隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY，其工作溫度高達(dá)125°C，具有 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓范圍和串行外設(shè)接口（SPI）。

這款FeRAM產(chǎn)品是先進(jìn)汽車市場(chǎng)中需要低功耗操作電子元件（如ADAS）的電子控制單元的理想選擇。

MB85RS2MLY 8 針 DFN

應(yīng)用示例（ADAS）

8引腳DFN和8引腳SOP封裝

FeRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與EEPROM和閃存相比，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。FeRAM 已被對(duì)傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的規(guī)格不滿意的客戶所采用。

自2017年以來，富士通一直提供64Kbit至2Mbit汽車級(jí)FeRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品在3.3V或5V電源下工作溫度高達(dá)125°C。

然而，一些客戶要求FeRAM可以在低于1.8V的電壓下工作，如1.7V，特別是對(duì)于需要低功耗電子元件的高級(jí)汽車電子控制單元。我們很高興的告訴大家，2Mbit FeRAM產(chǎn)品MB85RS2MLY就可滿足這一要求。

MB85RS2MLY 在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)保證 10 萬億次讀/寫循環(huán)次數(shù)。此特性對(duì)于某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用程序是最佳的。例如，如果連續(xù) 10 年每天每 0.1 秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)超過 30 億次。

此外，該產(chǎn)品的可靠性測(cè)試符合AEC-Q100 1級(jí)，這是稱為“汽車級(jí)”的產(chǎn)品的資格要求。因此，從數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性的角度來看，MB85RS2MLY保證可用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的ADAS等應(yīng)用。

MB85RS2MLY采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 8 引腳 SOP 封裝，可以輕松替換具有類似封裝的現(xiàn)有 EEPROM。此外，還提供尺寸為 5.0 x 6.0 x 0.9mm 的 8 引腳 DFN（雙扁平無引線）封裝。

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司將繼續(xù)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品和解決方案，以滿足市場(chǎng)和客戶的未來需求和要求。

MB85RS2MLY的主要規(guī)格

審核編輯：劉清