先進封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。

據(jù)知名半導體分析機構(gòu)Yole分析，先進封裝極大地推動了內(nèi)存封裝行業(yè)，推動了增長和創(chuàng)新。

總體來看，到 2028 年，整體內(nèi)存封裝收入預計將達到 318 億美元。

DRAM將以2022-2028年的CAGR在13%左右增長，2028年達到207億美元左右，而NAND的增長速度更快，2022-2028年的CAGR在17%左右，預計其封裝收入將達到到 2028 年約為 89 億美元。

這其中，引線鍵合主導著存儲器封裝市場，其次是倒裝芯片。全球半導體封裝測試服務(wù)（OSAT）占內(nèi)存封裝收入的三分之一以上。

此外，yole還預測了內(nèi)存封裝的總收入。到 2022 年，整體獨立內(nèi)存收約為 1440 億美元，包含測試的整體存儲器封裝收入預計為151億美元，相當于整體獨立存儲器收入的10%左右。Yole Group旗下的Yole Intelligence預測，這一部分2028年收入將達到318億美元，年復合年均增長率（2022 -2028）為13%。

Yole分析到，先進封裝已成為NAND和DRAM技術(shù)進步的關(guān)鍵推動力。在不同的先進封裝方法中，混合鍵合已成為制造更高位密度和更高性能存儲設(shè)備的最有前途的解決方案。

無論其使用目的是為了實現(xiàn)更高的性能還是更小的外形尺寸，先進封裝都是內(nèi)存價值方程式中越來越重要的因素。從 2022 年約占內(nèi)存封裝收入的 47% 到 2028 年，先進封裝將占到 77%。

引線鍵合是主要的封裝方法。它廣泛用于移動內(nèi)存和存儲應用，其次是倒裝芯片封裝，在 DRAM 市場中不斷擴大。

采用具有短互連的倒裝芯片封裝對于實現(xiàn)每個引腳的高帶寬至關(guān)重要。雖然引線鍵合封裝可能仍能滿足 DDR 5 的性能要求，但分析師預計倒裝芯片封裝將成為 DDR6 的必備品。

引線框架仍然廣泛用于 NOR 閃存和其他存儲器技術(shù)，并且是單位出貨量最高的封裝。

WLCSP 越來越多地被用于需要小尺寸的消費/可穿戴應用，例如真正的無線立體聲耳塞。它存在于 NOR 閃存、EEPROM 和 SLC NAND 等低密度存儲設(shè)備中。

Yole Intelligence 存儲器高級技術(shù)和市場分析師表示：“先進封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要，倒裝芯片封裝成為數(shù)據(jù)中心和個人計算機中 DRAM 模塊的標準。在人工智能和高性能計算應用的推動下，對 HBM 的需求正在快速增長?；旌湘I合是 3D NAND 縮放路徑的一部分?！?/p>

先進封裝大勢所趨

先進封裝市場增長顯著，為全球封測市場貢獻主要增量。隨著電子產(chǎn)品進一步朝向小型化與多功能發(fā)展，芯片尺寸越來越小，芯片種類越來越多，其中輸出入腳數(shù)大幅增加，使得3D 封裝、扇形封裝(FOWLP/PLP)、微間距焊線技術(shù)以及系統(tǒng)封裝(SiP)等技術(shù)的發(fā)展成為延續(xù)摩爾定律的最佳選擇之一，先進封裝技術(shù)在整個封裝市場的占比正在逐步提升。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預計2026 年市場規(guī)模增至 475 億美元，占比達 50%，2020-2026E CAGR 約為 7.7%，優(yōu)于整體封裝市場和傳統(tǒng)封裝市場成長性。

半導體廠商擴大資本支出，強力布局先進封裝。據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年半導體廠商在先進封裝領(lǐng)域的資本支出約為 119 億美元，英特爾、臺積電、日月光、三星等分別投入35、30、20、15 億美元。未來，隨著 HPC、汽車電子、5G 等領(lǐng)域的先進封裝需求增加，將帶動先進封測需求，提前布局廠商有望率先受益。

對國內(nèi)先進封裝行業(yè)的各個專利申請人的專利數(shù)量進行統(tǒng)計，排名前列的公司依次為：長電科技、生益科技、通富微電、國星光電、寒武紀、深科技、正業(yè)科技等。

國內(nèi)企業(yè)方面，長電科技表示，目前先進封裝已成為公司的主要收入來源，先進封裝生產(chǎn)量34,812.86百萬顆，占到所有封裝類型的45.5%，其中主要來自于系統(tǒng)級封裝，倒裝與晶圓級封裝等類型。

通富微電表示，公司緊緊抓住市場發(fā)展機遇，面向未來高附加值產(chǎn)品以及市場熱點方向，在高性能計算、存儲器、汽車電子、顯示驅(qū)動、5G等應用領(lǐng)域，大力開發(fā)扇出型、圓片級、倒裝焊等封裝技術(shù)并擴充其產(chǎn)能，在2.5D、3D封裝領(lǐng)域在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

審核編輯：劉清