如圖19所示，當(dāng)上管關(guān)斷后，在上管的驅(qū)動(dòng)Vg1上出現(xiàn)一個(gè)電壓尖峰，當(dāng)死區(qū)時(shí)間減少，下管ZVS開通不完全時(shí)，這個(gè)電壓尖峰會(huì)更大，從圖20可以看出這個(gè)尖峰出現(xiàn)的時(shí)刻和Vds1下降的時(shí)間是吻合的。

圖19 上管關(guān)斷時(shí)Vg1的電壓尖峰

圖20 上管關(guān)斷時(shí)Vg1和Vds1波形

我們將模塊上下管用其結(jié)構(gòu)示意圖來表示，功率管的D，S極都存在引線電感，而且還有PCB板引入的到S腳的引線電感，我們測(cè)試時(shí)，測(cè)試到的是G1和S1間的電壓差Vgs1。

當(dāng)上管關(guān)斷時(shí)，HO為低電平（驅(qū)動(dòng)電路見圖1），Cgs1通過Q305組成的電路放電（等效電阻ZG1S），放到門限電壓時(shí)，MOSFET關(guān)斷，此時(shí)上下管開始換流，電流 i1減少，i2增加，電感的電流方向如圖所示，電容Cds1開始充電，Vds1上升；Cgd1，Cgs1，以及G1到S的驅(qū)動(dòng)阻抗ZG1S，L2，L3組成的電路也開始對(duì)Cgd1，充電，所以Cgs1電壓開始上升， 測(cè)試到的電壓

（引線電感的電壓上正下負(fù)為正方向），

如果由于死區(qū)時(shí)間的減少，造成下管不能完全的ZVS開通，在下管開通的瞬間，就會(huì)有一個(gè)較大的沖擊電流流過Q1和Q2的極間電容和引線電感，在Cgs1行成一個(gè)更高的密勒平臺(tái)，同時(shí)在引線電感L2，L3上造成一個(gè)上正下負(fù)的電壓降，這個(gè)電壓降疊加在密勒平臺(tái)上，使驅(qū)動(dòng)VG1S1的電壓尖峰更高。

同時(shí)：也可以看到，

，如果驅(qū)動(dòng)阻抗越大，VG1S就越大，測(cè)試到的電壓尖峰也就越大，引線電感L3越大，測(cè)試到的電壓尖峰也會(huì)越大。而功率管是否會(huì)導(dǎo)通取決于Cgs1

的電壓和持續(xù)的時(shí)間：

從上面的公式可以看出，如果能讓上管關(guān)斷時(shí)

盡可能的減少，就可以降低功率管導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)盡量減少功率管G，D之間的耦合電容也可以減少Cgs1上的電壓。

圖21 半橋電路上下管結(jié)構(gòu)示意圖