我們專注于半導(dǎo)體量測(cè)分析設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和服務(wù)。l攻克關(guān)鍵核心技術(shù)，為晶圓、晶錠、硅材料、碳化硅等材料的生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控提供一整套完整測(cè)試和解決方案，助力半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。l產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。

<1> 渦流法電阻率分析儀（晶錠和晶片），應(yīng)用于半導(dǎo)體Wafer及Ingot的電阻率分析；

<2> 渦流法電阻率探頭（晶錠和晶片），應(yīng)用于光伏、太陽(yáng)能Si片的檢測(cè)；

<3> SPV法PN探頭，應(yīng)用于光伏、太陽(yáng)能Si片的檢測(cè)；

<4> 電容法厚度探頭，應(yīng)用于Wafer的厚度測(cè)量，分辨率0.1μm；

<5> 遷移率（霍爾）測(cè)試儀，應(yīng)用于載流子遷移率及載流子濃度的測(cè)量；

<6> JPV法薄膜方阻探頭及分析系統(tǒng)，應(yīng)用于電池片方阻測(cè)量；

<7> 半自動(dòng)Wafer電阻率、厚度、PN、溫度分析系統(tǒng)（解決樣片翹曲度影響）。

審核編輯黃宇