上海伯東美國KRi考夫曼公司大口徑射頻離子源RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到<1%. KRi 離子源可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 超導(dǎo)體等.

離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件,KRi 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!

客戶案例: 12英寸 IBE 離子束蝕刻機(jī)安裝 KRi 射頻離子源
KRi 離子源工作過程: 氣體通入離子源的放電室中, 電離產(chǎn)生均勻的等離子體, IBE系統(tǒng)由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進(jìn)行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料除去, 進(jìn)而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運(yùn)行在較高的真空度下.

由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間, 起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響.
這種物理方案, 柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制, 提升了工藝可控性
通過載片臺的角度調(diào)整, 實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射, 可用于特殊圖案的刻蝕, 也適用于側(cè)壁清洗等工藝.
蝕刻多層時不需要化學(xué)優(yōu)化, 一般工藝通氬氣,也可通活性氣體.

美國KRi射頻離子源技術(shù)參數(shù):

上海伯東同時提供IBE 離子蝕刻系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的蝕刻系統(tǒng).
責(zé)任編輯：彭菁