半導體激光器體積最小、效率最高、波長最廣，價格最低，是各類應(yīng)用場景之首選，但出射功率低和光束質(zhì)量差是瓶頸，難點更在于這兩個指標一般無法同時提高，即雖然增大器件尺寸可以提高激光功率，但是大器件中的多模激射會降低光束質(zhì)量。之前，中國科學院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心光物理重點實驗室L01組陸凌團隊提出了“狄拉克渦旋”拓撲光腔，是目前已知大面積單模性最好的光腔設(shè)計，可從原理上突破現(xiàn)有瓶頸，并提高出射功率和光束質(zhì)量。近日，科研人員將原創(chuàng)的拓撲光腔應(yīng)用于面發(fā)射半導體激光器中，研制出拓撲腔面發(fā)射激光器（topological-cavity surface-emitting laser: TCSEL），得到遠超同類商用產(chǎn)品的指標和性能（圖1）。在1550nm這一最重要的通信和人眼安全波段，同時實現(xiàn)了單個器件10W峰值功率、小于1°的遠場發(fā)散角、60dB邊模抑制比，以及二維多波長陣列的集成能力。相關(guān)研究成果以Topological-cavity surface-emitting laser為題，在線發(fā)表在Nature Photonics上。TCSEL的發(fā)明對于人臉識別、自動駕駛、虛擬現(xiàn)實所需的三維感知和激光雷達等新興技術(shù)有重要意義。

研究分析主流單模半導體激光器的設(shè)計發(fā)現(xiàn)（圖1），用于互聯(lián)網(wǎng)通信的分布式反饋邊發(fā)射激光器（distributed Feedback，DFB）和用于手機人臉識別的垂直腔面發(fā)射激光器（vertical-cavity surface-emitting lasers，VCSEL），在其最優(yōu)化的諧振腔設(shè)計中均采用了一維周期結(jié)構(gòu)中帶間拓撲缺陷模式來實現(xiàn)穩(wěn)定單模工作。而TCSEL正是延續(xù)和推廣了這樣的成功路線，實現(xiàn)了與半導體芯片平面工藝最匹配的二維版本。

大面積單模是TCSEL的優(yōu)勢，同時提高了出射功率和光束質(zhì)量——面發(fā)射峰值功率大于10 W，光束發(fā)散角小于1°（圖2左）。相比之下，商用DFB的輸出一般為數(shù)十mW的量級，單個VCSEL的輸出為幾mW，面發(fā)射的典型發(fā)散角為20°，邊發(fā)射器件的光束質(zhì)量通常更差。圖2左插圖為直徑500μm器件的顯微鏡照片和掃描電子顯微鏡照片，可清楚看到器件標志性的渦旋結(jié)構(gòu)，TCSEL的遠場為徑向偏振分布的矢量光束。TCSEL的高功率和低發(fā)散角優(yōu)勢可以增加三維傳感的距離，減少光學系統(tǒng)的尺寸、復雜性和成本。

波長靈活性是TCSEL的另一個優(yōu)勢，如可以實現(xiàn)二維多波長面陣。VCSEL的垂直腔是在外延生長過程中形成的，不但激光波長受到材料生長的嚴重制約，而且其陣列在同片晶元上缺乏波長可調(diào)性。DFB可以調(diào)節(jié)波長，但由于邊發(fā)射的裂片制造工藝約束，只能實現(xiàn)一維多波長整列。相比之下，TCSEL的波長可以在平面加工過程中任意調(diào)節(jié)，圖2（右）中通過改變晶格常數(shù)，相應(yīng)的激光波長從1512nm到1616nm線性變化，二維陣列都穩(wěn)定單模工作，邊模抑制比均大于50dB。這種多波長TCSEL二維陣列可以潛在地提高波分復用技術(shù)的功率、帶寬和集成度，可應(yīng)用于高容量信號傳輸和多光譜激光傳感等應(yīng)用領(lǐng)域。

拓撲物理自量子霍爾效應(yīng)發(fā)現(xiàn)以來，一直是基礎(chǔ)研究領(lǐng)域的焦點。雖然拓撲魯棒性在理論上可以顯著提高器件的穩(wěn)定性和指標，但至今沒有明確的應(yīng)用出口，TCSEL的發(fā)明有望解決拓撲物理應(yīng)用的瓶頸。

TCSEL的器件制備在物理所微加工實驗室完成。研究工作得到中科院、科技部、國家自然科學基金和北京市自然科學基金的支持。

圖1.TCSEL與現(xiàn)有商用單模激光器的對比：一維中，邊發(fā)射的相移分布反饋激光器（DFB）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）均采用帶間模式穩(wěn)定激射；二維中，拓撲光腔面發(fā)射激光器（TCSEL）可以大面積單模工作，與一維相比可以提供更高的發(fā)射功率，更窄的光束發(fā)散角，和多波長二維陣列等優(yōu)勢。

圖2.TCSEL性能：左側(cè)圖為激光器輸入輸出的功率，插圖為激光器的遠場照片、顯微鏡圖、掃描電子顯微鏡圖；右側(cè)圖為多波長陣列特性。

審核編輯黃宇