半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外高功率輻射（i 線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）在各種光刻、曝光和顯影工藝中生產(chǎn)IC、LCD、PCB以及MEMS 等復(fù)雜的微觀電路結(jié)構(gòu)。得益于LED的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域正在擺脫長(zhǎng)期以來的傳統(tǒng)放電汞燈技術(shù)，進(jìn)而選擇UVLED技術(shù)作為一種理想解決方案。虹科UVLED紫外光源提供穩(wěn)定且超高功率的UV輻射輸出，最高輸出功率可達(dá)80W，具有長(zhǎng)壽命和成本優(yōu)勢(shì)，無需額外冷卻時(shí)間，即開即用，取代了傳統(tǒng)的燈箱結(jié)構(gòu)，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過450nm的輻射。

許多光刻應(yīng)用依賴于包括 i、h 和 g 線 （365/405/435 nm） 輻射寬帶曝光。虹科UVLED紫外光源提供非常相似的寬帶光譜輸出，因此，將現(xiàn)有的光刻工藝升級(jí)到UVLED曝光系統(tǒng)不再需要過多調(diào)整和操作。除了寬帶UVLED曝光單元外，還提供單峰（365 nm）或雙峰波長(zhǎng)（365/405 nm和405/435 nm）的輸出配置。虹科高功率UVLED波段選擇

01

掩膜對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

半導(dǎo)體、MEMS、LED芯片、功率器件和微流體行業(yè)中的后端光刻應(yīng)用將會(huì)使用各種各樣的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)可滿足任何生產(chǎn)環(huán)境的要求。

虹科UVLED紫外光源解決方案（ALE/1、ALE/1C和ALE/2）已成功集成到各種掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)中，在接觸式曝光以及投影式曝光應(yīng)用中都能產(chǎn)生出色的效果，已經(jīng)在4、6、8和12英寸基板上看到了出色的均勻性、出色的準(zhǔn)直特性 （<2°） 、低至0.7μm 的高分辨率以及較高的表面輻射功率。

晶圓曝光強(qiáng)度

虹科UVLED紫外光源解決方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧燈。

1圓形曝光區(qū)域從 ?150 mm 開始2方形曝光區(qū)域從 200 X 200 mm 開始3標(biāo)準(zhǔn)模式，帶冷卻器的性能模式可提供額外的 20% 輸出

曝光光源系統(tǒng)集成

可以通過多種方式從汞弧燈升級(jí)到虹科UVLED曝光解決方案，所有解決方案均可定制，以完美貼合原有的掩膜版設(shè)備，還可以選擇改造更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱。

一

原有曝光系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有挑戰(zhàn)性，內(nèi)部空間較為有限

選擇虹科ALE/1光纖耦合光源，該光源配備靈活的高透射率 LED 光導(dǎo)，可耦合到掩模對(duì)準(zhǔn)器的集成光學(xué)元件中。

二

中等功率輸出曝光

選擇虹科ALE/1C曝光系統(tǒng)，采用分布式設(shè)計(jì)，控制子系統(tǒng) （CSS） 和小尺寸暴露子系統(tǒng) （ESS） 是獨(dú)立的組件，可以將ESS 直接集成到掩模對(duì)準(zhǔn)器中。

三

超高功率輸出曝光

選擇虹科ALE/2曝光系統(tǒng)，在i-line和寬帶曝光中實(shí)現(xiàn)極端強(qiáng)度，并適合用于超大基板的曝光。該系統(tǒng)同樣遵循分布式設(shè)置，曝光子系統(tǒng)（ESS）將單獨(dú)安裝在曝光工具中。

02

寬帶步進(jìn)系統(tǒng)

寬帶步進(jìn)系統(tǒng)，在先進(jìn)封裝應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，例如扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP），晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝（WLCSP）或硅通孔（TSV）。MEMS或LED等復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)是在那些高度專業(yè)化的步進(jìn)器件上制造的重要例子。

虹科寬帶 ALE/1 和ALE/1C 光源將i線、h線和g線周圍的單個(gè)LED模塊組合成一條光路，可以完全控制 350-450 nm范圍內(nèi)的寬帶曝光的光譜組成，可以實(shí)現(xiàn)低至1μm 甚至亞微米范圍的分辨率，提供更高的輻射輸出。通過采用虹科光源解決方案，可以完全靈活地選擇工藝中可能需要應(yīng)用的光敏先進(jìn)封裝材料，更換或代替任何高達(dá)1kW 甚至更高的傳統(tǒng)大功率汞弧燈，提供卓越的系統(tǒng)吞吐量。

輻射功率比較

虹科UVLED紫外光源解決方案提供卓越的吞吐量性能，取代了小型功率和中型功率汞弧燈。ALE/1C 目前能夠提供高達(dá) 50 W寬帶曝光。光導(dǎo)耦合系統(tǒng) ALE/1 可提供高達(dá) 30 W 的功率。

1標(biāo)準(zhǔn)模式;帶冷卻器的性能模式可提供額外的20%輸出

超精確曝光

虹科UVLED曝光解決方案的功率切換時(shí)間（0至100%）小于1毫秒，內(nèi)部閉環(huán)反饋控制系統(tǒng)可在短周期和較長(zhǎng)的曝光周期內(nèi)保持輻射輸出恒定。結(jié)合這些功能，通過計(jì)時(shí)器即可在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)±2.50% 誤差的輸出精度。精度甚至隨著曝光周期的延長(zhǎng)而提高。

曝光光源系統(tǒng)集成

可以通過多種方式將晶圓步進(jìn)器的光源系統(tǒng)從汞弧燈升級(jí)到虹科UV-LED曝光解決方案，所有解決方案均可定制，以完美貼合原有的寬帶步進(jìn)器，還可以選擇改造更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱。

一

原有曝光系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有挑戰(zhàn)性，內(nèi)部空間較為有限

選擇虹科ALE/1光纖耦合光源，該光源配備靈活的高透射率 LED 光導(dǎo)，可耦合到步進(jìn)器的集成光學(xué)元件中。

二

中等功率輸出曝光

選擇虹科ALE/1C曝光系統(tǒng)，采用分布式設(shè)計(jì)，控制子系統(tǒng) （CSS） 和小尺寸暴露子系統(tǒng) （ESS） 是獨(dú)立的組件，可以將ESS 直接集成到步進(jìn)器中。