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提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度是當今設(shè)計人員面臨的一個挑戰(zhàn)，特別是考慮到中等負荷條件下（20%至50%）的效率。這種功率水平的電源需要功率因素校正（PFC）。使用無橋PFC來取代輸入整流橋可以提高效率。

通過在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ，有可能實現(xiàn)更高的功率密度和效率，因為在這個功率水平上，開關(guān)頻率比其他方案高得多。了解安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對高密度設(shè)計挑戰(zhàn)，報名參加第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇，聽安森美專家傾情講述！

專家介紹

Jason Yu是安森美應(yīng)用方案工程中心的應(yīng)用工程師，主要負責AC/DC電源、大功率開關(guān)電源及數(shù)字電源在5G電信和數(shù)據(jù)通信的應(yīng)用。Jason Yu畢業(yè)于華南理工大，2020年加入安森美，擁有超過20年的電源涉及以及電力電子行業(yè)經(jīng)驗。

會前充電

在我們推送過的《設(shè)計指南 | 高功率密度的電源要怎么設(shè)計？》（點擊回顧）一文中，討論過一個300W、20V單相交流輸入電源的設(shè)計，該電源具有超過36W/in3的高功率密度，且滿載效率為94.55%。經(jīng)由NCP1680 圖騰柱 PFC 控制器控制由GaN集成驅(qū)動器驅(qū)動的前端PFC，后端由高頻LLC級配合輸出同步整流，以此來實現(xiàn)高功率密度。

產(chǎn)品推薦

安森美的混合信號控制器NCP1681專用于無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(TP PFC)拓撲結(jié)構(gòu)。該控制器以適用于達350 W設(shè)計的NCP1680的成功為基礎(chǔ)，將功率能力擴展到千瓦范圍。

該新的NCP1681高功率TP PFC控制器結(jié)合成熟的控制算法和新穎的功能，提供一個高性能和高性價比的TP PFC方案，也可滿足具挑戰(zhàn)的能效標準，諸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在廣泛的負載范圍內(nèi)提供高能效的標準。

除了TP PFC控制器外，安森美還提供各種SiC MOSFET和隔離門極驅(qū)動器，可用于圖騰柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低導通電阻(RDS(on))和緊湊的芯片尺寸，確保低電容和門極電荷(Qg)，在縮小的系統(tǒng)尺寸中提供極高能效，從而實現(xiàn)高功率密度。當NCP1681與NCP51561電隔離門極驅(qū)動器一起使用時，可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的設(shè)計而不會犧牲開關(guān)性能。

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