通常在汽車行駛記錄儀中，數(shù)據(jù)一般包括兩個(gè)部分, 一部分為汽車實(shí)時(shí)數(shù)據(jù) (存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù)) , 另一部分為汽車歷史數(shù)據(jù) (存放汽車過去一段時(shí)間內(nèi)的行駛狀況) 。汽車實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責(zé)任。

行車記錄儀里一般記錄的是兩個(gè)輸入量 (如速度, 剎車) 的狀況，其他也有要求存儲(chǔ)7個(gè)開關(guān)量的數(shù)據(jù) (轉(zhuǎn)向燈, 車門等) , 也還會(huì)記錄發(fā)動(dòng)機(jī)的溫度和其他的一些輸入量的狀況。由于行駛記錄儀的數(shù)據(jù)是如此重要, 所以對(duì)存儲(chǔ)器的要求很高。

存儲(chǔ)歷史數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器大家都比較容易選擇，目前大容量的Flash和U盤；但汽車的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器比較難選擇，要求掉電后數(shù)據(jù)能保存，因?yàn)榘l(fā)生事故時(shí), 汽車系統(tǒng)可能會(huì)沒有電源；為了保證實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性, 要求輸入量的檢測(cè)周期越短越好。

NVRAM+電池管理：

若將傳統(tǒng)存儲(chǔ)器EEPROM和FLASH用于行車記錄儀，當(dāng)發(fā)生事故系統(tǒng)檢測(cè)到掉電時(shí)，會(huì)沒有足夠的時(shí)間和電量存入數(shù)據(jù)，而且汽車系統(tǒng)的環(huán)境比較復(fù)雜，所以SRAM+電池的存儲(chǔ)方式很不可靠，目前很少有工程師采用這種方案設(shè)計(jì)。

鐵電存儲(chǔ)器（ FRAM）存儲(chǔ)方式：

國產(chǎn)舜銘存儲(chǔ)FRAMPB85RS2MC核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得PB85RS2MC同時(shí)擁有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器的特性；具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。

1、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

2、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

3、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

4、PB85RS2MC通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

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