第四代SiC MOSFET

RDS(on)低至7mΩ

近日，派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比上一代產(chǎn)品，第四代SiC MOSFET不僅進一步降低了導通電阻，還顯著減少了開關損耗，并優(yōu)化了開通/關斷波形，從而實現(xiàn)更高的載流能力與系統(tǒng)效率。

隨著更多第四代產(chǎn)品的陸續(xù)推出，派恩杰將持續(xù)助力合作伙伴打造更具性價比和更高可靠性的電源系統(tǒng)解決方案。

派恩杰始終秉持功率器件“摩爾定律”的理念，認為其技術演進亦是通過不斷縮小元胞尺寸實現(xiàn)性能躍升的過程。從硅到碳化硅，這一趨勢始終貫穿發(fā)展歷程。早在2019年，派恩杰發(fā)布的第三代SiC MOSFET產(chǎn)品便率先實現(xiàn)了4.8μm的元胞尺寸，在導通電阻、開關損耗、抗沖擊能力及抗串擾性能等方面均處于全球領先水平。

歷經(jīng)市場實踐和與客戶的深度合作，我們積累了寶貴的技術和應用經(jīng)驗，并將其轉化為第四代產(chǎn)品的核心競爭力 —— 全新元胞尺寸縮小至3.5μm，在整體性能上實現(xiàn)跨越式提升。

在實際應用測試中，派恩杰基于自有應用負載平臺，對比第三代與第四代SiC MOSFET（750V平臺，芯片尺寸5mm × 5mm）在550V直流母線電壓、不同負載電流條件下的表現(xiàn)。結果顯示：第四代器件的載流能力提高超過20%，開關損耗亦下降逾20%，性能提升顯著。

未來，派恩杰半導體將繼續(xù)攜手合作伙伴，不斷優(yōu)化碳化硅功率器件的性能與可靠性，為行業(yè)提供更高效、更穩(wěn)定的解決方案，共創(chuàng)共贏。

【派恩杰半導體】

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅動等領域。