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Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET,具有極低導(dǎo)通電阻,適合快速充電設(shè)備

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2023-05-19 10:20 ? 次閱讀
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱“Toshiba”)推出了“SSM14N956L”,這是一款額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET,用于鋰離子(Li-ion)電池組(例如移動設(shè)備電池組)的電池保護電路中。今天開始發(fā)貨。

鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)健的保護電路來減少充電和放電時產(chǎn)生的熱量并提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,需要能夠提供低導(dǎo)通電阻的小巧輕薄型MOSFET。

SSM14N956L采用Toshiba的微工藝,已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也是如此。這就確保了低功率損耗(由于行業(yè)領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻特性)和低待機功率(通過行業(yè)領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流特性實現(xiàn))。這些品質(zhì)有助于延長電池的工作時間。新產(chǎn)品還采用了全新的小型薄型封裝TCSPED-302701(2.74mm x 3.0mm,t = 0.085mm (typ.))。

Toshiba將繼續(xù)開發(fā)MOSFET產(chǎn)品,用于鋰離子電池組供電設(shè)備中的保護電路。

應(yīng)用

·使用鋰離子電池組的消費類電子產(chǎn)品和辦公及個人設(shè)備,包括智能手機、平板電腦、移動電源、可穿戴設(shè)備、游戲機、電動牙刷、小型數(shù)碼相機、數(shù)碼單反相機等。

特性

·行業(yè)領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V

·行業(yè)領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

·小巧輕薄型TCSPED-302701封裝:2.74mm x 3.0mm,t=0.085mm (typ.)

·共漏極結(jié)構(gòu),可輕松用于電池保護電路中

注意:
[1]:在具有相同評級的產(chǎn)品中。截至2023年5月的數(shù)據(jù),基于Toshiba的調(diào)查結(jié)果。

主要規(guī)格

(除非另有說明,Ta=25°C)
部件編號 SSM14N956L SSM10N954L[2]
配置 N溝道共漏極
絕對
最大
額定值
源極電壓VSSS(V) 12
柵極電壓VGSS(V) ±8
拉電流(直流)IS(A) 20.0 13.5
電氣
特性
柵極漏電流IGSS
max (μA)
@VGS= ±8V ±1
源極
導(dǎo)通電阻RSS(ON)
typ. (mΩ)
@VGS=4.5V 1.00 2.1
@VGS=3.8V 1.10 2.2
@VGS=3.1V 1.25 2.4
@VGS=2.5V 1.60 3.1
封裝 名稱 TCSPED-302701 TCSPAC-153001
典型尺寸(mm) 2.74x3,
t=0.085
1.49x2.98,
t=0.11
抽樣檢查和供貨情況 在線購買 在線購買

注意:
[2]已發(fā)布產(chǎn)品。

*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的信息(包括產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系信息)在發(fā)布之日是最新的。但如有更改,恕不另行通知。

審核編輯:湯梓紅

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