上一篇文章中，介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)注意事項(xiàng)中的第一項(xiàng)。關(guān)鍵要點(diǎn)是要想提高輸出電流，需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET，提高開(kāi)關(guān)速度，并選用DCR低的電感。本文將介紹注意事項(xiàng)中的第二項(xiàng)。

探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)其2

下圖表示Qg和損耗之間的關(guān)系。當(dāng)Qg增加時(shí)，柵極電荷損耗也會(huì)隨之增加。

對(duì)策

作為應(yīng)對(duì)這種損耗增加問(wèn)題的對(duì)策，可探討使用輸出電流增加時(shí)所需的低導(dǎo)通電阻的MOSFET，且Qg低的MOSFET。實(shí)際上存在導(dǎo)通電阻低且Qg足夠低的MOSFET，這是可以避免的問(wèn)題。

需要注意的是，Qg低的MOSFET可能會(huì)具有急劇的開(kāi)關(guān)上升/下降，這可能會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)噪聲變大。雖然這種對(duì)策具有提高開(kāi)關(guān)速度、降低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)點(diǎn)，但需要充分評(píng)估EMI問(wèn)題，也需要考慮PCB設(shè)計(jì)。

總結(jié)

由于探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)是分兩篇文章進(jìn)行介紹的，因此在此作一下總結(jié)。

在探討輸出電流大的應(yīng)用時(shí)，需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET，提高開(kāi)關(guān)速度，并選擇DCR低的電感。

關(guān)于MOSFET，需要選擇導(dǎo)通電阻低、Qg低的產(chǎn)品。在這種情況下，開(kāi)關(guān)速度往往會(huì)提高，因此需要確認(rèn)開(kāi)關(guān)噪聲是否有增加。