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新思科技攜手英偉達,加速計算光刻進入“iPhone時刻”

新思科技 ? 來源:未知 ? 2023-03-25 16:40 ? 次閱讀
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數(shù)十年來,為制造工藝制作掩模一直是半導體制造中的重要環(huán)節(jié)。隨著我們轉向采用5nm、3nm甚至2nm等更先進的工藝節(jié)點,縮短計算光刻耗時可幫助半導體制造公司高效地制造芯片。作為該領域的先鋒企業(yè),新思科技擁有先進的技術,能夠在超級計算機等領域加快分布式處理速度。

例如,新思科技最近與NVIDIA(英偉達合作,在NVIDIA cuLitho軟件庫上運行新思科技的Proteus光學鄰近效應修正(OPC)軟件,這提供了另一種強大的方法來加快這類任務在GPU上的處理速度,將耗時從幾周縮短到幾天。

f250a80e-cae7-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg ?這意味著,在越來越先進的工藝節(jié)點上開發(fā)芯片時,通過使用這些解決方案,代工廠和客戶可以大幅縮短耗時。NVIDIA先進技術事業(yè)部副總裁Vivek Singh表示:“隨著AI機器學習等應用的發(fā)展,市場對小尺寸、高密度芯片的需求日益增長,光刻工藝需要大幅提速,才能跟上創(chuàng)新節(jié)奏。目前,巨大的計算工作負荷每年都需要消耗數(shù)百億小時的CPU計算時間。通過與新思科技協(xié)作,我們提高了這類計算工作負荷的處理速度,從而助力打造新的光刻解決方案,讓半導體技術的未來發(fā)展更可期?!?/span>

本文將進一步介紹為什么此次合作對半導體行業(yè)擴展來說是個利好消息,尤其是對于需要尺寸更小、性能更高的應用。

什么是計算光刻?

在半導體制造過程中,光刻技術決定著芯片晶體管的尺寸。類似于在攝影中將底片上的圖像曝光到相紙上一樣,光刻工藝利用光在硅晶圓上生成表示芯片設計的圖案。

隨著晶體管尺寸縮小,光刻工藝必須變得更加精準,才能更準確地將圖案從光掩模轉印到晶圓上。在尺寸非常小時,特征彼此距離更近,通常無法清晰準確地將掩模圖案刻到晶圓上。光漫射會影響分辨率,導致圖案模糊或失真。例如,L形圖案可能實際上包含從周邊突出的其他線條或形狀。但是在尺寸非常小時,這些形狀可能無法在光刻過程中刻印到晶圓上,從而可能導致芯片的重要元件出現(xiàn)遺漏。

f264ad36-cae7-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpgOPC/ILT掩模,其中綠線表示在硅片上刻蝕簡單方形觸點所需的掩模特征輪廓。這個例子說明了計算光刻算法的復雜性。

計算光刻的作用就是補償因衍射或光學、抗蝕劑和蝕刻鄰近效應而導致的任何圖像誤差。借助OPC軟件,開發(fā)者可以利用算法和數(shù)學方法以及大量仿真工作來操控光線,從而實現(xiàn)計算光刻過程。這個過程涉及到利用各種各樣的“假設”場景來找到正確的配置,以盡可能地提高轉印圖案的準確性。例如,在光線周圍投射一些精心挑選的合適偽影,比如可以操控光線的襯線,可以在晶圓上生成更接近原始掩模的圖案。

為什么提高計算速度

對掩模綜合至關重要

隨著摩爾定律放緩,半導體行業(yè)正在接近物理極限,新的工藝和技術應運而生,為持續(xù)創(chuàng)新提供支持。納米級工藝最終將被埃米級工藝取代,從而打造出尺寸更小、密度更高的芯片。在這種尺寸級別下,對計算光刻的要求只會更高。

計算光刻是一項資源密集型工作,通常需要大量數(shù)據(jù)中心來處理相關計算和仿真運行。這一過程可能需要很長的時間,即使是使用最強大的計算機也是如此。與此同時,開發(fā)者希望在芯片上封裝更多的晶體管,這進一步增加了光刻的挑戰(zhàn),計算工作負荷也是只增不減。計算光刻的仿真環(huán)節(jié)是該過程中最耗時的部分之一。光刻過程中每個步驟的詳細模型都需要進行仿真。全芯片應用中可能有數(shù)百萬個Tile,因此必須具有超快的掩模合成計算速度。

為了實現(xiàn)所需的性能提升,cuLitho已集成到新思科技Proteus全芯片掩模合成解決方案和Proteus ILT逆光刻技術,并進行了優(yōu)化,可在新一代NVIDIA Hopper 架構GPU上運行。Proteus掩模合成解決方案執(zhí)行全芯片鄰近校正,構建校正模型并分析校正和未校正的IC布局圖案的鄰近效應。Proteus ILT解決方案使用逆成像技術來解決先進技術節(jié)點上具有挑戰(zhàn)性的最佳鄰近效應,幫助確定合適的掩模形狀以將設計意圖印制在硅片上。

傳統(tǒng)配置需要40,000個CPU系統(tǒng),而在cuLitho平臺上運行的Proteus解決方案僅需要500個NVIDIA DGX H100節(jié)能型GPU系統(tǒng)。計算光刻工藝的所有部分都可以并行運行,減少所需功耗并且運行時間從數(shù)周縮短到數(shù)天。除了減少數(shù)據(jù)中心對環(huán)境的影響外,該解決方案還可以加快仿真運行,從而縮短上市時間并提高芯片的結果質量。

提高芯片密度

和良率的方法

智能音響到自動駕駛汽車,開發(fā)者的巧思才智為人們的日常生活創(chuàng)造了豐富多樣的特色產品。而每一次創(chuàng)新浪潮的興起都離不開半導體和半導體制造技術的進步。

提高光刻工藝的計算性能是一項重大成就。同樣,工藝其他方面仍有很多改進的機會,例如掩模合成中的建模。人工智能正在迅速成為芯片設計的主流技術,大膽想象一下,如果人工智能可以幫助開發(fā)更好的掩模模型,進一步縮短芯片的耗時并提高質量又將如何呢?電子行業(yè)的集體智慧是無窮的,必將會引領我們推動下一代芯片發(fā)展,抵達數(shù)智時代的芯片未來。

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計算光刻,特別是光學鄰近效應修正(OPC),正在突破先進芯片的計算工作負荷極限。通過與合作伙伴NVIDIA協(xié)作,在CULitho平臺上運行我們的OPC軟件,我們大幅提高了計算光刻性能,將其耗時從數(shù)周縮短到數(shù)天!我們雙方將繼續(xù)竭誠合作,推動行業(yè)取得巨大的進步。

Aart de Geus

新思科技董事長兼首席執(zhí)行官

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