隨著新能源電動汽車技術(shù)越來越成熟，更多家庭選擇新能源電動汽車作為代步出行工具，作為新能源電動汽車配套設(shè)施的充電樁，普及率也越來越高。充電樁是國家新基建重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，是人口稠密區(qū)域住宅區(qū)、商務(wù)中心以及高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。

安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品性能，具有更優(yōu)的雪崩耐量，提高了器件應(yīng)用中的可靠性。同時，采用自主創(chuàng)新先進(jìn)的多層外延技術(shù)，優(yōu)化了器件開關(guān)特性，使其在系統(tǒng)應(yīng)用中具有更好的表現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計提供更多選擇。

安森德SJ MOSFET優(yōu)勢

效率高

較高的輕載、滿載效率，超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。

低溫升

較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。

穩(wěn)定性強(qiáng)

強(qiáng)大的 EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。

內(nèi)阻低

超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。

體積小

在同等電壓和電流要求下，超結(jié)MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小，可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。

行業(yè)市場應(yīng)用

隨著新能源電動汽車的日益普及，作為國家新基建重要組成部分的充電樁，覆蓋范圍也越來越廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低損耗等特點(diǎn)，為電動汽車充電應(yīng)用提供高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體方案。

此外，SJ MOSFET還廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、逆變、儲能等領(lǐng)域。

審核編輯 黃宇