常用電路模塊的布局布線原則
常用存儲器設(shè)計(jì)
*FLASH
*DDR
*DDR2
*DDR3
*QDR
1、SDRAM
*管腳的定義解釋
SDRAM(同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)如下圖:


SDRAM的布局
*SDRAM的布局原則是:靠近CPU擺放
*SDRAMx1片的時(shí)候,一般采取點(diǎn)對點(diǎn)的布局方式,如下圖:

SDRAM到CPU推薦的中心距離:
*當(dāng)中間無排阻時(shí):9000-1000密爾
*當(dāng)中間有排阻時(shí):1000-1300密爾
*SDRAMx2片時(shí),相對于CPU嚴(yán)格對稱
方案一:空間做的時(shí)候,與CPU放在同一面,如下圖:

方案二:SDRAM頂?shù)讓N,如下圖:

SDRAM的布線
*特性阻抗:50歐
*數(shù)據(jù)線每9根盡量走在同一層(D0D7,LDQM;D8D15,HDQM)
*信號線的間距須滿足3W原則
*數(shù)據(jù)線、地址(控制線)線、時(shí)鐘線之間的距離保持20密爾以上或者3W
*空間允許的情況下,應(yīng)該在它們走線之間加一根地線進(jìn)行隔離。地線寬度推薦為15~30密爾
*保證完整的參考平面
*布線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(默認(rèn)采用遠(yuǎn)端分支)-T點(diǎn)(過孔)打在兩片SDRAM中間
遠(yuǎn)端分支(星形或者T形)

菊花鏈

*SDRAM的等長布線
*CLASS的規(guī)則
將所有數(shù)據(jù)線設(shè)為SDRAM_DATA_BUS;
地址線、控制線,時(shí)鐘線設(shè)為SDRAM_ADDR_BUS
*等長規(guī)則
所有信號線參照時(shí)鐘線的長度等長
*誤差范圍
數(shù)據(jù)線誤差范圍控制在+/-50MIL
地址線誤差范圍控制在+/-100MIL
*SDRAM的等長布線
*遠(yuǎn)端分支布線情況,如下圖:


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