先進封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
據(jù)知名半導(dǎo)體分析機構(gòu)Yole分析,先進封裝極大地推動了內(nèi)存封裝行業(yè),推動了增長和創(chuàng)新。
總體來看,到 2028 年,整體內(nèi)存封裝收入預(yù)計將達到 318 億美元。
DRAM將以2022-2028年的CAGR在13%左右增長,2028年達到207億美元左右,而NAND的增長速度更快,2022-2028年的CAGR在17%左右,預(yù)計其封裝收入將達到到 2028 年約為 89 億美元。
這其中,引線鍵合主導(dǎo)著存儲器封裝市場,其次是倒裝芯片。全球半導(dǎo)體封裝測試服務(wù)(OSAT)占內(nèi)存封裝收入的三分之一以上。
此外,yole還預(yù)測了內(nèi)存封裝的總收入。到 2022 年,整體獨立內(nèi)存收約為 1440 億美元,包含測試的整體存儲器封裝收入預(yù)計為151億美元,相當于整體獨立存儲器收入的10%左右。Yole Group旗下的Yole Intelligence預(yù)測,這一部分2028年收入將達到318億美元,年復(fù)合年均增長率(2022 -2028)為13%。
Yole分析到,先進封裝已成為NAND和DRAM技術(shù)進步的關(guān)鍵推動力。在不同的先進封裝方法中,混合鍵合已成為制造更高位密度和更高性能存儲設(shè)備的最有前途的解決方案。
無論其使用目的是為了實現(xiàn)更高的性能還是更小的外形尺寸,先進封裝都是內(nèi)存價值方程式中越來越重要的因素。從 2022 年約占內(nèi)存封裝收入的 47% 到 2028 年,先進封裝將占到 77%。
引線鍵合是主要的封裝方法。它廣泛用于移動內(nèi)存和存儲應(yīng)用,其次是倒裝芯片封裝,在 DRAM 市場中不斷擴大。
采用具有短互連的倒裝芯片封裝對于實現(xiàn)每個引腳的高帶寬至關(guān)重要。雖然引線鍵合封裝可能仍能滿足 DDR 5 的性能要求,但分析師預(yù)計倒裝芯片封裝將成為 DDR6 的必備品。
引線框架仍然廣泛用于 NOR 閃存和其他存儲器技術(shù),并且是單位出貨量最高的封裝。
WLCSP 越來越多地被用于需要小尺寸的消費/可穿戴應(yīng)用,例如真正的無線立體聲耳塞。它存在于 NOR 閃存、EEPROM 和 SLC NAND 等低密度存儲設(shè)備中。
Yole Intelligence 存儲器高級技術(shù)和市場分析師表示:“先進封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要,倒裝芯片封裝成為數(shù)據(jù)中心和個人計算機中 DRAM 模塊的標準。在人工智能和高性能計算應(yīng)用的推動下,對 HBM 的需求正在快速增長?;旌湘I合是 3D NAND 縮放路徑的一部分?!?/p>
先進封裝大勢所趨
先進封裝市場增長顯著,為全球封測市場貢獻主要增量。隨著電子產(chǎn)品進一步朝向小型化與多功能發(fā)展,芯片尺寸越來越小,芯片種類越來越多,其中輸出入腳數(shù)大幅增加,使得3D 封裝、扇形封裝(FOWLP/PLP)、微間距焊線技術(shù)以及系統(tǒng)封裝(SiP)等技術(shù)的發(fā)展成為延續(xù)摩爾定律的最佳選擇之一,先進封裝技術(shù)在整個封裝市場的占比正在逐步提升。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)計2026 年市場規(guī)模增至 475 億美元,占比達 50%,2020-2026E CAGR 約為 7.7%,優(yōu)于整體封裝市場和傳統(tǒng)封裝市場成長性。
半導(dǎo)體廠商擴大資本支出,強力布局先進封裝。據(jù) Yole 數(shù)據(jù),2021 年半導(dǎo)體廠商在先進封裝領(lǐng)域的資本支出約為 119 億美元,英特爾、臺積電、日月光、三星等分別投入35、30、20、15 億美元。未來,隨著 HPC、汽車電子、5G 等領(lǐng)域的先進封裝需求增加,將帶動先進封測需求,提前布局廠商有望率先受益。
對國內(nèi)先進封裝行業(yè)的各個專利申請人的專利數(shù)量進行統(tǒng)計,排名前列的公司依次為:長電科技、生益科技、通富微電、國星光電、寒武紀、深科技、正業(yè)科技等。
國內(nèi)企業(yè)方面,長電科技表示,目前先進封裝已成為公司的主要收入來源,先進封裝生產(chǎn)量34,812.86百萬顆,占到所有封裝類型的45.5%,其中主要來自于系統(tǒng)級封裝,倒裝與晶圓級封裝等類型。
通富微電表示,公司緊緊抓住市場發(fā)展機遇,面向未來高附加值產(chǎn)品以及市場熱點方向,在高性能計算、存儲器、汽車電子、顯示驅(qū)動、5G等應(yīng)用領(lǐng)域,大力開發(fā)扇出型、圓片級、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴充其產(chǎn)能,在2.5D、3D封裝領(lǐng)域在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位。
審核編輯:劉清
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原文標題:先進封裝推動NAND和DRAM技術(shù)進步
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