chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-05-25 10:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,瀚薪科技出席建設(shè)銀行上海分行與臨港管委會金融貿(mào)易處聯(lián)合舉辦的活動。董事長徐菲女士在活動現(xiàn)場表示:公司近期完成由建信(北京)投資基金(系建設(shè)銀行控股子公司)領(lǐng)投的超5億元人民幣B輪融資,該輪融資的其他的細(xì)節(jié)和資方暫未披露,我們后續(xù)將持續(xù)更新。

在會上,瀚薪科技還宣布了與建設(shè)銀行將達(dá)成全面戰(zhàn)略合作,包括海外金融、供應(yīng)鏈金融、重大建設(shè)項(xiàng)目授信等方面合作。

瀚薪科技成立于 2019 年,是一家致力于研發(fā)與生產(chǎn)第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的高科技企業(yè)。目前具備大規(guī)模量產(chǎn)車規(guī)級碳化硅 MOS 管、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶的能力。瀚薪科技2020至2022年?duì)I業(yè)收入年復(fù)合增長率超過300%。

f39a7e06-fa8a-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

圖源:瀚薪科技

根據(jù)公司披露:上海瀚薪具備多年的車規(guī)級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍,最大額定電流40A,其中60A產(chǎn)品 bare die已經(jīng)通過可靠性認(rèn)證,SOT-227封裝也已經(jīng)量產(chǎn),并可根據(jù)客戶需求進(jìn)行封裝。MOSFET系列涵蓋650V、1200V、1700V和3300V電壓范圍并都已經(jīng)批量供應(yīng)。目前,單管最小導(dǎo)通阻抗為30mΩ,其中20mΩ即將跟大家見面。已量產(chǎn)的JBS與Sic mosfet涵蓋行業(yè)各種標(biāo)準(zhǔn)封裝。截至2022年底,上海瀚薪的車規(guī)級碳化硅二極管、MOSFET累計(jì)出貨量超3000萬顆,其中MOSFET累計(jì)出貨量1000萬顆。

4月28日,瀚薪科技官微發(fā)布文章稱,公司第四代碳化硅二極管H4S120G020即1200V,20A,TO-247-2和第二代碳化硅MOSFET H2M120F080即1200V,80mΩ,TO-247-3在已通過廠內(nèi)AEC-Q101可靠性驗(yàn)證的同時,再次取得第三方實(shí)驗(yàn)室AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證。

2021年8月,瀚薪科技碳化硅產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約落地上海臨港,將開展碳化硅器件和模塊的研制、碳化硅系列產(chǎn)品的檢測和生產(chǎn)。2022年7月,瀚薪臨港研發(fā)中心辦公室正式落成啟用。今年1月,江蘇鹽城高新區(qū)負(fù)責(zé)人還曾在采訪中表示,正在推進(jìn)瀚薪碳化硅模塊項(xiàng)目的簽約工作,由此信息可見瀚薪未來有望將自建產(chǎn)線。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10304

    瀏覽量

    176340
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9378

    瀏覽量

    229355
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3283

    瀏覽量

    51701

原文標(biāo)題:瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析

    作為電子工程師,我們在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅(SiC)肖特基二極管的出現(xiàn),為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細(xì)分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基
    的頭像 發(fā)表于 12-01 16:07 ?94次閱讀
    安森美10A、1200V<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>NDSH10120C-F155解析

    碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:55 ?75次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析及體二極管的關(guān)斷特性

    傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開關(guān)行為深度解析,特別是其本征體二極管的關(guān)斷特性 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
    的頭像 發(fā)表于 09-01 08:53 ?1235次閱讀
    傾佳電子SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>開關(guān)行為深度解析及體<b class='flag-5'>二極管</b>的關(guān)斷特性

    Wolfspeed推出新型頂部散熱(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

    Wolfspeed 推出新型頂部散熱(TSC) 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 07-09 10:50 ?1234次閱讀
    Wolfspeed推出新型頂部散熱(TSC)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>和肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

    SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢

    和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET(絕緣柵雙極晶體)便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:20 ?888次閱讀

    PI快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

    PI的快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 13:46 ?779次閱讀
    PI<b class='flag-5'>超</b>快速Q(mào)speed H系列<b class='flag-5'>二極管</b>可替代<b class='flag-5'>碳化硅</b>元件

    SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

    使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:16 ?933次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>與肖特基勢壘<b class='flag-5'>二極管</b>的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

    SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

    P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證,具備快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 18:21 ?827次閱讀
    SiC SBD-P3D06010G2 650V <b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>數(shù)據(jù)手冊

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?677次閱讀

    PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-14 15:21 ?0次下載
    PSC2065L<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>在TO247 R2P應(yīng)用

    PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-12 16:09 ?0次下載
    PSC1065<b class='flag-5'>B</b>1<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>規(guī)格書

    5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代結(jié)MOSFET

    傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:37 ?686次閱讀
    5G電源應(yīng)用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>B</b>3M040065Z替代<b class='flag-5'>超</b>結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管

    ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長,BASiC基本公司
    的頭像 發(fā)表于 02-06 11:51 ?989次閱讀
    為什么BASiC基本公司SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>全面取代FRD快恢復(fù)<b class='flag-5'>二極管</b>

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC
    發(fā)表于 01-22 10:43

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37