P型MOS管是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件，P-MOSFET的柵極是絕緣的，屬于電壓控制器件，因而輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，電路簡單。和N溝道 MOSFET產(chǎn)品相比，P溝道MOSFET產(chǎn)品需求遠小，但在某些應(yīng)用領(lǐng)域，P溝道MOSFET因其本身的電性特點，有其不可替代性，目前驪微電子可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 溝道 MOSFET解決方案，封裝主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列。

SVT03110PL3 -30V p溝道增強型mos管采用PDFN-8-3*3封裝，提供了超低的導(dǎo)通電阻和柵極電容，漏源電壓-30V，漏極電流-46A，RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V，典型應(yīng)用于移動電源、吸塵器、筆記本電腦、充電器等領(lǐng)域。

SVT03380PSA -30V p-mos管采用SOP-8封裝，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量，是-6.5A、-30V P溝道增強型場效應(yīng)管，，RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V，典型應(yīng)用于POS機、打印機、TV、電動工具、儲能等領(lǐng)域。

SVT10500PD 100v耐壓p-mos管采用TO-252封裝，漏源電壓：-100V，漏極電流：-30A，RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V，典型應(yīng)用于報警器、儲能、電動工具等。

SVGP15161PL3A P溝道增強型功率MOS場效應(yīng)晶體管采用PDFN-8-3*3封裝，漏源電壓：-150V，漏極電流：-9A，RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V，典型應(yīng)用于5G電源、通訊電源、通訊設(shè)備等。

SVGP15751PL3 -3A -150V p型mos管采用DFN-8-3*3封裝，具有開關(guān)速度快、低柵極電荷、低反向傳輸電容等特點，是-3A、-150VP溝道增強型場效應(yīng)管，RDS(on)(典型值)=665mΩ@VGS=10V，廣泛應(yīng)用于5G電源、通訊電源、通訊設(shè)備等不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

近年來隨著國內(nèi)家電、電池保護、電動工具、電源、三表、汽車后裝市場、玩具、手機、充電器等市場，MOSFET國產(chǎn)替代的需求旺盛，更多P 溝道MOSFET和N 溝道MOSFE產(chǎn)品選型及進口代換型號手冊、參數(shù)等資料請向士蘭微代理驪微電子申請。>>