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碳化硅器件的漏電流更小且?guī)陡?，可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，并且具有化學(xué)惰性，這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了SiC在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純電動(dòng)車(chē)電池充電的功率轉(zhuǎn)換和主驅(qū)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。

一些情況下，我們需要碳化硅具有非常純的與襯底有相同晶體結(jié)構(gòu)表面，還要保持對(duì)雜質(zhì)類(lèi)型和濃度的控制，這就要通過(guò)在碳化硅襯底表面淀積一個(gè)外延層來(lái)達(dá)到。在功率器件中，安森美(onsemi)器件的每個(gè)單元基本上都是在外延層加工完成的，它的質(zhì)量對(duì)于器件來(lái)說(shuō)重要性可見(jiàn)一斑。

不同器件對(duì)于外延層的要求也是不一樣的。SiC MOSFET對(duì)于外延質(zhì)量的要求很高，摻雜的偏差會(huì)影響MOSFET的RDS（ON）的分布，而擊穿電壓同樣也會(huì)受到摻雜和外延層厚度的影響。有些缺陷輕則會(huì)導(dǎo)致MOSFET漏電流偏大，嚴(yán)重則會(huì)導(dǎo)致MOSFET失效。

本視頻將簡(jiǎn)單闡述SiC MOSFET的基本工作原理，并講解如何在碳化硅外延層設(shè)定器件的RDS（ON）與VDS（max），以及宇宙射線對(duì)電場(chǎng)的干擾。

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