數(shù)明半導(dǎo)體SiC功率器件驅(qū)動(dòng)器系列介紹

    在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下,SiC(碳化硅)功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢(shì),在新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件,不僅提升了系統(tǒng)的
    的頭像 發(fā)表于 10-21 16:49 ?706次閱讀

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹

    BASiC_SiC分立器件產(chǎn)品介紹
    發(fā)表于 09-01 16:16 ?0次下載

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?573次閱讀

    簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:24 ?1144次閱讀

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯?duì)市售GaN與SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?1201次閱讀
    GaN與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析

    全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?551次閱讀

    國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC功率器件市場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?758次閱讀
    國內(nèi)碳化硅<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>集中化的必然結(jié)果

    SiC器件封裝技術(shù)大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

    至關(guān)重要的作用。傳統(tǒng)的封裝技術(shù)難以匹配SiC器件的快速開關(guān)特性和高溫工作環(huán)境,因此,SiC功率器件的封裝面臨著諸多挑戰(zhàn)。本文
    的頭像 發(fā)表于 02-21 13:18 ?1505次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝技術(shù)大揭秘:三大“絕技”讓你驚嘆不已!

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

    功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:17 ?1102次閱讀

    功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試方案

    我們功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 17:30 ?2731次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的雙脈沖測(cè)試方案

    Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析

    大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si I
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?2210次閱讀
    Si IGBT和<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET混合<b class='flag-5'>器件</b>特性解析

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?2次下載

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?1552次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的PCB設(shè)計(jì)

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?1108次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1658次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)