雙倍數(shù)據(jù)率 (DDR) 內(nèi)存簡介

⊙DDR ⊙MEMORY

串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢，在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的，以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計算機(jī)內(nèi)存是一個應(yīng)用領(lǐng)域，其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然很普遍。由于它們可以同時讀取和寫入許多數(shù)字信號，因此并行接口速度很快，設(shè)計人員一直在尋找使它們更快的方法。

一種古老但仍然相關(guān)的技術(shù)可實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提高稱為雙泵，此功能可將內(nèi)存系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡p倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存系統(tǒng)。“單泵”存儲系統(tǒng)采用歷史悠久的策略將數(shù)據(jù)從一個 IC 同步移動到另一個 IC。基本上，邏輯信號每個時鐘周期改變一次，并在時鐘的上升沿或下降沿由接收器采樣。在此方案中，字的傳輸速率不能超過時鐘頻率。

例如，如果時鐘以 133 MHz 運行，（理想情況下）每秒傳輸 1.33 億字。請注意，位傳輸速率取決于系統(tǒng)架構(gòu)，因為不同的計算系統(tǒng)使用不同的字長——8 位、16 位等。雙泵系統(tǒng)可以在133 MHz達(dá)到 266 MT/s（每秒百萬次傳輸）的速度。

在本文中，我們將了解單數(shù)據(jù)速率接口和雙數(shù)據(jù)速率接口之間的差異、我們使用 DDR 的原因及其應(yīng)用。

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**### SDR 與 DDR

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下面圖 1 中顯示的時序圖是單數(shù)據(jù)速率存儲器接口的示例。

首先，使用 EM_BA 信號選擇存儲體，并通過 EM_A 信號建立行和列地址。數(shù)據(jù)字 D1、D2、D3 和 D4 在 EM_D 引腳上輸出。注意一個數(shù)據(jù)字如何占據(jù) EM_CLK 信號的整個周期。

下一個時序圖2描繪了一個雙倍數(shù)據(jù)速率接口。

“DQ”線代表數(shù)據(jù)信號，陰影區(qū)域之間的無陰影 X 形區(qū)域表示從一個字到下一個字的轉(zhuǎn)換?？梢钥吹矫總€字只需要一個完整時鐘周期的一半。請記住，該芯片使用差分時鐘，這就是時序圖具有 CK 信號和互補 CK# 信號的原因。

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**為什么雙倍數(shù)據(jù)速率？

你可能想知道為什么工程師在本可以將時鐘頻率提高兩倍的情況下還要費心為 DDR 信號創(chuàng)建新邏輯。對這個決定的主要解釋包含在代表高速研發(fā)的兩個詞中：信號完整性。

高頻信號這里的“高頻”是相對于給定技術(shù)時代或應(yīng)用場景的限制來理解的，它們是電路板設(shè)計人員非常驚愕的一個來源。這些信號的特征：

• 由于有限的信道帶寬而導(dǎo)致更多分散
• 需要更多的功耗
• 更容易受到電容耦合和反射的影響
• 受PCB 上存在的各種天線中的輻射影響

它們也更難使用測試設(shè)備進(jìn)行表征和故障排除。例如，示波器的模擬和數(shù)字帶寬有限，隨著頻率的增加，它會在波形中引入更多失真。

因此，在嘗試實現(xiàn)更高的時鐘速率之前，從現(xiàn)有時鐘速率中提取盡可能多的吞吐量是有意義的。通過從單一數(shù)據(jù)速率接口轉(zhuǎn)向 DDR 接口，設(shè)計人員可以在不改變系統(tǒng)最大信號頻率的情況下顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速率。即使數(shù)據(jù)信號的最大頻率增加了兩倍，所有這一切都可以實現(xiàn)，這個新的數(shù)據(jù)頻率不高于先前的時鐘頻率。

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**DDR 內(nèi)存應(yīng)用

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“雙泵”是一種通用功能，已用于各種并行數(shù)據(jù)傳輸接口。甚至高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器也采用了這種技術(shù)。例如， 下圖所示的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 時序圖中，一個樣本在一個完整時鐘周期所需的時間內(nèi)被數(shù)字化，但數(shù)字輸出使用 DDR 時序，因為兩個數(shù)據(jù)位復(fù)用到每個輸出。

然而，DDR 并行傳輸仍然與計算系統(tǒng)中使用的 SDRAM（同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）密切相關(guān)。幾十年來，工程師們一直在努力提高計算機(jī)移動和處理數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的速度，而 DDR 信號使他們能夠在保持當(dāng)時可行的最大時鐘頻率的同時將吞吐量提高一倍。

1998 年發(fā)布的第一代 DDR SDRAM 支持高達(dá) 200 MHz 的時鐘頻率和高達(dá) 400 MT/s 的相應(yīng)傳輸速率。然后是 DDR2、DDR3、DDR4，最后是我們目前使用的 DDR5。DDR5 的最大傳輸速率超過 7 GT/s。