SiC碳化硅MOSFET體二極管在橋式電路中的恢復(fù)特性對(duì)開關(guān)電壓應(yīng)力的影響

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

1. 引言

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高壓、高功率密度的方向迅猛發(fā)展，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其卓越的材料特性——如寬禁帶（3.26 eV）、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（約為硅的10倍）和高熱導(dǎo)率——正逐步取代傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET，成為新能源汽車、光伏逆變器、軌道交通及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的關(guān)鍵核心器件。然而，SiC MOSFET在橋式電路（如半橋、全橋、三相橋等）中的應(yīng)用并非僅僅是簡(jiǎn)單的器件替換。其極快的開關(guān)速度（dv/dt和di/dt）引入了新的挑戰(zhàn)，其中最為棘手的問題之一便是由體二極管（Body Diode）反向恢復(fù)特性引發(fā)的開關(guān)電壓應(yīng)力。

在橋式電路拓?fù)渲?，體二極管不僅作為續(xù)流通道，其動(dòng)態(tài)恢復(fù)行為直接決定了互補(bǔ)開關(guān)管的開通損耗和整個(gè)換流回路的電磁干擾（EMI）水平。更為關(guān)鍵的是，SiC MOSFET體二極管獨(dú)特的“硬恢復(fù)”或“瞬態(tài)震蕩”（Snappy Recovery）特性，在寄生電感的作用下，會(huì)產(chǎn)生極高的電壓尖峰（Voltage Overshoot）。如果該電壓應(yīng)力得不到有效控制，將直接威脅器件的安全工作區(qū)（SOA），甚至導(dǎo)致柵極氧化層擊穿或雪崩失效。

傾佳電子楊茜剖析SiC MOSFET體二極管在橋式電路中的反向恢復(fù)機(jī)理及其對(duì)開關(guān)電壓應(yīng)力的影響，并結(jié)合基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）的BMF系列模塊數(shù)據(jù)與子公司青銅劍技術(shù)（Bronze Technologies）的先進(jìn)驅(qū)動(dòng)方案，探討從器件選型到驅(qū)動(dòng)保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)應(yīng)力緩解策略。

2. 碳化硅MOSFET體二極管的物理特性與反向恢復(fù)機(jī)理

要理解電壓應(yīng)力的來源，首先必須深入微觀層面，分析SiC MOSFET體二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及其載流子動(dòng)力學(xué)行為。與硅基器件不同，SiC材料的物理屬性賦予了其體二極管獨(dú)特的性能參數(shù)。

2.1 體二極管的結(jié)構(gòu)與導(dǎo)通機(jī)制

SiC MOSFET通常采用垂直型雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)（DMOS）或溝槽柵結(jié)構(gòu)（Trench MOS）。其體二極管是由P型基區(qū)（Body）和N-漂移區(qū)（Drift）構(gòu)成的內(nèi)建PiN二極管。在橋式電路的死區(qū)時(shí)間（Dead Time）內(nèi)，當(dāng)MOSFET溝道關(guān)閉時(shí)，感性負(fù)載電流會(huì)迫使該體二極管正向?qū)ɡm(xù)流。

由于SiC的寬禁帶特性，其內(nèi)建電勢(shì)（Built-in Potential, Vbi?）較高，導(dǎo)致體二極管的正向?qū)▔航担╒SD?）通常在3V至5V之間 。例如，基本半導(dǎo)體BMF60R12RB3模塊在VGS?=?5V時(shí)的二極管正向壓降典型值為5.52V ，而BMF540R12KHA3在同樣條件下為5.11V 。這顯著高于硅基二極管的0.7V-1.5V。雖然較高的VSD?會(huì)增加死區(qū)時(shí)間的導(dǎo)通損耗，但其核心影響在于反向恢復(fù)階段的起始條件。

2.2 反向恢復(fù)過程的載流子動(dòng)力學(xué)

當(dāng)橋臂對(duì)側(cè)的開關(guān)管（主動(dòng)管）開始導(dǎo)通時(shí)，體二極管（被動(dòng)管）兩端的電壓極性發(fā)生翻轉(zhuǎn)，從正向偏置轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚱谩４藭r(shí)，存儲(chǔ)在漂移區(qū)和基區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）無法立即消失，它們必須通過復(fù)合或被電場(chǎng)抽取的方式移除。這一移除過程形成了反向恢復(fù)電流（Reverse Recovery Current, Irr?）。

反向恢復(fù)過程可分為兩個(gè)階段：

存儲(chǔ)電荷抽取階段 (ta?) ：反向電壓施加后，電流以di/dt的速率下降，穿過零點(diǎn)并達(dá)到反向峰值電流（Irm?）。此階段漂移區(qū)內(nèi)仍充滿載流子，二極管兩端電壓維持在較低水平。

復(fù)合與耗盡層建立階段 (tb?) ：載流子濃度降低到無法維持電流，耗盡層迅速擴(kuò)展以承受反向電壓。電流從Irm?恢復(fù)至零。

2.3 “瞬態(tài)震蕩”與硬恢復(fù)特性

SiC器件的一個(gè)顯著特點(diǎn)是漂移區(qū)較薄且摻雜濃度高，加之SiC材料極短的少子壽命，使得反向恢復(fù)電荷（Qrr?）遠(yuǎn)小于同等級(jí)的硅器件。然而，這柄“雙刃劍”的另一面是**硬恢復(fù)（Snappy Recovery）**現(xiàn)象。

在硅二極管中，較厚的漂移區(qū)和較長(zhǎng)的少子壽命使得tb?階段較長(zhǎng)，電流下降平緩（Soft Recovery），有助于阻尼振蕩。而在SiC MOSFET體二極管中，一旦載流子耗盡，電流可能以極高的速率（direc?/dt）瞬間切斷 。這種急劇的電流截?cái)?，若發(fā)生在寄生電感較大的回路中，將激發(fā)出劇烈的電壓振蕩。

當(dāng)恢復(fù)因子（Softness Factor, S=tb?/ta?）遠(yuǎn)小于1時(shí)，即表現(xiàn)為硬恢復(fù) 。此時(shí)，高頻振蕩不僅產(chǎn)生過電壓，還可能通過米勒電容耦合至柵極，引發(fā)誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。

3. 橋式電路中的開關(guān)電壓應(yīng)力生成機(jī)制

在半橋或全橋電路中，開關(guān)電壓應(yīng)力主要發(fā)生在主動(dòng)開關(guān)管開通、同步整流管（體二極管）關(guān)斷的瞬間。這一過程涉及復(fù)雜的L-C回路相互作用。

3.1 換流回路與寄生參數(shù)模型

典型的換流回路包含直流母線電容、母線排（Busbar）、高側(cè)器件、低側(cè)器件以及它們之間的連接線。所有這些物理連接都存在寄生電感，統(tǒng)稱為換流回路雜散電感（Stray Inductance, Lσ?）。此外，器件本身也具有輸出電容（Coss?）。

當(dāng)體二極管處于反向恢復(fù)的tb?階段，電流從Irm?迅速回落至零。根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律，這一巨大的電流變化率（direc?/dt）在雜散電感上感應(yīng)出反向電動(dòng)勢(shì)，疊加在直流母線電壓（VDC?）之上，施加在正在關(guān)斷的體二極管（即MOSFET漏源極）兩端。

3.2 峰值電壓應(yīng)力及其數(shù)學(xué)表達(dá)

漏源極峰值電壓（VDS,peak?）可近似表示為：

VDS,peak?=VDC?+Lσ??dtdirec??

其中：

VDC? 為直流母線電壓。

Lσ? 為回路總雜散電感。

dtdirec?? 是二極管反向恢復(fù)電流下降階段的變化率。

需要特別注意的是，這里的dtdirec??通常遠(yuǎn)大于由柵極驅(qū)動(dòng)電阻（Rg?）控制的開通di/dt。對(duì)于SiC器件，由于“瞬態(tài)震蕩”效應(yīng)，dtdirec??可高達(dá)數(shù)千A/μs甚至更高 。

例如，若VDC?=800V，回路雜散電感Lσ?=30nH，且恢復(fù)階段的direc?/dt=10,000A/μs（即10 A/ns），則感應(yīng)電壓尖峰為：

Vspike?=30×10?9×1010=300V

總電壓應(yīng)力將達(dá)到1100V，逼近1200V器件的擊穿電壓極限。這解釋了為何在SiC應(yīng)用中，微小的電感差異都可能導(dǎo)致致命的過壓失效。

3.3 寄生振蕩與EMI效應(yīng)

電壓尖峰之后通常伴隨著高頻振蕩。這是由Lσ?與器件輸出電容Coss?構(gòu)成的LC諧振電路引起的。SiC MOSFET的Coss?雖然較?。ɡ鏐MF160R12RA3在800V時(shí)僅為420 pF ），但這也意味著諧振頻率極高（可達(dá)數(shù)十MHz）。這種高頻振蕩不僅增加了電壓應(yīng)力，還是嚴(yán)重的傳導(dǎo)和輻射EMI源，可能干擾柵極驅(qū)動(dòng)電路的正常工作 。

4. 基本半導(dǎo)體BMF系列SiC MOSFET模塊特性分析

通過分析基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）BMF系列模塊的數(shù)據(jù)手冊(cè)，我們可以量化上述理論參數(shù)，并觀察電流等級(jí)、溫度對(duì)反向恢復(fù)特性的具體影響。

4.1 反向恢復(fù)參數(shù)的電流與溫度依賴性

下表匯總了不同電流等級(jí)BMF模塊的關(guān)鍵反向恢復(fù)參數(shù)（測(cè)試條件通常為VDS?=800V）：

深度洞察：

溫度的劇烈影響：這是一個(gè)極為關(guān)鍵的發(fā)現(xiàn)。從25°C升高到175°C，幾乎所有模塊的Qrr?都增加了3到5倍。例如，BMF540R12KHA3的Qrr?從2.0 μC激增至8.3 μC。這意味著在高溫工況下，存儲(chǔ)在漂移區(qū)的電荷量顯著增加，導(dǎo)致反向恢復(fù)峰值電流Irm?翻倍（如BMF540從116A增至252A）。

推論：電壓應(yīng)力設(shè)計(jì)不能僅基于常溫?cái)?shù)據(jù)。系統(tǒng)在高溫滿載運(yùn)行時(shí)，由于Irm?的大幅增加，di/dt產(chǎn)生的電壓尖峰將顯著高于常溫空載或輕載狀態(tài)。設(shè)計(jì)裕量必須覆蓋175°C結(jié)溫下的極端工況。

電流容量與Qrr?的非線性關(guān)系：隨著電流等級(jí)的提升（芯片并聯(lián)數(shù)量增加），Qrr?并非線性增加。這得益于基本半導(dǎo)體在大電流模塊中對(duì)體二極管反向恢復(fù)行為的優(yōu)化。數(shù)據(jù)手冊(cè)明確提到“MOSFET Body Diode Reverse Recovery behaviour optimized” [1, 1]。這種優(yōu)化可能涉及少子壽命控制技術(shù)，旨在抑制大電流下的電荷積聚，從而降低Irm?和隨后的電壓過沖。

極短的trr? ：即便在540A的大電流下，trr?依然保持在50ns左右（高溫下）。極短的恢復(fù)時(shí)間意味著di/dt極高。如果不加控制，這種“硬”恢復(fù)特性是產(chǎn)生破壞性電壓尖峰的根源。

4.2 模塊寄生電感（Lσ?）的設(shè)計(jì)優(yōu)化

為了應(yīng)對(duì)高di/dt帶來的電壓應(yīng)力，降低Lσ?是物理層面的首要措施。

BMF240/360/540系列：在62mm封裝中實(shí)現(xiàn)了30 nH的極低雜散電感 。

BMF540R12MZA3：采用了Pcore?2 ED3封裝，其雜散電感設(shè)計(jì)更為緊湊，盡管具體數(shù)值標(biāo)注為TBD，但其專門針對(duì)高可靠性和功率密度優(yōu)化 。

計(jì)算對(duì)比：

如果使用傳統(tǒng)封裝（假設(shè)Lσ?≈50nH）與基本半導(dǎo)體的低電感封裝（30nH）對(duì)比，在同樣的di/dt=5kA/μs下：

傳統(tǒng)封裝電壓尖峰：50nH×5000A/μs=250V

低電感封裝電壓尖峰：30nH×5000A/μs=150V

結(jié)論：僅通過封裝優(yōu)化，電壓應(yīng)力就降低了40%。這直接轉(zhuǎn)化為更高的安全裕量或允許更高的直流母線電壓運(yùn)行。

4.3 柵極電阻與驅(qū)動(dòng)參數(shù)

數(shù)據(jù)手冊(cè)給出了推薦的柵極電阻（RG?），例如BMF540R12KHA3建議RG(on)?=5.1Ω, RG(off)?=1.8Ω 。

較小的RG(off)?（1.8Ω）旨在確保快速關(guān)斷以降低損耗，但這也會(huì)增加關(guān)斷時(shí)的dv/dt，進(jìn)而通過米勒電容影響橋臂對(duì)管的柵極電壓。

較小的RG(on)?會(huì)導(dǎo)致開通電流上升率（di/dt）增加，這將直接加劇對(duì)管體二極管的反向恢復(fù)應(yīng)力（Irm?隨di/dt增加而增加）。因此，在實(shí)際應(yīng)用中，往往需要權(quán)衡開關(guān)損耗與電壓應(yīng)力，適當(dāng)增大RG(on)?是抑制二極管反向恢復(fù)尖峰的最直接手段。

5. 驅(qū)動(dòng)方案對(duì)電壓應(yīng)力的緩解策略：青銅劍技術(shù)案例分析

盡管優(yōu)化器件參數(shù)（降低Qrr?和Lσ?）至關(guān)重要，但面對(duì)SiC極快的開關(guān)速度，僅靠器件本身往往不足以完全消除風(fēng)險(xiǎn)。先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）在主動(dòng)管理電壓應(yīng)力方面扮演著“最后一道防線”的角色。青銅劍技術(shù)提供的驅(qū)動(dòng)方案集成了多種針對(duì)SiC特性的保護(hù)功能。

5.1 有源鉗位技術(shù)（Active Clamping, AVC）

青銅劍的驅(qū)動(dòng)核（如2QD0435T17系列）和即插即用驅(qū)動(dòng)器（如2QP0225系列）均強(qiáng)調(diào)了有源鉗位（Active Clamping）或動(dòng)態(tài)高級(jí)有源鉗位功能 。

工作原理：

有源鉗位是一種閉環(huán)反饋保護(hù)機(jī)制，專門用于限制功率器件關(guān)斷時(shí)的VDS?過壓。

檢測(cè)：在MOSFET的漏極（Drain）和柵極（Gate）之間串聯(lián)一串瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）。其擊穿電壓設(shè)定值略低于MOSFET的額定擊穿電壓（如1200V器件設(shè)定在950V-1000V）。

反饋：當(dāng)由于體二極管反向恢復(fù)或負(fù)載突變導(dǎo)致VDS?尖峰超過TVS設(shè)定值時(shí)，TVS擊穿導(dǎo)通。

注入：電流從漏極流向柵極，向柵極電容（Cgs?）充電。

調(diào)節(jié)：柵極電壓抬升，使MOSFET重新微導(dǎo)通（工作在飽和區(qū)或線性區(qū)）。這增加了溝道電流，分流了部分關(guān)斷電流，從而降低了di/dt，有效地將存儲(chǔ)在雜散電感中的磁場(chǎng)能量耗散在MOSFET內(nèi)部，而不是轉(zhuǎn)化為破壞性的高壓。

對(duì)SiC的意義：

對(duì)于SiC MOSFET，由于其芯片面積小、熱容小，對(duì)雪崩能量的耐受能力（EAS?）通常弱于同規(guī)格IGBT。傳統(tǒng)的無源吸收電路（Snubber）往往損耗大且體積大。有源鉗位能夠精確地將電壓“削頂”在安全范圍內(nèi)，且僅在危險(xiǎn)工況下觸發(fā)，是保護(hù)SiC MOSFET免受體二極管恢復(fù)引起的過壓擊穿的最有效手段之一。

5.2 軟關(guān)斷技術(shù)（Soft Turn-off, STO）

青銅劍的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品（如2CP0220T12）亦集成了**軟關(guān)斷（Soft Turn-off）**功能 。雖然該功能通常與短路保護(hù)（Desaturation Protection）關(guān)聯(lián)，但其原理對(duì)緩解極端工況下的電壓應(yīng)力同樣適用。

工作原理：

當(dāng)驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到短路或過流故障時(shí)，如果直接以正常速度（低RG(off)?）關(guān)斷，巨大的短路電流在雜散電感上產(chǎn)生的電壓尖峰（L?di/dt）將不僅擊穿器件，還可能炸毀模塊。

軟關(guān)斷機(jī)制一旦觸發(fā)，驅(qū)動(dòng)器會(huì)切換到一個(gè)高阻值的關(guān)斷路徑（軟關(guān)斷電阻），或者使用恒流源以極慢的速率抽取柵極電荷。這使得關(guān)斷過程持續(xù)數(shù)微秒而非納秒級(jí)，極大地降低了di/dt，從而將感應(yīng)電壓控制在安全水平。

與反向恢復(fù)的關(guān)聯(lián)： 在某些高級(jí)驅(qū)動(dòng)策略中，類似于軟關(guān)斷的**多級(jí)關(guān)斷（Two-Step Turn-off）**技術(shù)也被用于正常開關(guān)過程。即在VDS?開始上升或電流過零的瞬間，動(dòng)態(tài)增加?xùn)艠O電阻，以“柔化”體二極管的恢復(fù)過程，抑制硬恢復(fù)帶來的震蕩 。

5.3 有源米勒鉗位（Active Miller Clamping）

雖然主要用于防止誤導(dǎo)通，但有源米勒鉗位對(duì)控制橋臂串?dāng)_引起的電壓波動(dòng)也至關(guān)重要。青銅劍的2CP0220T12驅(qū)動(dòng)器即具備此功能 。

機(jī)理：

當(dāng)橋臂對(duì)側(cè)管快速開通（高dv/dt）時(shí)，位移電流通過米勒電容（Cgd?）注入本側(cè)管的柵極，可能導(dǎo)致柵壓抬升誤導(dǎo)通（Shoot-through）。直通電流會(huì)疊加在反向恢復(fù)電流上，造成極端的電流尖峰和隨后的電壓過沖。

有源米勒鉗位在檢測(cè)到柵壓低于閾值（如2V）后，通過一個(gè)低阻抗的內(nèi)部MOSFET將柵極直接短路至負(fù)母線（VEE?）。這提供了一個(gè)極低阻抗的通路來旁路米勒電流，確保器件可靠關(guān)斷，從而間接避免了因直通引起的額外電壓應(yīng)力。

6. 系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)建議與優(yōu)化方向

基于上述分析，為了在橋式電路中安全、高效地使用SiC MOSFET，必須采取“器件-封裝-驅(qū)動(dòng)”三位一體的優(yōu)化策略。

6.1 器件選型與熱設(shè)計(jì)

優(yōu)先選擇低Qrr?模塊：如基本半導(dǎo)體的BMF系列，其針對(duì)性的優(yōu)化降低了恢復(fù)電荷。

熱降額設(shè)計(jì)：鑒于175°C時(shí)Qrr?和Irm?的激增，系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須基于最高結(jié)溫下的反向恢復(fù)參數(shù)來校核電壓安全裕量，而不是常溫參數(shù)。

6.2 最小化回路電感

疊層母排：必須使用低感疊層母排連接直流電容和模塊，盡可能減小外部Lσ?。

去耦電容：在模塊的DC端子處緊靠放置高頻薄膜電容（Snubber Capacitor），為高頻恢復(fù)電流提供就近回路，減小電壓尖峰。

6.3 智能化驅(qū)動(dòng)配置

啟用有源鉗位：對(duì)于1200V SiC系統(tǒng)，尤其是母線電壓超過700V時(shí)，建議選用帶有源鉗位功能的驅(qū)動(dòng)器（如青銅劍2QD或2QP系列），作為防止過壓的保險(xiǎn)。

非對(duì)稱柵極電阻：采用RG(on)?>RG(off)?的配置。適當(dāng)增大RG(on)?可以限制開通di/dt，從而直接減小對(duì)側(cè)二極管的Irm?和隨后的電壓尖峰；而較小的RG(off)?則保證關(guān)斷速度和低損耗。

負(fù)壓關(guān)斷：必須提供足夠的負(fù)柵壓（推薦-4V或-5V ），配合米勒鉗位，確保在高dv/dt下不發(fā)生誤導(dǎo)通。

7. 結(jié)論

碳化硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性是制約橋式電路開關(guān)速度和可靠性的關(guān)鍵因素。盡管SiC材料本身具有極短的恢復(fù)時(shí)間，但其“硬恢復(fù)”特性結(jié)合高頻寄生參數(shù)，極易在高溫和大電流工況下誘發(fā)破壞性的開關(guān)電壓應(yīng)力。

基本半導(dǎo)體通過優(yōu)化BMF系列模塊的體二極管特性（降低Qrr?）和封裝設(shè)計(jì)（實(shí)現(xiàn)30nH低電感），從源頭上緩解了這一問題。然而，隨著電流等級(jí)的提升（如540A模塊），高溫下的恢復(fù)能量劇增仍不容忽視。

青銅劍技術(shù)提供的驅(qū)動(dòng)解決方案，通過引入有源鉗位、軟關(guān)斷及有源米勒鉗位等智能化保護(hù)機(jī)制，有效地“馴服”了SiC的野性。這種“優(yōu)化的功率器件 + 智能的柵極驅(qū)動(dòng)”的協(xié)同設(shè)計(jì)，是釋放SiC MOSFET潛能并確保系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠運(yùn)行的唯一可行路徑。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)，必須充分理解體二極管在高溫下的惡化趨勢(shì)，并通過嚴(yán)謹(jǐn)?shù)尿?qū)動(dòng)參數(shù)配置和低感布局來管理由此產(chǎn)生的電壓應(yīng)力。

審核編輯 黃宇