探索 onsemi NTH4L020N090SC1：高性能碳化硅 MOSFET 的卓越特性與應用潛力

在電子工程領域，功率半導體器件的性能對整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關重要的影響。近年來，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為功率轉換應用的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L020N090SC1 碳化硅 MOSFET，看看它在實際應用中究竟有何獨特之處。

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產(chǎn)品概述

NTH4L020N090SC1 是 onsemi 推出的一款 N 溝道碳化硅 MOSFET，屬于 EliteSiC 系列。它采用 TO - 247 - 4L 封裝，具有 900V 的耐壓能力和極低的導通電阻。在$V{GS}=15V$時，典型導通電阻$R{DS(on)}$僅為 20mΩ；當$V{GS}=18V$時，$R{DS(on)}$更是低至 16mΩ。這種低導通電阻特性使得該器件在功率轉換過程中能夠顯著降低功耗，提高系統(tǒng)效率。

應用電路

關鍵特性分析

低導通電阻與低損耗

低導通電阻直接意味著更低的導通損耗。以典型應用場景中的 DC - DC 轉換器為例，NTH4L020N090SC1 的低$R_{DS(on)}$能夠減少在電流傳導過程中的能量損失，從而提高轉換器的效率。這不僅有助于降低系統(tǒng)的功耗，還能減少散熱需求，降低散熱成本和系統(tǒng)體積。工程師們在設計高功率密度的電源時，低導通電阻的 MOSFET 無疑是更好的選擇。

超低柵極電荷

該器件的總柵極電荷$Q_{G(tot)}$僅為 196nC，超低的柵極電荷使得 MOSFET 在開關過程中所需的驅動能量更少。這不僅可以降低驅動電路的功耗，還能加快開關速度，減少開關損耗。在高頻開關應用中，如 UPS 和逆變器，低柵極電荷的優(yōu)勢尤為明顯，能夠有效提高系統(tǒng)的開關頻率和效率。

低有效輸出電容

其有效輸出電容$C{oss}$為 296pF，低$C{oss}$有助于減少在開關過程中存儲在輸出電容中的能量，從而降低開關損耗。特別是在硬開關應用中，低$C_{oss}$能夠顯著減少開關瞬間的電壓尖峰和電流沖擊，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

100% UIL 測試

NTH4L020N090SC1 經(jīng)過 100% 的非鉗位電感負載（UIL）測試，這意味著該器件在實際應用中能夠承受更高的電壓和電流沖擊，具有更強的可靠性和抗干擾能力。在一些對可靠性要求極高的應用場景，如工業(yè)電源和電動汽車充電系統(tǒng)，經(jīng)過 UIL 測試的 MOSFET 能夠為系統(tǒng)提供更可靠的保障。

環(huán)保合規(guī)

該器件是無鹵的，并且符合 RoHS 指令（豁免條款 7a），在二級互連（2LI）上是無鉛的。這使得它在環(huán)保要求日益嚴格的今天，更符合市場和法規(guī)的要求，為工程師們提供了一個環(huán)保友好的選擇。

電氣特性詳解

耐壓與電流能力

• 漏源擊穿電壓：$V{(BR)DSS}$在$V{GS}=0V$，$I_{D}=1mA$的測試條件下，典型值為 900V，這表明該器件能夠承受較高的反向電壓，適用于高壓應用場景。
• 連續(xù)漏極電流：在$T{C}=25^{\circ}C$時，連續(xù)漏極電流$I{DC}$可達 116A；在$T{C}=100^{\circ}C$時，$I{DC}$仍有 82A。這說明該器件在不同溫度條件下都具有較強的電流承載能力，能夠滿足高功率應用的需求。

開關特性

• 開關時間：開通延遲時間$t{d(ON)}$為 29ns，上升時間$t{r}$為 28ns，關斷延遲時間$t{d(OFF)}$為 54ns，下降時間$t{f}$為 14ns。快速的開關時間使得該器件在高頻開關應用中能夠減少開關損耗，提高系統(tǒng)效率。
• 開關損耗：開通開關損耗$E{ON}$為 611mJ，關斷開關損耗$E{OFF}$為 293mJ，總開關損耗$E_{TOT}$為 904mJ。較低的開關損耗有助于提高系統(tǒng)的整體效率，降低發(fā)熱。

二極管特性

• 正向電流：連續(xù)漏源二極管正向電流$I{SD}$在$V{GS}=-5V$，$T{J}=25^{\circ}C$時為 106A，脈沖漏源二極管正向電流$I{SDM}$在相同條件下可達 504A。這表明該器件的內置二極管具有較強的電流承載能力。
• 反向恢復特性：反向恢復時間$t{RR}$為 30ns，反向恢復電荷$Q{RR}$為 244nC，反向恢復能量$E{REC}$為 11mJ，峰值反向恢復電流$I{RRM}$為 16A?？焖俚姆聪蚧謴吞匦阅軌驕p少二極管在反向恢復過程中的損耗，提高系統(tǒng)效率。

典型應用場景

UPS（不間斷電源）

在 UPS 系統(tǒng)中，NTH4L020N090SC1 的低導通電阻和低開關損耗特性能夠顯著提高電源的效率和可靠性。其高耐壓能力和強電流承載能力使得它能夠適應 UPS 系統(tǒng)在不同負載條件下的工作要求。同時，快速的開關速度有助于提高 UPS 的動態(tài)響應性能，確保在市電中斷時能夠迅速切換到備用電源，為負載提供穩(wěn)定的電力供應。

DC - DC 轉換器

在 DC - DC 轉換器中，該器件的低導通電阻能夠減少能量損失，提高轉換效率。其低柵極電荷和低輸出電容特性有助于實現(xiàn)高頻開關，從而減小轉換器的體積和重量。此外，高耐壓能力和強電流承載能力使得它能夠應用于不同功率等級的 DC - DC 轉換器中，滿足多樣化的設計需求。

升壓逆變器

在升壓逆變器應用中，NTH4L020N090SC1 的高耐壓能力和低導通電阻特性能夠有效地提高逆變器的效率和輸出功率。其快速的開關速度和低開關損耗有助于減少逆變器在開關過程中的能量損失，提高系統(tǒng)的整體性能。同時，強電流承載能力使得它能夠適應逆變器在不同負載條件下的工作要求。

總結與展望

onsemi 的 NTH4L020N090SC1 碳化硅 MOSFET 憑借其低導通電阻、超低柵極電荷、低有效輸出電容、高耐壓能力和強電流承載能力等優(yōu)異特性，在功率轉換應用中展現(xiàn)出了巨大的優(yōu)勢。它不僅能夠提高系統(tǒng)的效率和可靠性，還能降低系統(tǒng)的成本和體積。隨著碳化硅技術的不斷發(fā)展和應用需求的不斷增加，相信 NTH4L020N090SC1 以及類似的碳化硅 MOSFET 器件將在更多的領域得到廣泛應用。

作為電子工程師，我們在設計過程中需要充分考慮器件的特性和應用場景，合理選擇和使用功率半導體器件。那么，在你的實際項目中，是否也遇到過對功率器件性能要求極高的情況呢？你又是如何選擇合適的器件來滿足設計需求的呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。