據(jù)Yole 分析, 先進(jìn)封裝 (AP) 收入預(yù)計(jì)將從 2022 年的 443 億美元增長(zhǎng)到 2028 年的 786 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 10%。

報(bào)告指出，2022年AP營(yíng)收增長(zhǎng)10%，超過(guò)半導(dǎo)體市場(chǎng)2%的增速。由于移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)需求疲軟，AP 市場(chǎng)的封裝單位增長(zhǎng)了 0.3%。采用具有高平均售價(jià) (ASP) 的更先進(jìn)和復(fù)雜的封裝正在推動(dòng) AP 市場(chǎng)的增長(zhǎng)，而 AP 市場(chǎng)是由 AI、HPC、汽車(chē)電氣化和 5G 采用等大趨勢(shì)推動(dòng)的。

就收入而言，倒裝芯片BGA、倒裝芯片CSP和2.5D/3D是主要的封裝平臺(tái)，其中2.5D/3D技術(shù)的增長(zhǎng)率最高。2.5D/3D 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從 2022 年的 92 億美元增長(zhǎng)到 2028 年的 258 億美元，實(shí)現(xiàn) 19% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率。

先進(jìn)封裝，推動(dòng)了內(nèi)存封裝行業(yè)

Yole表歐式，到 2022 年，不包括測(cè)試，內(nèi)存封裝總收入144億美元。我們預(yù)測(cè)到 2028 年收入將達(dá)到318億美元，22-28的CAGR為 13%。

在封裝收入方面，DRAM 將以 13% 左右的 CAGR22-28 增長(zhǎng)，而 NAND 增長(zhǎng)更快，22-28的CAGR為 17%。

其他存儲(chǔ)器技術(shù)，如 NOR 閃存、EEPROM、SRAM 和新興的非易失性存儲(chǔ)器 (NVM)，預(yù)計(jì)將在22-28間將以 3% 左右的 CAGR 增長(zhǎng)。

先進(jìn)封裝（AP）已成為NAND和DRAM技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵推動(dòng)力。在不同的 AP 方法中，混合鍵合已成為制造更高位密度和更高性能存儲(chǔ)設(shè)備的最有前途的解決方案。

無(wú)論其使用目的是為了實(shí)現(xiàn)更高的性能還是更小的外形尺寸，先進(jìn)封裝都是內(nèi)存價(jià)值方程式中越來(lái)越重要的因素。從 2022 年約占內(nèi)存封裝收入的 47% 到 2028 年，先進(jìn)封裝將占 77%。

引線(xiàn)鍵合是主要的封裝方法。它廣泛用于移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)應(yīng)用，其次是倒裝芯片封裝，繼續(xù)在 DRAM 業(yè)務(wù)中擴(kuò)展。

采用具有短互連的倒裝芯片封裝對(duì)于實(shí)現(xiàn)每個(gè)引腳的高帶寬至關(guān)重要。雖然引線(xiàn)鍵合封裝可能仍能滿(mǎn)足 DDR5 的性能要求，但我們預(yù)計(jì)倒裝芯片封裝將成為 DDR6 的必備條件。

引線(xiàn)框架仍然廣泛用于 NOR 閃存和其他存儲(chǔ)器技術(shù)，并且是單位出貨量最高的封裝。

WLCSP 正越來(lái)越多地用于需要小尺寸的消費(fèi)/可穿戴應(yīng)用，例如真無(wú)線(xiàn)立體聲耳塞。它存在于 NOR 閃存、EEPROM 和 SLC NAND 等低密度存儲(chǔ)設(shè)備中。

由于以下原因，先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來(lái)越重要：

1、倒裝芯片和 3DS 封裝正在成為數(shù)據(jù)中心和個(gè)人計(jì)算機(jī)中 DRAM 模塊的標(biāo)準(zhǔn)。

2、在人工智能和高性能計(jì)算應(yīng)用的推動(dòng)下，對(duì)高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的需求正在快速增長(zhǎng)。

3、混合鍵合是 3D NAND 縮放路徑的一部分。

到 2022 年，我們估計(jì) 66% 的內(nèi)存封裝收入由三星、SK 海力士、美光、鎧俠或西部數(shù)據(jù)等集成設(shè)備制造商內(nèi)存公司產(chǎn)生，其余 34% 由外包半導(dǎo)體封裝和測(cè)試 (OSAT) 公司產(chǎn)生.

內(nèi)存 IDM 也是推動(dòng)內(nèi)存設(shè)備先進(jìn)封裝增長(zhǎng)的關(guān)鍵公司：

1、大多數(shù)NAND制造商都提到他們打算采用晶圓到晶圓堆疊方法，如長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)。

2、未來(lái)幾年將需要混合鍵合以繼續(xù)提高內(nèi)存帶寬、功率效率并最小化 HBM 堆棧厚度。

3、中國(guó)領(lǐng)先的兩家內(nèi)存制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)完全依賴(lài) OSAT 來(lái)封裝和測(cè)試其存儲(chǔ)設(shè)備。他們正在與中國(guó)主要廠(chǎng)商合作進(jìn)行內(nèi)存封裝。因此，由于最近美國(guó)在 2022 年第四季度實(shí)施的商業(yè)限制，他們將面臨不利因素。

其他國(guó)家可以更安全地發(fā)展他們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，例如馬來(lái)西亞、越南或印度。后端設(shè)施通常是這些國(guó)家半導(dǎo)體投資的主要選擇。

審核編輯 ：李倩