Toshiba推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工藝U-MOS11-H[1]制造的100V N溝道功率MOSFET。該MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括數(shù)據(jù)中心和通信基站所用工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。產(chǎn)品發(fā)貨自即日起開始。

100V U-MOS11-H系列在Toshiba現(xiàn)有U-MOSX-H系列工藝的基礎(chǔ)上，優(yōu)化了漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、總柵極電荷(Qg)及二者的權(quán)衡特性(RDS(ON) × Qg)，從而降低了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

與U-MOSX-H系列產(chǎn)品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低約8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。通過應(yīng)用壽命控制技術(shù)[2]，該產(chǎn)品還實(shí)現(xiàn)了高速體二極管性能，減少了反向恢復(fù)電荷(Qrr)并抑制了尖峰電壓。Qrr改善約38%，RDS(ON) × Qrr也改善約43%。這些行業(yè)領(lǐng)先的[3]權(quán)衡特性[4]（RDS(ON) × Qg和RDS(ON) × Qrrr）將功率損耗降至最低，有助于提升電源系統(tǒng)的效率和功率密度。此外，它采用SOP Advance (N)封裝，與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)具有出色的安裝兼容性。

Toshiba還提供電路設(shè)計(jì)支持工具：可快速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型，以及能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。所有工具現(xiàn)已全面可用。

Toshiba將繼續(xù)擴(kuò)展低損耗MOSFET產(chǎn)品線，助力打造更高效率的電源，為降低設(shè)備功耗做出貢獻(xiàn)。

注：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低壓功率MOSFET工藝技術(shù)之一。Toshiba調(diào)查。
[2] 壽命控制技術(shù)：通過利用離子束在半導(dǎo)體中引入缺陷，有意縮短載流子壽命，從而提高開關(guān)速度，改善二極管的恢復(fù)速度并降低噪聲。
[3] 截至2025年9月，與其他用于工業(yè)設(shè)備的100V N溝道功率MOSFET相比。Toshiba調(diào)查。
[4] RDS(ON)×Qg : 120mΩ?nC（典型值），RDS(ON) ?Qrr : 127mΩ×nC（典型值）

應(yīng)用領(lǐng)域

數(shù)據(jù)中心和通信基站所用工業(yè)設(shè)備的電源

開關(guān)電源（高效DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

產(chǎn)品特點(diǎn)

低漏源導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)

低總柵極電荷：Qg=52nC（典型值）(VDD=50V, VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)

低反向恢復(fù)電荷：Qrr=55nC（典型值）(IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta＝25°C)

主要規(guī)格

審核編輯 黃宇