度亙要聞

5月13日，由中國(guó)激光學(xué)會(huì)主辦的第十五屆全國(guó)激光加工學(xué)術(shù)會(huì)議在武漢隆重開幕。本次大會(huì)由中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)激光加工專業(yè)委員會(huì)聯(lián)合華中科技大學(xué)等單位主辦，以“聚焦激光制造，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展”為主題，來(lái)自國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界的知名學(xué)者專家、企業(yè)家700余位專業(yè)參會(huì)代表匯聚一堂，共同探討和分享激光加工學(xué)術(shù)前沿、產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)和前景。

度亙核芯作為大會(huì)合作方參與會(huì)議，我司副董事長(zhǎng)兼CTO楊國(guó)文博士作為特邀嘉賓出席，以《高功率高效率高可靠性半導(dǎo)體激光芯片與器件》為主題做大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告，獲得了與會(huì)專家、企業(yè)的廣泛關(guān)注和好評(píng)。

在報(bào)告中，楊國(guó)文博士指出，高功率、高效率和高可靠性半導(dǎo)體激光芯片是賦能激光加工的核心關(guān)鍵部件，限制高功率的主要瓶頸包括：1）熱翻轉(zhuǎn)Thermal Rollover；2）光學(xué)災(zāi)變損傷Catastrophic Optical Damage;3)非線性拐點(diǎn)Kink；4）高功率工作條件下的穩(wěn)定可靠工作。度亙通過(guò)突破芯片研制過(guò)程中芯片設(shè)計(jì)、高質(zhì)量外延材料生長(zhǎng)、精細(xì)化工藝制備、封裝與可靠性系列關(guān)鍵技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了高功率高效率單模和多模大功率半導(dǎo)體激光芯片、器件與功能模塊的產(chǎn)品化。

報(bào)告中講解了高功率半導(dǎo)體激光芯片面臨的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題、解決方案和取得的最新進(jìn)展。對(duì)超快激光與感知、通訊應(yīng)用的高功率單模980、1064nm激光芯片與模塊，光纖激光器應(yīng)用的高功率915、976nm多模激光芯片與模塊等新產(chǎn)品的技術(shù)攻關(guān)和應(yīng)用情況作了闡述。

980nm和1064nm單基橫模芯片實(shí)現(xiàn)了Kink-free單模輸出功率高達(dá)800-1700mW，在此基礎(chǔ)上研制出14pin蝶形封裝模塊，單模光纖輸出功率達(dá)到600-1200mW。這項(xiàng)技術(shù)攻關(guān)成功，實(shí)現(xiàn)了芯片高功率、高效率和高可靠的單模穩(wěn)定輸出，模塊通過(guò)了嚴(yán)格的Telcordia可靠性驗(yàn)證。度亙核芯的915nm、940nm和976nm高功率器件根據(jù)不同發(fā)光寬度形成了12W-50W的系列產(chǎn)品，電光轉(zhuǎn)換效率高達(dá)60%-70%。尤其單管芯片再次刷新最高輸出功率，達(dá)到70W！

9xxnm 單管器件L-I-E曲線

通過(guò)本次大會(huì)，度亙核芯獲得了激光加工學(xué)術(shù)前沿、產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)的最新動(dòng)態(tài)和趨勢(shì)資訊，同時(shí)也與同行業(yè)的優(yōu)秀專家、企業(yè)進(jìn)行了深入的交流和合作。度亙核芯將深入開展技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，不斷提高激光芯片及器件的技術(shù)水平和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，為中國(guó)激光行業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)，爭(zhēng)取在國(guó)產(chǎn)化市場(chǎng)占有率方面邁進(jìn)一個(gè)更高的臺(tái)階。