chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)?

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2025-06-24 17:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量,“打鐵需趁熱”,第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場,第二期就必須得火力全開,好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。


7月2日 14:00碳化硅直播季第二期,邀您一同解鎖未來能源科技的神秘密碼!

光儲應(yīng)用熱門賽道,眾多企業(yè)競相角逐。 如何憑借碳化硅技術(shù)突出重圍,效率比拼的天花板到底有多高?

EV充電樁真的是國產(chǎn)的天下嗎?CoolSiC MOSFET G2技術(shù)又將以怎樣的獨特性能優(yōu)勢,逆風(fēng)翻盤塑造新的格局?

工業(yè)驅(qū)動作為傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,在碳化硅技術(shù)的賦能下,能否煥發(fā)出全新的發(fā)展動力?哪些應(yīng)用場景將率先借助碳化硅技術(shù)實現(xiàn)突破?

一切答案,盡在本次直播!

直播時間:

7月2日 14:00


直播主題:

如何應(yīng)用CoolSiC MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)?



直播嘉賓


360da888-50da-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


周明


IPAC直播???/p>

光儲和充電樁應(yīng)用的老法師

江湖人尊稱“明哥”


361d1a7a-50da-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


花文敏


IPAC直播的新生代力量

碳化硅單管到模塊的行家解說

用大白話講透最核心的技術(shù)問題


362e0dd0-50da-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


候增全


IPAC直播新生代力量

擅長用數(shù)據(jù)講清產(chǎn)品性能

光伏、儲能、工業(yè)、電源的多面手


直播日程

第一期(5月20日 14:00 已完結(jié))

溝槽柵VS平面柵,誰才是功率器件可靠性戰(zhàn)場上的終極王者?

第二期(6月26日 14:00)

光伏、儲能、數(shù)據(jù)中心“黃金賽道”激戰(zhàn)正酣,如何運用CoolSiC技術(shù)精準(zhǔn)卡位,領(lǐng)跑行業(yè)新未來?

第三期(7月22日 14:00)

CoolSiC MOSFET驅(qū)動設(shè)計難題如何破局?1200V CoolSiC G2實戰(zhàn)案例又藏著哪些制勝秘訣?


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9113

    瀏覽量

    225966
  • 能效
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    82

    瀏覽量

    10673
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3210

    瀏覽量

    51367
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析

      相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升
    發(fā)表于 10-11 15:32 ?33次下載

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢及在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。 傾佳電子楊茜致力于推
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?550次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能革命與產(chǎn)業(yè)升級

    傳統(tǒng)IGBT,成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能的躍升,更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-09 07:07 ?514次閱讀
    熱泵與空調(diào)全面跨入SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導(dǎo)體時代:能<b class='flag-5'>效</b>革命與產(chǎn)業(yè)升級

    IPAC碳化硅直播倒計時溝槽柵VS平面柵,孰是王者?

    直播時間:5月20日14:00直播主題:溝槽柵VS平面柵,孰是王者?立即掃碼報名吧!直播間不定時會有禮品掉落,速速掃碼預(yù)約!520碳化硅首場直播
    的頭像 發(fā)表于 05-15 17:05 ?407次閱讀
    <b class='flag-5'>IPAC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>直播</b><b class='flag-5'>季</b>倒計時<b class='flag-5'>丨</b>溝槽柵VS平面柵,孰是王者?

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?601次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?406次閱讀
    基于國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)<b class='flag-5'>系統(tǒng)</b>解決方案

    麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1090次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?751次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級至650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動力分析

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?1099次閱讀

    650V碳化硅MOSFET在AI服務(wù)器電源中的高能解決方案

    650V碳化硅MOSFET(如BASiC基本股份)在AI服務(wù)器電源中的高能解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高功率密度、低熱耗散和高可靠性四大
    的頭像 發(fā)表于 02-08 07:56 ?848次閱讀
    650V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在AI服務(wù)器電源中的<b class='flag-5'>高能</b><b class='flag-5'>效</b>解決方案

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

    各位小伙伴,不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位?為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位?》后反響熱烈,很多朋友留言詢問課件資料。今天,我們將這期視頻的圖文講義奉上,方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:39 ?2580次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>特別需要米勒鉗位