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英特爾PowerVia技術率先實現(xiàn)芯片背面供電,突破互連瓶頸

英特爾中國 ? 來源:未知 ? 2023-06-09 20:10 ? 次閱讀
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英特爾宣布在業(yè)內(nèi)率先在產(chǎn)品級測試芯片上實現(xiàn)背面供電(backside power delivery)技術,滿足邁向下一個計算時代的性能需求。作為英特爾業(yè)界領先的背面供電解決方案,PowerVia將于2024年上半年在Intel 20A制程節(jié)點上推出。通過將電源線移至晶圓背面,PowerVia解決了芯片單位面積微縮中日益嚴重的互連瓶頸問題。

英特爾正在積極推進‘四年五個制程節(jié)點’計劃,并致力于在2030年實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管,PowerVia對這兩大目標而言都是重要里程碑。通過采用已試驗性生產(chǎn)的制程節(jié)點及其測試芯片,英特爾降低了將背面供電用于先進制程節(jié)點的風險,使得我們能領先競爭對手一個制程節(jié)點,將背面供電技術推向市場。

--Ben Sell

英特爾技術開發(fā)副總裁

英特爾將PowerVia技術和晶體管的研發(fā)分開進行,以確保PowerVia可以被妥善地用于Intel 20A和Intel 18A制程芯片的生產(chǎn)中。在與同樣將與Intel 20A制程節(jié)點一同推出的RibbonFET晶體管集成之前,PowerVia在其內(nèi)部測試節(jié)點上進行了測試,以不斷調(diào)試并確保其功能良好。經(jīng)在測試芯片上采用并測試PowerVia,英特爾證實了這項技術確實能顯著提高芯片的使用效率,單元利用率(cell utilization)超過90%,并有助于實現(xiàn)晶體管的大幅微縮,讓芯片設計公司能夠提升產(chǎn)品性能和能效。

英特爾將在于6月11日至16日在日本京都舉行的VLSI研討會上通過兩篇論文展示相關研究成果。

作為大幅領先競爭對手的背面供電解決方案,PowerVia讓包含英特爾代工服務(IFS)客戶在內(nèi)的芯片設計公司能更快地實現(xiàn)產(chǎn)品能效和性能的提升。長期以來,英特爾始終致力于推出對行業(yè)具有關鍵意義的創(chuàng)新技術,如應變硅(strained silicon)、高K金屬柵極(Hi-K metal gate)和FinFET晶體管,以繼續(xù)推進摩爾定律。隨著PowerVia和RibbonFET全環(huán)繞柵極技術在2024年的推出,英特爾在芯片設計和制程技術創(chuàng)新方面將繼續(xù)處于行業(yè)領先地位。

通過率先推出PowerVia技術,英特爾可幫助芯片設計公司突破日益嚴重的互連瓶頸。越來越多的使用場景,包括AI或圖形計算,都需要尺寸更小、密度更高、性能更強的晶體管來滿足不斷增長的算力需求。從數(shù)十年前到現(xiàn)在,晶體管架構中的電源線和信號線一直都在“搶占”晶圓內(nèi)的同一塊空間。通過在結構上將這兩者的布線分開,可提高芯片性能和能效,為客戶提供更好的產(chǎn)品。背面供電對晶體管微縮而言至關重要,可使芯片設計公司在不犧牲資源的同時提高晶體管密度,進而顯著地提高功率和性能。

此外,Intel 20A和Intel 18A制程節(jié)點將同時采用PowerVia背面供電技術和RibbonFET全環(huán)繞柵極技術。作為一種向晶體管供電的全新方式,背面供電技術也帶來了散熱和調(diào)試設計方面的全新挑戰(zhàn)。

通過將PowerVia與RibbonFET這兩項技術的研發(fā)分開進行,英特爾能夠迅速應對上述挑戰(zhàn),確保能在基于Intel 20A和Intel 18A制程節(jié)點的芯片中實現(xiàn)PowerVia技術。英特爾開發(fā)了散熱技術,以避免過熱問題的出現(xiàn),同時,調(diào)試團隊也開發(fā)了新技術,確保這種新的晶體管設計結構在調(diào)試中出現(xiàn)的各種問題都能得到適當解決。因此,在集成到RibbonFET晶體管架構之前,PowerVia就已在測試中達到了相當高的良率和可靠性指標,證明了這一技術的預期價值。

PowerVia的測試也利用了極紫外光刻技術(EUV)帶來的設計規(guī)則。在測試結果中,芯片大部分區(qū)域的標準單元利用率都超過90%,同時單元密度也大幅增加,可望降低成本。測試還顯示,PowerVia將平臺電壓(platform voltage)降低了30%,并實現(xiàn)了6%的頻率增益(frequency benefit)。PowerVia測試芯片也展示了良好的散熱特性,符合邏輯微縮預期將實現(xiàn)的更高功率密度。

接下來,在將于VLSI研討會上發(fā)表的第三篇論文中,英特爾技術專家Mauro Kobrinsky還將闡述英特爾對PowerVia更先進部署方法的研究成果,如同時在晶圓正面和背面實現(xiàn)信號傳輸和供電。

英特爾領先業(yè)界為客戶提供PowerVia背面供電技術,并將在未來繼續(xù)推進相關創(chuàng)新,延續(xù)了其率先將半導體創(chuàng)新技術推向市場的悠久歷史。


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原文標題:英特爾PowerVia技術率先實現(xiàn)芯片背面供電,突破互連瓶頸

文章出處:【微信號:英特爾中國,微信公眾號:英特爾中國】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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