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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存簡介

雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存簡介

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傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)
2011-02-27 16:47:17

DDR線長匹配與時(shí)序

800Mbps。但是DDR數(shù)據(jù)信號(hào)卻是雙倍速率的,如果DQS頻率為800MHz,那么數(shù)據(jù)信號(hào)的速率就應(yīng)該為1600Mbps。下面將通過具體的仿真實(shí)例來看一下。有興趣的朋友可戳附件下載。
2016-11-08 16:59:51

ARM CoreLink DMC-520動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器技術(shù)參考手冊

內(nèi)存設(shè)備: ?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。 ?低壓DDR3 SDRAM。 ?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
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ARM CoreLink?DMC-500型動(dòng)態(tài)內(nèi)存控制器技術(shù)概述

這是DMC-500的高級(jí)概述。 DMC-500是由ARM開發(fā)、測試和許可的ARM AMBA?SoC外圍設(shè)備。 它是一款高性能、面積優(yōu)化的內(nèi)存控制器,與AMBA 4 AXI協(xié)議兼容。 它支持以下存儲(chǔ)設(shè)備: ·低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率3(LPDDR3)SDRAM。 ·LPDDR4 SDRAM。
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DDR發(fā)展到DDR4性能在哪些方面得到提升 ICMAX來解答

,它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM 相同的總線
2019-08-01 10:17:46

保持輸入雙倍數(shù)據(jù)速率的時(shí)間錯(cuò)誤的解決辦法?

我的設(shè)計(jì)輸入時(shí)輸入時(shí)鐘頻率為150Mhz,用于視頻輸入接口的雙倍數(shù)據(jù)速率。但是,我發(fā)現(xiàn)保持時(shí)間錯(cuò)誤如下所示:// HOLD時(shí)間ERROR名稱松弛水平高扇出從至總延遲邏輯延遲凈延遲需求源時(shí)鐘目的地時(shí)鐘
2020-05-01 14:42:58

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基于66AK2Gx的系統(tǒng)中提高存儲(chǔ)器可靠性的DDR ECC參考設(shè)計(jì)

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大容量高速DDR內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

,也就是說數(shù)據(jù)速率是時(shí)鐘頻率的兩倍,可以達(dá)到很高的數(shù)據(jù)讀寫速度。此外它通過對地址線的分時(shí)復(fù)用,可以做到很大的容量。比如我們設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的DDR內(nèi)存時(shí)鐘頻率可達(dá)到150MHz,數(shù)據(jù)速率為300MHz,容量
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DDR2 SDRAM (雙倍數(shù)據(jù)速率2同步DRAM)存儲(chǔ)器是當(dāng)前流行的動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)技術(shù)。SDRAM 已經(jīng)從DDR 演進(jìn)到DDR2 和DDR3,實(shí)現(xiàn)了容量更大、速度更快的存儲(chǔ)器。其當(dāng)前的性能水平是DDR2/800
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DDR的原理和時(shí)序

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電源設(shè)計(jì)小貼士:DDR內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān),傳統(tǒng)上,邏輯系統(tǒng)僅對一個(gè)時(shí)鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí),而雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 內(nèi)存同時(shí)對時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)
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DDR SDRAM原理時(shí)序

DDR SDRAM 全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDRSDRAM 在原有的SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR 能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢來打敗昔日的對手RDRAM,成為當(dāng)今的主流
2013-09-13 15:17:30213

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2332470

三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計(jì)

5的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本,會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍,單顆粒容量可達(dá)32Gb,并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。 很多人會(huì)把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆,實(shí)際上兩者應(yīng)用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對比和應(yīng)用場合。
2017-11-15 16:36:0348251

DDR工作原理

DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)流SDRAM。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來。也正因?yàn)槿绱耍?b class="flag-6" style="color: red">DDR能夠憑借著轉(zhuǎn)產(chǎn)成本優(yōu)勢來
2018-03-16 14:24:0132

PIC32 FRM之DDR SDRAM 控制器的詳細(xì)說明文檔資料

DDR 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Synchronous Dynamic Random Access Memory, SDRAM)控制器使用雙倍數(shù)據(jù)速率(Dual Data Rate,DDR)版本
2018-05-30 09:29:008

FPGA如何與DDR3存儲(chǔ)器進(jìn)行正確的數(shù)據(jù)對接?

大家好,我叫Paul Evans,是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止,我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器工作,今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯(cuò)
2018-06-22 05:00:009489

介紹DRAM、FLASH和DDR技術(shù)分析和對比

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic
2019-02-04 11:40:009513

TPS51200終端穩(wěn)壓器的資料簡介

TPS51200器件是專為低輸入電壓,低成本,低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的接收器和源雙倍數(shù)據(jù)速率DDR)終端穩(wěn)壓器,空間是關(guān)鍵考慮因素。
2019-08-26 17:30:005

DDR2連接器實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展 兩種端接類型均可使用無鉛選項(xiàng)

FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽,可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2(雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存模塊組件,以便在臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:003665

DDR 模塊的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)有哪一些

DDR:Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
2019-08-19 09:30:344349

DDR存儲(chǔ)器的信號(hào)完整性討論

當(dāng)今電子產(chǎn)品一個(gè)很重要的區(qū)分元素是其所用的存儲(chǔ)器。服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、游戲機(jī)、GPS 以及幾乎所有類似產(chǎn)品使用的都是現(xiàn)代處理器和 FPGA。這些設(shè)備需要高速、高帶寬、雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器才能運(yùn)行。
2019-12-11 13:52:135443

各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)和Xilinx解決方案

20 世紀(jì) 90 年代后期,存儲(chǔ)器接口從單倍數(shù)據(jù)速率 (SDR) SDRAM 發(fā)展到了雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) SDRAM,而今天的 DDR2 SDRAM 運(yùn)行速率已經(jīng)達(dá)到每引腳 667 Mb/s或
2020-04-12 10:57:531552

DDR SDRAM是擁有著雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM

傳輸。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù),也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程。 (1)DDR SDRAM DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它是
2020-07-16 15:44:102742

一文教會(huì)你辨別SDR和DDR

數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM
2020-10-30 10:51:482634

如何分辨SDR和DDR

數(shù)據(jù)傳輸量,這也是 DDR 的意義——Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。舉例來說,DDR266 標(biāo)準(zhǔn)的 DDR SDRAM 能提供 2.1GB/s 的內(nèi)存帶寬,而傳統(tǒng)的 PC133 SDRAM 卻只能提供 1.06GB/s 的內(nèi)存帶寬。
2020-12-23 11:38:0011

DDR5內(nèi)存將面向數(shù)據(jù)中心市場

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場,但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254

DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何那么貴

DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:506180

如何去解決LVDS差分接口的DDR信號(hào)問題

注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2022-08-20 10:29:283782

介紹一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專門針對低輸入電壓、低成本、低噪聲的空間受限型系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2022-09-30 09:47:351439

DDR5游戲DIMM解決方案

瑞薩為雙倍數(shù)據(jù)速率 5 (DDR5) 應(yīng)用提供 SPD 集線器、電源管理 IC (PMIC)、溫度傳感器和控制 MCU。該解決方案允許自定義可尋址 RGB (ARGB) 照明,具有多達(dá)數(shù)百萬種顏色可供選擇,從而可以輕松地為 PC 添加個(gè)人風(fēng)格。
2022-12-09 14:55:591

1Gb DDR3 SDRAM手冊

DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu),其接口經(jīng)過設(shè)計(jì),可在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。DDR3 SDRAM的單個(gè)讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:0014

DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些

DDR的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些 DDR簡介 (1)DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM
2023-03-07 13:49:182061

用于DDR-SDRAM終端的電源工作在3V至5.5V輸入電壓

雙倍數(shù)據(jù)速率DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)最近越來越受歡迎。DDR 內(nèi)存需要跟蹤主內(nèi)存電壓 VDDQ 的主動(dòng)端接 VTT。本應(yīng)用筆記提供開關(guān)穩(wěn)壓器方案,利用MAX1957脈寬調(diào)制(PWM)降壓控制器為VTT端接提供1/2跟蹤輸出。
2023-03-13 09:35:233102

雙倍數(shù)據(jù)率 (DDR) 內(nèi)存簡介

串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢,在許多系統(tǒng)中,這些優(yōu)勢足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的,以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而,計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,其中并行數(shù)據(jù)傳輸仍然
2023-04-06 15:02:301749

DDR信號(hào)的處理

注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:062058

DDR基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

DDRDDR SDRAM的簡稱,只是人們習(xí)慣了稱之為DDR,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名為:雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,同步是指需要時(shí)鐘。
2023-06-25 15:06:4010149

DDR內(nèi)存終端電源

本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) 同步 DRAM (SDRAM)。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源,電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓(VTT)。
2023-06-26 10:34:361589

DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:1016394

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535589

XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測試詳解

在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:423033

DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

前所未有的指數(shù)級(jí)增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的DDR(DoubleDataRate)技術(shù)作為動(dòng)
2023-10-28 08:13:261208

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0013842

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:361567

介紹五種不同類型的存儲(chǔ)器

DDR是指雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問內(nèi)存(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),它是SDRAM家族的一員。DDR
2023-12-11 09:27:492495

DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別

DDR加終端匹配電阻和不加信號(hào)質(zhì)量的區(qū)別? DDR雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中,終端匹配電阻和信號(hào)質(zhì)量是對于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個(gè)方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:222012

GDDR和DDR代表什么?GDDR和DDR內(nèi)存有什么區(qū)別?

DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate,GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:535146

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內(nèi)存通過在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi),DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù),提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。
2024-04-27 11:04:003426

羅徹斯特電子推出一種可持續(xù)支持成熟微處理器的低密度解決方案

DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),可以實(shí)現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。
2024-05-07 11:05:041058

DDR4的基本概念和特性

DDR4,即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個(gè)重要
2024-09-04 11:43:349814

DDR4時(shí)鐘頻率和速率的關(guān)系

DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的時(shí)鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系,這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時(shí)鐘頻率和速率之間的關(guān)系,包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊?、如何衡量以及在?shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:278379

什么是DDR4內(nèi)存模塊

DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步,它是Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)速率)第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948

DDR4尋址原理詳解

DDR4(Double Data Rate 4th Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,即第四代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2024-09-04 12:38:573356

什么是DDR4內(nèi)存的傳輸速率

DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一,它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:256008

一文讀懂DDR內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí)

無論對于芯片設(shè)計(jì)商還是器件制造商來說,DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務(wù)器、工作站和臺(tái)式機(jī)中之外,還會(huì)內(nèi)置在消費(fèi)類電子產(chǎn)品、汽車和其他系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。每一代新的 DDR雙倍數(shù)據(jù)速率)SDRAM
2024-11-13 11:52:577406

HBM與GDDR內(nèi)存技術(shù)全解析

在高性能圖形處理領(lǐng)域,內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù):高帶寬內(nèi)存(HBM)和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率(GDDR),它們在架構(gòu)、性能特性和應(yīng)用場景上各有千秋。通過對比分析,本文旨在為讀者提供對這兩種技術(shù)的深入理解,幫助在不同的應(yīng)用需求中做出更明智的選擇。
2024-11-15 10:47:596059

如何選擇DDR內(nèi)存DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別

見的兩種內(nèi)存類型,它們在性能、功耗、容量和兼容性等方面存在顯著差異。 DDR3與DDR4內(nèi)存的區(qū)別 1. 性能 DDR4內(nèi)存條相較于DDR3內(nèi)存條,在性能上有顯著提升。DDR4內(nèi)存條的起始頻率為2133MHz,而DDR3內(nèi)存條的起始頻率為1333MHz。這意味著DDR4內(nèi)存條在數(shù)據(jù)傳輸速度上更快,能夠提供
2024-11-20 14:24:2211366

DDR內(nèi)存的工作原理與結(jié)構(gòu)

DDR內(nèi)存,全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存),是一種用于計(jì)算機(jī)和其他
2024-11-20 14:32:504135

DDR內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸速度的關(guān)系

在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一,它直接影響到數(shù)據(jù)的處理速度和系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間。DDR內(nèi)存作為一種高效的內(nèi)存技術(shù),其數(shù)據(jù)傳輸速度是衡量其性能的關(guān)鍵指標(biāo)。 DDR內(nèi)存技術(shù)概述 DDR內(nèi)存技術(shù)是在
2024-11-20 14:35:283496

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品,提供更高
2024-11-22 15:38:037936

DDR內(nèi)存與SDRAM的區(qū)別 DDR4內(nèi)存DDR3內(nèi)存哪個(gè)好

系統(tǒng)總線同步工作,以提高數(shù)據(jù)傳輸效率。 DDR (Double Data Rate) :雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是SDRAM的后繼者,它通過在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸來實(shí)現(xiàn)雙倍
2024-11-29 14:57:275093

DDR5內(nèi)存DDR4內(nèi)存性能差異

DDR5內(nèi)存DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)據(jù)
2024-11-29 14:58:405418

DDR內(nèi)存的工作原理 DDR內(nèi)存的常見故障及解決辦法

DDR內(nèi)存的工作原理 DDR(Double Data Rate)內(nèi)存,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種高速的內(nèi)存技術(shù)。它允許在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的翻倍
2024-11-29 15:05:163598

DDR3、DDR4、DDR5的性能對比

DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下是它們之間的性能對比: 一、速度與帶寬 DDR3 :速度
2024-11-29 15:08:2819722

TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

TPS51200A-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且只需要 20 μF
2025-04-25 10:07:151056

TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì) 考慮。 TPS51200-EP 保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且
2025-04-26 10:26:351335

TPS51200-Q1 汽車目錄 灌電流/拉電流 DDR 端接穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊

TPS51200-Q1 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 TPS51200-Q1 器件保持快速瞬態(tài)響應(yīng),并且
2025-04-28 16:21:07852

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2025-05-17 23:35:17930

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