如果要說當前半導體行業(yè)最熱的話題是什么，無疑是第三代半導體，而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當紅“炸子雞”。

英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達 30 年的時間里，英飛凌不斷地進行技術(shù)打磨和沉淀，幫助新材料在新應用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC 碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設(shè)施以及各類電源應用以外，還會在哪些領(lǐng)域大有可為？

2023年5-8月， 2023年度凌云院 IPAC英飛凌

碳化硅直播季 ，重磅來襲！

英飛凌碳化硅技術(shù)大解析，讓我們一起看下

英飛凌的CoolSiC MOSFET “Cool” 在哪里？

第一場直播預告

本期話題：

敢攬瓷器活， 必有金剛鉆

——英飛凌CoolSiC MOSFET的

器件結(jié)構(gòu)和封裝創(chuàng)新

直播時間：

5月23日下午14：00

本期關(guān)鍵詞：碳化硅，增強型溝槽柵，

冷切割，可靠性，.XT高性能互聯(lián)封裝技術(shù)

碳化硅直播季主持人

孫輝波

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

直播嘉賓

郝欣

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

趙佳

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題。

英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiC MOSFET 的性能? 增強型溝槽柵又“強“在哪里？

英飛凌的創(chuàng)新碳化硅冷切割技術(shù)，如何更好地成就SiC生產(chǎn)效率的提升和成本的降低？.

英飛凌使用增強型溝槽柵SiC MOSFET 芯片，配合.XT高性能互聯(lián)封裝技術(shù)，又會對散熱、功率密度和可靠性帶來何種優(yōu)化？

讓我們一起來深入探究CoolSiC MOSFET的器件結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)吧！

第二場直播預告

本期話題：好馬要有好鞍配，

——詳解SiC驅(qū)動和并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

直播時間：6月20日下午14:00

本期關(guān)鍵詞：碳化硅，短路保護，驅(qū)動， 并聯(lián)

直播嘉賓

鄭姿清

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

趙佳

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

在從Si到SiC的應用轉(zhuǎn)化中，因為SiC的高速開關(guān)特性、特殊的器件結(jié)構(gòu)、較低的短路耐量，使得SiC系統(tǒng)的驅(qū)動及保護設(shè)計都面臨很大挑戰(zhàn)。如何更好地設(shè)計SiC MOSFET驅(qū)動及保護電路， 在高性能功率轉(zhuǎn)換應用場合實現(xiàn)效率、功率密度和穩(wěn)健性的最佳組合？

好馬要有好鞍配，讓我們一起詳解SiC短路保護和并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)！

第三場直播預告

本期話題：好鋼用在刀刃上

——探討SiC熱門應用和器件選型要點

直播時間：8月9日下午14:00

關(guān)鍵詞：碳化硅，光儲充，固態(tài)變壓器，

固態(tài)斷路器，SiC 器件選型

直播嘉賓

沈嵩

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

周明

英飛凌科技大中華區(qū)

零碳工業(yè)功率事業(yè)部

應用工程師

由于 SiC材料在禁帶寬度、絕緣擊穿場強、熱導率以及功率密度等參數(shù)方面要遠遠優(yōu)于傳統(tǒng)硅基半導體，所以其在新能源汽車、充電樁、高速電機、可再生能源等領(lǐng)域的應用在逐步的擴大化。未來還會在哪些領(lǐng)域大有可為？

好鋼用在刀刃上，讓我們共同探討SiC熱門應用和器件選型要點。

一次可同時勾選報名三場直播，英飛凌大咖們剝繭抽絲、層層遞進，讓你秒懂碳化硅應用~

別忘了哦，參加我們的直播活動，還有精彩的抽獎環(huán)節(jié)等著你！