InnoSwitch3-EP反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列提供了不同耐壓水平、靈活多樣的選項，工程師可根據(jù)其應用選擇最佳的開關(guān)技術(shù)，從而簡化設計。該系列的最新產(chǎn)品采用900V氮化鎵(GaN)技術(shù)，可提供高達100W的功率，效率高于93%，在空間有限的應用中無需使用散熱片。

PI特有的PowiGaN技術(shù)可提供實現(xiàn)900V耐壓所需的可靠性和耐用性。同時還能提高功率和效率，使InnoSwitch3-EP IC非常適合家電、三相電機和服務器輔助電源等應用。初級MOSFET具有900V擊穿電壓，還可以為市電電壓較高或不穩(wěn)的地區(qū)提供更大的安全裕量，并且它們與725V和750V InnoSwitch3-EP器件的引腳相兼容，可讓工程師在不改變設計的情況下增加輸出功率，優(yōu)勢非常明顯。

所有InnoSwitch3-EP器件均具有同步整流控制、波谷開通的非連續(xù)導通模式(DCM)和連續(xù)導通模式(CCM)反激式控制器。FluxLink通信技術(shù)可使IC封裝位于安規(guī)隔離帶上，從而省去光耦器。