chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-01-25 09:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

9.4 化合物半導(dǎo)體

第9章 集成電路專用材料

《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊

3a560a54-7d3c-11ec-8beb-dac502259ad0.jpg

3a6fbefe-7d3c-11ec-8beb-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5450

    文章

    12531

    瀏覽量

    373584
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1571次閱讀

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    。隨著碳化硅產(chǎn)業(yè)向大尺寸、高性能方向發(fā)展,現(xiàn)有測量技術(shù)面臨諸多挑戰(zhàn),探究未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向迫在眉睫。 二、提升測量精度與分辨率 未來,碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:53 ?1598次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級
    的頭像 發(fā)表于 09-21 20:41 ?479次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>升級的必然趨勢

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?6859次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1339次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1012次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì):電感值為6.7 nH,有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng),提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計(jì)與市場開拓 ,但很快意識到IDM(
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?986次閱讀

    破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬

    破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬 值此五一勞動節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動行業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:42 ?502次閱讀
    破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>勞動者致敬

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1128次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?909次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?790次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?2018次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>薄膜</b>沉積技術(shù)介紹

    碳化硅的耐高溫性能

    在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價(jià)鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?3234次閱讀

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2777次閱讀