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數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

潘霞 ? 來(lái)源:samsun2016 ? 作者:samsun2016 ? 2023-06-20 17:06 ? 次閱讀
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Netsol的ParallelSTT-MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō),這是最理想的內(nèi)存??商娲鶱ORFlash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量為1Mbit的自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)。數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。是一個(gè)具有并行異步接口的完全隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過(guò)數(shù)據(jù)字節(jié)控制(LB、UB)訪問(wèn)低位和高位字節(jié)。支持異步頁(yè)面模式功能,以提高讀寫性能。x16I/O模式和x8I/O模式的頁(yè)面大小分別為4個(gè)字和8個(gè)字。

在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程??梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件;使用歷史;環(huán)境參數(shù) ;機(jī)器狀態(tài);用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。

審核編輯黃宇

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