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國(guó)微芯執(zhí)行總裁兼CTO白耿:國(guó)產(chǎn)EDA設(shè)計(jì)后端及制造端參與者寥寥無(wú)幾

芯謀研究 ? 來(lái)源:芯謀研究 ? 2023-06-29 17:16 ? 次閱讀
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| 做芯片流片前的“最后一米”

6月17日-18日,芯謀研究承辦以“南沙芯聲 聚勢(shì)未來(lái)”為主題的2023中國(guó)·南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇在廣州南沙盛大召開(kāi)。秉承高端、全產(chǎn)業(yè)鏈、國(guó)際化的特色,本次峰會(huì)吸引了來(lái)自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的500多位嘉賓齊聚一堂,共襄盛會(huì)。

廣東省委常委、副省長(zhǎng)王曦,廣東省政府副秘書(shū)長(zhǎng)許典輝,廣州市委常委、南沙區(qū)委書(shū)記盧一先,廣州市委常委、常務(wù)副市長(zhǎng)陳勇等政府領(lǐng)導(dǎo);中國(guó)科學(xué)院院士許寧生,國(guó)家重大專項(xiàng)02專項(xiàng)總師、中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)葉甜春,清華大學(xué)教授魏少軍,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院院長(zhǎng)張衛(wèi)等學(xué)術(shù)專家;恩智浦半導(dǎo)體大中華區(qū)主席李廷偉,高通公司中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)孟樸,博世(中國(guó))投資有限公司執(zhí)行副總裁徐大全,東電電子中國(guó)區(qū)總裁陳捷,西門子EDA 全球資深副總裁、亞太區(qū)總裁彭啟煌,泛林集團(tuán)副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁汪挺等國(guó)際企業(yè)代表;中芯國(guó)際董事長(zhǎng)高永崗,廣發(fā)證券黨委書(shū)記葛長(zhǎng)偉,華為科學(xué)家咨詢委員會(huì)主任徐文偉,浙江吉利控股集團(tuán)CEO李東輝,華潤(rùn)微電子總裁李虹,芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民,國(guó)家智能傳感器創(chuàng)新中心董事長(zhǎng)楊瀟,廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)陳衛(wèi)等國(guó)內(nèi)企業(yè)代表出席了本次活動(dòng)。

國(guó)微芯執(zhí)行總裁兼CTO白耿在會(huì)上以《助力先進(jìn)工藝芯片設(shè)計(jì)安全》為主題發(fā)表主題演講。

EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)是貫穿芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝整條產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的一系列工業(yè)軟件的總稱,其行業(yè)特點(diǎn)是“小而精”,全球市場(chǎng)規(guī)模約115億美元,倘若不計(jì)入IP銷售,EDA工具或許僅有70、80億美元的市場(chǎng)空間,但這樣小的市場(chǎng)卻托起了千億規(guī)模的集成電路行業(yè),以至于影響上萬(wàn)億規(guī)模的電子系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)。

國(guó)內(nèi)將近85%的市場(chǎng)份額由新思科技(Synopsys)、楷登電子(Cadence)和西門子EDA(Mentor Graphics)三大EDA公司所占據(jù),其中西門子EDA在國(guó)內(nèi)影響尤為深厚,反觀國(guó)產(chǎn)EDA則只占約11%,因此國(guó)產(chǎn)EDA產(chǎn)業(yè)有巨大成長(zhǎng)空間??v覽過(guò)去幾年,國(guó)產(chǎn)EDA呈現(xiàn)良好成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),每年約有10%復(fù)合增長(zhǎng)率,西門子EDA的增速則超過(guò)12%。

國(guó)際巨頭為何擁有如此強(qiáng)大的統(tǒng)治力?首先,歷史上EDA三巨頭擁有超過(guò)240次并購(gòu),使得三大公司都具有提供全流程的EDA解決方案的能力,除了EDA工具外,三大公司也提供IP設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)服務(wù)以及一體化解決方案。以新思科技2020年收入來(lái)看,57%集中在EDA銷售,1/3的收入來(lái)自于IP設(shè)計(jì)。

其次,三大公司在EDA上每年的投入都超過(guò)10億美金,加起來(lái)每年超過(guò)30億美金,國(guó)內(nèi)EDA企業(yè)與之相比,投入資金水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于三大公司。

在政府重視和市場(chǎng)資本的追捧之下,國(guó)內(nèi)目前已有大量EDA公司,但總的來(lái)說(shuō),以做點(diǎn)工具開(kāi)發(fā)為主,且多數(shù)為設(shè)計(jì)前端點(diǎn)工具,缺乏與工藝廠關(guān)聯(lián)度更高、復(fù)雜度更高的設(shè)計(jì)后端及制造端的工具。

DFT工具:為車規(guī)芯片保駕護(hù)航

近年來(lái),車規(guī)芯片興起帶動(dòng)行業(yè)對(duì)DFT(可測(cè)試性設(shè)計(jì))的重視,但反過(guò)來(lái),車規(guī)芯片擁有更為嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn),比如,安全性認(rèn)證ISO26262、質(zhì)量管理體系ISO/TS16949、AEC-Q100等,這些都為DFT工具提出了一系列要求。

對(duì)車規(guī)芯片來(lái)說(shuō),必須用DFT工具并加入BIST模塊,例如在邏輯單元加入LBIST模塊、內(nèi)存單元加入MBIST模塊。對(duì)于生產(chǎn)過(guò)程中可能產(chǎn)生的缺陷,要具備篩查,診斷和溯源能力,包括支持Stuck-at或Transition 等缺陷診斷以及插入MBIST/LBIST/BSCAN/IP Test等DFT功能模塊。此外,為在使用環(huán)境中動(dòng)態(tài)檢測(cè)芯片,還需要在DFT設(shè)計(jì)模塊中加入控制模塊。

舉例來(lái)說(shuō),芯片設(shè)計(jì)中,剛開(kāi)始輸入的都是芯片功能模塊,只有當(dāng)加入了DFT相關(guān)模塊設(shè)計(jì),從底層到頂層都加入DFT設(shè)計(jì)模塊和控制模塊,才稱得上完整的芯片設(shè)計(jì)。

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在國(guó)微芯DFT設(shè)計(jì)流程中,針對(duì)用戶提供的RTL,可以自動(dòng)給芯片加入MBIST/BISR/BSCAN功能模塊,產(chǎn)生BSCAN/MBIST所需測(cè)試向量,加入DFT相關(guān)測(cè)試模塊、功能模塊、LBIST并進(jìn)行DC綜合,加入可測(cè)試的點(diǎn),加入掃描鏈,之后對(duì)LBIST進(jìn)行故障仿真,用自動(dòng)測(cè)試向量的工具產(chǎn)生芯片測(cè)試所需向量,最后進(jìn)行向量仿真。

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制造車規(guī)芯片時(shí),需要經(jīng)歷封裝前的探針測(cè)試和封裝后的機(jī)臺(tái)測(cè)試,篩選早期出現(xiàn)問(wèn)題的芯片,再對(duì)合格的芯片進(jìn)行不同溫度的測(cè)試,整個(gè)測(cè)試流程非常嚴(yán)格。

制造車規(guī)芯片后,也需經(jīng)歷一系列測(cè)試,以滿足AEC-Q100的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,包括模擬芯片使用環(huán)境的測(cè)試(壓力、溫度、化學(xué)環(huán)境等)、模擬芯片使用生命周期的測(cè)試(車規(guī)芯片要求周期較長(zhǎng),一般為10年~15年)、芯片可靠性電遷移測(cè)試、HCI和BTI等可靠性測(cè)試。

DFT測(cè)試的目的就是針對(duì)芯片使用過(guò)程中不同頻率、不同電壓,驗(yàn)證出芯片應(yīng)用條件的邊界,利用探明的邊界條件,對(duì)芯片篩查,控制發(fā)貨質(zhì)量。與此同時(shí),DFT積累的測(cè)試數(shù)據(jù)可為將來(lái)流片成品率提升提供建議和參考。

國(guó)微芯在DFT上的優(yōu)勢(shì)是可為用戶提供定制化需求的DFT設(shè)計(jì),從設(shè)計(jì)開(kāi)始到流片后的測(cè)試都能為客戶提供一系列反饋和建議,除此之外還可定制提高測(cè)試覆蓋率和有效降低測(cè)試成本的DFT方案。目前國(guó)微芯的DFT設(shè)計(jì)已與國(guó)內(nèi)很多高端芯片設(shè)計(jì)廠家合作,包括CPU、FPGA、DSP等各種芯片。

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DFR:芯片“不老”的藥

芯片也會(huì)變老,當(dāng)芯片使用過(guò)程中,MOS管的閾值電壓和飽和電流會(huì)出現(xiàn)漂移,導(dǎo)致晶體管變慢,進(jìn)一步引起標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元門變慢,從而導(dǎo)致整個(gè)芯片變慢,久而久之芯片還會(huì)失效。

DFR(可靠性工具)就是為了解決這種問(wèn)題而生,在設(shè)計(jì)時(shí)能夠預(yù)測(cè)芯片使用過(guò)程中可能產(chǎn)生衰退及失效的現(xiàn)象,并對(duì)這種現(xiàn)象預(yù)測(cè)仿真,針對(duì)性地找到老化發(fā)生點(diǎn)進(jìn)行相應(yīng)優(yōu)化。晶體層面來(lái)看,DFR就是晶體管的SPICE仿真器,這種仿真器必須支持老化模型。

僅僅在晶體管級(jí)做完衰退分析還不夠,為了能在芯片級(jí)考慮到衰退效應(yīng),進(jìn)行Aging-Aware時(shí)序分析,必須要在特征化工具上提供解決方案。

EsseSim是國(guó)微芯自主研發(fā)的新一代電路仿真工具,是高性能、大容量并基于并行的SPICE仿真工具,可以為STA、EMIR等工具提供晶體管級(jí)數(shù)據(jù)支撐。此外,國(guó)微芯的特征化工具可以提取包含衰退效應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)邏輯單元門時(shí)序庫(kù),支持Aging-Aware的時(shí)序分析。

傳統(tǒng)方法中,可靠性預(yù)估是基于經(jīng)驗(yàn)對(duì)所有延遲設(shè)置20%的保護(hù)帶(20% clk),使用這種完全憑經(jīng)驗(yàn)值的方法進(jìn)行可靠性Aging-Aware時(shí)序分析,會(huì)出現(xiàn)太樂(lè)觀或太悲觀的結(jié)果,要么沒(méi)法保證在實(shí)際的工作年限正常運(yùn)行,要么可能造成面積和功耗資源浪費(fèi)。

另一個(gè)方法是假設(shè)電路中所有節(jié)點(diǎn)的電壓受應(yīng)幾率(SP)都是固定的值,使用保守的退化老化庫(kù)對(duì)電路進(jìn)行時(shí)序分析,但這也不能保證時(shí)序分析考慮可靠性衰退的精準(zhǔn)度,相對(duì)電路實(shí)際運(yùn)行情況可能過(guò)于悲觀,會(huì)造成芯片面積和功耗資源浪費(fèi)。

國(guó)微芯實(shí)際采用的方法是基于電路實(shí)際運(yùn)行情況,根據(jù)每個(gè)節(jié)點(diǎn)實(shí)際的受應(yīng)幾率,計(jì)算時(shí)序分析中關(guān)鍵路徑延遲的衰退。從實(shí)際電路運(yùn)行情況來(lái)看,最終考慮到衰退的最長(zhǎng)關(guān)鍵路徑非常接近設(shè)計(jì)實(shí)際時(shí)序約束,證明了我們芯片級(jí)可靠性設(shè)計(jì)方法的實(shí)用性和先進(jìn)性。

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國(guó)微芯:著重于后端和制造端EDA工具的開(kāi)發(fā)

國(guó)微芯是由國(guó)微集團(tuán)的EDA基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)。自2018年起,國(guó)微集團(tuán)便承接科技部重大專項(xiàng)及各級(jí)政府若干重大專項(xiàng)項(xiàng)目,2022年10月國(guó)微芯從國(guó)微集團(tuán)剝離出來(lái)獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。

迄今為止,國(guó)微芯前期資金投入已達(dá)近20億元人民幣,研發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超過(guò)300人,其中30人是由國(guó)外引進(jìn)的高端EDA領(lǐng)軍人才,研發(fā)團(tuán)隊(duì)碩博人員比例超75%,申請(qǐng)專利和軟著共計(jì)超過(guò)150項(xiàng)。此外,公司已與西電、華科、南科大、東南大學(xué)、廣工大建立5所校級(jí)EDA研究院,聯(lián)合培養(yǎng)國(guó)家內(nèi)部高校EDA后備人才。

根據(jù)國(guó)微芯執(zhí)行總裁兼首席技術(shù)官白耿博士介紹,國(guó)微芯著重于后端和制造端的EDA工具開(kāi)發(fā),同時(shí)提供后端設(shè)計(jì)服務(wù)、DFT設(shè)計(jì)服務(wù)、IP設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),國(guó)微芯將它們叫做芯片流片前的“最后一米”,同時(shí)布局以開(kāi)發(fā)數(shù)字全流程EDA工具鏈為目標(biāo)。

國(guó)微芯有兩大事業(yè)板塊:“國(guó)微福芯”負(fù)責(zé)國(guó)產(chǎn)EDA工具開(kāi)發(fā)工作,開(kāi)發(fā)工具大類包括物理驗(yàn)證、形式驗(yàn)證、OPC(光學(xué)臨近校正)、DFT(可測(cè)試性設(shè)計(jì))、DFR(可靠性工具),“國(guó)微芯芯”注重后端設(shè)計(jì)、DFT設(shè)計(jì)服務(wù)以及IP設(shè)計(jì)。

國(guó)微芯EDA工具軟件構(gòu)架設(shè)計(jì)直接針對(duì)先進(jìn)工藝、高端芯片設(shè)計(jì)面臨的痛點(diǎn),采用最先進(jìn)的設(shè)計(jì)思路,主要包括三個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)。

首先,是共性技術(shù)開(kāi)發(fā)。物理驗(yàn)證工具和OPC工具都擁有共享統(tǒng)一的數(shù)據(jù)底座,在讀取版圖、解析版圖數(shù)據(jù)時(shí)有高速運(yùn)行讀取的能力,同時(shí)可以形成自己smDB版圖格式的文件,之后通過(guò)讀取自己版圖格式,比讀取GDS/OASIS的速度可以提高上百倍,可以大大提升流片前物理證驗(yàn)及OPC效率。

其次,是在不同EDA工具中復(fù)用源代碼級(jí)別底層功能模塊。我們對(duì)這樣一些功能模塊在源代碼級(jí)別進(jìn)行定義,形成了通用服務(wù)引擎的概念,在開(kāi)發(fā)不同EDA工具時(shí)進(jìn)行源代碼級(jí)別的復(fù)用,使開(kāi)發(fā)EDA工具的速度、效率大大提升,同時(shí)在后期維護(hù)工具的時(shí)候所要投入的研發(fā)量也可以大大減少。

最后,是針對(duì)先進(jìn)工藝、復(fù)雜工藝、先進(jìn)SoC芯片設(shè)計(jì)規(guī)模版圖越來(lái)越大,加快物理驗(yàn)證或加快OPC速度。如何充分利用大量CPU并行運(yùn)算環(huán)境建立工具的軟件架構(gòu),適合大規(guī)模CPU運(yùn)算環(huán)境下并行加速。國(guó)微芯的物理驗(yàn)證和OPC工具可在5000甚至上萬(wàn)核的環(huán)境里進(jìn)行驗(yàn)證工作,且擁有較好的加速性能。

2022年底國(guó)微芯已推出五大系列平臺(tái)14款工具,2023年商用級(jí)工具又增加了DFT的ATPG、MBIST等多款工具,今年產(chǎn)業(yè)化的產(chǎn)品有17款之多。另外還有17款在研的工具,預(yù)計(jì)2024、2025年推出,至2025年國(guó)微芯總體工具量可達(dá)34款左右。

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原文標(biāo)題:國(guó)微芯執(zhí)行總裁兼CTO白耿:國(guó)產(chǎn)EDA設(shè)計(jì)后端及制造端參與者寥寥無(wú)幾

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    近日,國(guó)家數(shù)據(jù)局?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)司副司長(zhǎng)陸冬森、江蘇省數(shù)據(jù)局副局長(zhǎng)王萬(wàn)軍等一行領(lǐng)導(dǎo)蒞臨潤(rùn)科技(江蘇)有限公司調(diào)研指導(dǎo)。潤(rùn)聯(lián)合創(chuàng)始人、高級(jí)副總裁兼
    的頭像 發(fā)表于 04-08 13:56 ?668次閱讀

    Ampere團(tuán)隊(duì)蒞臨中科創(chuàng)達(dá)CES2025展臺(tái)

    近日,Ampere首席軟件官Henry Bzeih率領(lǐng)來(lái)自Ampere和雷諾汽車采購(gòu)及工程部門的核心領(lǐng)導(dǎo)一行五人蒞臨了中科創(chuàng)達(dá)CES2025智能汽車展臺(tái)。中科創(chuàng)達(dá)聯(lián)合創(chuàng)始人執(zhí)行總裁
    的頭像 發(fā)表于 01-15 10:19 ?774次閱讀

    CTO王宇成:以創(chuàng)新設(shè)計(jì)思路打造國(guó)產(chǎn)EDA工具競(jìng)爭(zhēng)力

    的采訪。 ? 國(guó)產(chǎn)EDA 參與DTCO 設(shè)計(jì)流程優(yōu)化 ? “前幾年國(guó)產(chǎn)EDA很熱,許多EDA初創(chuàng)
    的頭像 發(fā)表于 01-02 18:27 ?2960次閱讀
    鴻<b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b>納<b class='flag-5'>CTO</b>王宇成:以創(chuàng)新設(shè)計(jì)思路打造<b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b><b class='flag-5'>EDA</b>工具競(jìng)爭(zhēng)力

    潤(rùn)科技出席2024中國(guó)汽車T10-ICV-CTO閉門會(huì)

    企業(yè)共計(jì)40余位高管出席了活動(dòng)。潤(rùn)科技(江蘇)有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人、CTO張明俊受邀出席,并就“AI+賦能操作系統(tǒng)”議題進(jìn)行了分享交流。
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:30 ?719次閱讀

    華章持續(xù)助力EDA精英挑戰(zhàn)賽

    日前,2024中國(guó)研究生創(chuàng)“”大賽·EDA精英挑戰(zhàn)賽(以下簡(jiǎn)稱EDA競(jìng)賽)決賽在南京江北新區(qū)舉辦。今年EDA競(jìng)賽首次升級(jí)為
    的頭像 發(fā)表于 12-17 15:47 ?1107次閱讀

    廣立助力2024中國(guó)研究生創(chuàng)“”大賽·EDA精英挑戰(zhàn)賽

    近日,“2024中國(guó)研究生創(chuàng)“”大賽·EDA精英挑戰(zhàn)賽” 總決賽在南京完美收官,最終評(píng)審結(jié)果榮耀揭曉。廣立榮幸受邀成為本次大賽的命題合作企業(yè),通過(guò)精心設(shè)計(jì)的命題、專業(yè)的指導(dǎo)以及
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:08 ?1058次閱讀

    摩爾斯微電子任命大石義和為副總裁兼日本區(qū)總經(jīng)理

    和(Yoshikazu Oishi)為副總裁兼日本區(qū)總經(jīng)理,此任命即日生效。大石義和擁有超過(guò)17年的全球半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn),及在銷售和團(tuán)隊(duì)管理方面的強(qiáng)大背景,將帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)推動(dòng)公司業(yè)務(wù)增長(zhǎng),并提升摩爾斯微電子在充滿活力的日本市場(chǎng)的表現(xiàn)。 摩爾斯微電子副總裁兼日本區(qū)總經(jīng)理大
    發(fā)表于 11-29 18:08 ?307次閱讀
     摩爾斯微電子任命大石義和為副<b class='flag-5'>總裁兼</b>日本區(qū)總經(jīng)理

    AI技術(shù)驅(qū)動(dòng)“”發(fā)展

    日前,Cadence 總裁兼首席執(zhí)行官 Anirudh Devgan 博士接受美國(guó)《新聞周刊》(Newsweek)專訪。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 16:52 ?752次閱讀