,隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開始下降,跟隨這一趨勢的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開始那么貴呢,難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值? ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從
2022-07-12 08:27:00
12762 DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預(yù)取架構(gòu),即每個(gè)時(shí)鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量,這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:34
2913 
DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成,DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的縮寫。DDRSDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口,也就是在時(shí)鐘的正沿或負(fù)沿都需要對數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。在本設(shè)計(jì)中采用的內(nèi)存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。
2011-01-21 13:37:02
4624 
廉價(jià)的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存(以及DDR2和DDR3等后來的版本)為臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的工作內(nèi)存提供了支柱。通過在脈沖序列的前沿和后沿上為存儲(chǔ)器提供時(shí)鐘,存儲(chǔ)器吞吐量加倍,而功耗僅略微增加。
2019-03-25 08:48:00
5374 
傳統(tǒng)上,雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)技術(shù)依賴于時(shí)序測量,例如建立和保持時(shí)間。隨著標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展和傳輸速率的提高,信號(hào)完整性變得更具挑戰(zhàn)性。 對于DDR5,定時(shí)測量已被數(shù)據(jù)和命令地址信號(hào)的眼圖模板測量所取
2022-12-07 14:34:27
4209 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:06
6090 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25
2072 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器,今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中,DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:10
18207 
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件,支持多種DDR內(nèi)存類型(DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2),并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:40
3578 
(Synchronous Dynamic Random Access Memory)的一種。 DDR 的主要特點(diǎn)是數(shù)據(jù)傳輸速率更高。DDR 內(nèi)存采用了一種稱為“雙倍數(shù)據(jù)速率”的技術(shù),它可以在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),即在時(shí)鐘信
2025-10-27 19:28:16
7378 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:56
4586 日本著名存儲(chǔ)設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊,具有3,200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:45
3924 傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)
2011-02-27 16:47:17
800Mbps。但是DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)卻是雙倍速率的,如果DQS頻率為800MHz,那么數(shù)據(jù)信號(hào)的速率就應(yīng)該為1600Mbps。下面將通過具體的仿真實(shí)例來看一下。有興趣的朋友可戳附件下載。
2016-11-08 16:59:51
內(nèi)存設(shè)備:
?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
2023-08-02 08:30:00
這是DMC-500的高級(jí)概述。
DMC-500是由ARM開發(fā)、測試和許可的ARM AMBA?SoC外圍設(shè)備。
它是一款高性能、面積優(yōu)化的內(nèi)存控制器,與AMBA 4 AXI協(xié)議兼容。
它支持以下存儲(chǔ)設(shè)備:
·低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率3(LPDDR3)SDRAM。
·LPDDR4 SDRAM。
2023-09-04 07:05:12
以下內(nèi)存設(shè)備:
?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
功能是將內(nèi)存系統(tǒng)變成雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存系統(tǒng)的原因?!皢伪谩贝鎯?chǔ)系統(tǒng)采用歷史悠久的策略將數(shù)據(jù)從一個(gè) IC 同步移動(dòng)到另一個(gè) IC。基本上,邏輯信號(hào)每個(gè)時(shí)鐘周期改變一次,并在時(shí)鐘的上升沿或下降沿
2023-02-23 16:57:31
,內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以時(shí)鐘為基準(zhǔn)。DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM,雙倍速率SDRAM ) 的不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)
2022-10-26 16:37:40
,它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM 相同的總線
2019-08-01 10:17:46
我的設(shè)計(jì)輸入時(shí)輸入時(shí)鐘頻率為150Mhz,用于視頻輸入接口的雙倍數(shù)據(jù)速率。但是,我發(fā)現(xiàn)保持時(shí)間錯(cuò)誤如下所示:// HOLD時(shí)間ERROR名稱松弛水平高扇出從至總延遲邏輯延遲凈延遲需求源時(shí)鐘目的地時(shí)鐘
2020-05-01 14:42:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 14:02:58
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。
DDR芯片的工作原理
2023-12-25 13:58:55
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用(基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC))中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2022-09-15 06:26:24
,也就是說數(shù)據(jù)速率是時(shí)鐘頻率的兩倍,可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)讀寫速度。此外它通過對地址線的分時(shí)復(fù)用,可以做到很大的容量。比如我們設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的DDR內(nèi)存時(shí)鐘頻率可達(dá)到150MHz,數(shù)據(jù)速率為300MHz,容量
2019-04-12 07:00:09
DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDR SDKAM芯片互連組成,DDR SDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的縮寫。DDR SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口,也就是在時(shí)鐘的正沿或負(fù)沿都需要對數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣。
2019-08-15 07:32:03
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用(基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC))中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2018-10-22 10:20:57
內(nèi)存控制器/ ddr(1 2或3)連續(xù)帶寬有多大。我看到每秒大約800兆比特的音符,這是真的嗎? 對于運(yùn)行在120加MHz時(shí)鐘,雙倍數(shù)據(jù)速率和32位寬的DDRx來說,它似乎很低?就像12中的一個(gè)時(shí)鐘
2019-06-21 07:35:14
如何有效地在ATE上提高DDR存儲(chǔ)器接口測試覆蓋率葉慶, 郭錚, 楚中曙, 粟涯上海交通大學(xué)微電子學(xué)院,上海,中國,200122摘要:雙倍數(shù)據(jù)速率( DDR, Double Data Rate)DRAM由于其速
2009-12-15 14:58:22
34 什么是DDR SDRAM內(nèi)存
DDR是一種繼SDRAM后產(chǎn)生的內(nèi)存技術(shù),DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙數(shù)據(jù)傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也
2009-12-17 11:15:53
2129 DDR SDRAM內(nèi)存
DDR SDRAM是Double Dat
2009-12-17 16:20:33
954 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:39
3959 泰科電子(TE)按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP (very low-profile)第三代雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR3)雙列直插式內(nèi)存模組(DIMM)插槽。
該產(chǎn)品最高卡扣高度為16毫米,進(jìn)而減小
2010-12-11 09:18:45
1991 摘要:介紹了一種基于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA) 和第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DDR2) 的高速模 數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC) 采樣數(shù)據(jù)緩沖器設(shè)計(jì)方法,論述了在Xilinx V5 FPGA 中如何實(shí)現(xiàn)高速同步
2011-03-31 16:38:08
140 DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存,如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù),并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透
2011-04-11 11:16:41
7104 
DDR2 SDRAM (雙倍數(shù)據(jù)速率2同步DRAM)存儲(chǔ)器是當(dāng)前流行的動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)技術(shù)。SDRAM 已經(jīng)從DDR 演進(jìn)到DDR2 和DDR3,實(shí)現(xiàn)了容量更大、速度更快的存儲(chǔ)器。其當(dāng)前的性能水平是DDR2/800
2011-05-14 15:26:19
21 Cyclone 系列芯片是美國A ltera 公司推出的低價(jià)格、高容量現(xiàn)場可編程門陣列器件(FPGA ) , 本文概述了他的主要特點(diǎn), 給出了其在與外部存儲(chǔ)器接口時(shí)用到的雙倍數(shù)據(jù)率輸入輸出接口的設(shè)計(jì)方
2011-06-27 16:27:41
45 DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流 SDRAM 。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本 優(yōu)勢來打敗昔日的對手RDRAM,成為當(dāng)今的主
2011-07-12 09:48:02
718 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì),全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:46
2350 CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上,邏輯系統(tǒng)僅對一個(gè)時(shí)鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí),而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時(shí)對時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)
2011-12-16 17:56:32
4126 
DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢來打敗昔日的對手RDRAM,成為當(dāng)今的主流
2013-09-13 15:17:30
213 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:23
32470 5的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本,會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍,單顆粒容量可達(dá)32Gb,并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。 很多人會(huì)把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆,實(shí)際上兩者應(yīng)用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對比和應(yīng)用場合。
2017-11-15 16:36:03
48251 
DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢來
2018-03-16 14:24:01
32 DDR 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Synchronous Dynamic Random Access Memory, SDRAM)控制器使用雙倍數(shù)據(jù)速率(Dual Data Rate,DDR)版本
2018-05-30 09:29:00
8 大家好,我叫Paul Evans,是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止,我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作,今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò)
2018-06-22 05:00:00
9489 DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic
2019-02-04 11:40:00
9513 TPS51200器件是專為低輸入電壓,低成本,低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的接收器和源雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)終端穩(wěn)壓器,空間是關(guān)鍵考慮因素。
2019-08-26 17:30:00
5 FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽,可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2(雙倍數(shù)據(jù)速率)內(nèi)存模塊組件,以便在臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:00
3665 DDR:Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
2019-08-19 09:30:34
4349 當(dāng)今電子產(chǎn)品一個(gè)很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲(chǔ)器。服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、游戲機(jī)、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器才能運(yùn)行。
2019-12-11 13:52:13
5443 20 世紀(jì) 90 年代后期,存儲(chǔ)器接口從單倍數(shù)據(jù)速率 (SDR) SDRAM 發(fā)展到了雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) SDRAM,而今天的 DDR2 SDRAM 運(yùn)行速率已經(jīng)達(dá)到每引腳 667 Mb/s或
2020-04-12 10:57:53
1552 
傳輸。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù),也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。 (1)DDR SDRAM DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它是
2020-07-16 15:44:10
2742 的數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:48
2634 的數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:00
11 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場,但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:51
3254 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:50
6180 注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2022-08-20 10:29:28
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TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2022-09-30 09:47:35
1439 瑞薩為雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5) 應(yīng)用提供 SPD 集線器、電源管理 IC (PMIC)、溫度傳感器和控制 MCU。該解決方案允許自定義可尋址 RGB (ARGB) 照明,具有多達(dá)數(shù)百萬種顏色可供選擇,從而可以輕松地為 PC 添加個(gè)人風(fēng)格。
2022-12-09 14:55:59
1 DDR3 SDRAM使用
雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。
雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu),其接口經(jīng)過設(shè)計(jì),可在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)
數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個(gè)讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:00
14 DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些 DDR簡介 (1)DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM
2023-03-07 13:49:18
2061 雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)最近越來越受歡迎。DDR 內(nèi)存需要跟蹤主內(nèi)存電壓 VDDQ 的主動(dòng)端接 VTT。本應(yīng)用筆記提供開關(guān)穩(wěn)壓器方案,利用MAX1957脈寬調(diào)制(PWM)降壓控制器為VTT端接提供1/2跟蹤輸出。
2023-03-13 09:35:23
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串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢,在許多系統(tǒng)中,這些優(yōu)勢足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的,以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而,計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然
2023-04-06 15:02:30
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注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06
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DDR是DDR SDRAM的簡稱,只是人們習(xí)慣了稱之為DDR,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:40
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本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步 DRAM (SDRAM)。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源,電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓(VTT)。
2023-06-26 10:34:36
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DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:10
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DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:25
35589 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42
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前所未有的指數(shù)級(jí)增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的DDR(DoubleDataRate)技術(shù)作為動(dòng)
2023-10-28 08:13:26
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DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:00
13842 低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36
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DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),它是SDRAM家族的一員。DDR
2023-12-11 09:27:49
2495 DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別? DDR(雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中,終端匹配電阻和信號(hào)質(zhì)量是對于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個(gè)方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:22
2012 DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate,GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53
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DDR內(nèi)存通過在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù),提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。
2024-04-27 11:04:00
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DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),可以實(shí)現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。
2024-05-07 11:05:04
1058 DDR4,即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個(gè)重要
2024-09-04 11:43:34
9814 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的時(shí)鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系,這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時(shí)鐘頻率和速率之間的關(guān)系,包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊?、如何衡量以及在?shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:27
8379 DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步,它是Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)速率)第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:50
3948 DDR4(Double Data Rate 4th Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,即第四代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2024-09-04 12:38:57
3356 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一,它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:25
6008 無論對于芯片設(shè)計(jì)商還是器件制造商來說,DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務(wù)器、工作站和臺(tái)式機(jī)中之外,還會(huì)內(nèi)置在消費(fèi)類電子產(chǎn)品、汽車和其他系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。每一代新的 DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)SDRAM
2024-11-13 11:52:57
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在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們在架構(gòu)、性能特性和應(yīng)用場景上各有千秋。通過對比分析,本文旨在為讀者提供對這兩種技術(shù)的深入理解,幫助在不同的應(yīng)用需求中做出更明智的選擇。
2024-11-15 10:47:59
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見的兩種內(nèi)存類型,它們在性能、功耗、容量和兼容性等方面存在顯著差異。 DDR3與DDR4內(nèi)存的區(qū)別 1. 性能 DDR4內(nèi)存條相較于DDR3內(nèi)存條,在性能上有顯著提升。DDR4內(nèi)存條的起始頻率為2133MHz,而DDR3內(nèi)存條的起始頻率為1333MHz。這意味著DDR4內(nèi)存條在數(shù)據(jù)傳輸速度上更快,能夠提供
2024-11-20 14:24:22
11366 DDR內(nèi)存,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存),是一種用于計(jì)算機(jī)和其他
2024-11-20 14:32:50
4135 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一,它直接影響到數(shù)據(jù)的處理速度和系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間。DDR內(nèi)存作為一種高效的內(nèi)存技術(shù),其數(shù)據(jù)傳輸速度是衡量其性能的關(guān)鍵指標(biāo)。 DDR內(nèi)存技術(shù)概述 DDR內(nèi)存技術(shù)是在
2024-11-20 14:35:28
3496 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品,提供更高
2024-11-22 15:38:03
7936 系統(tǒng)總線同步工作,以提高數(shù)據(jù)傳輸效率。 DDR (Double Data Rate) :雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是SDRAM的后繼者,它通過在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸來實(shí)現(xiàn)雙倍
2024-11-29 14:57:27
5093 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)據(jù)
2024-11-29 14:58:40
5418 DDR內(nèi)存的工作原理 DDR(Double Data Rate)內(nèi)存,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的翻倍
2024-11-29 15:05:16
3598 DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下是它們之間的性能對比: 一、速度與帶寬 DDR3 :速度
2024-11-29 15:08:28
19722 TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且只需要 20 μF
2025-04-25 10:07:15
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TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì) 考慮。
TPS51200-EP 保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且
2025-04-26 10:26:35
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TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且
2025-04-28 16:21:07
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CJTconnDDR系列產(chǎn)品介紹長江連接器有限公司長江連接器·DDR產(chǎn)品?DDR(DoubleDataRate)內(nèi)存的主要特性包括?:雙倍數(shù)據(jù)率?:DDR內(nèi)存的核心特性是其雙倍數(shù)據(jù)率,每個(gè)時(shí)鐘周期
2025-05-17 23:35:17
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評(píng)論