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紫光國芯亮相瑞芯微第九屆開發(fā)者大會(huì)

西安紫光國芯半導(dǎo)體 ? 來源:西安紫光國芯半導(dǎo)體 ? 2025-07-26 16:47 ? 次閱讀
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此前,2025年7月17日至18日,以“AIoT 模型創(chuàng)新重做產(chǎn)品”為主題的瑞芯微第九屆開發(fā)者大會(huì)(RKDC 2025)在福州海峽國際會(huì)展中心舉行。作為業(yè)界領(lǐng)先的以存儲(chǔ)技術(shù)為核心的高科技企業(yè),紫光國芯受邀參展并攜多款先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)方案亮相。

展會(huì)現(xiàn)場,重點(diǎn)展出了包括高可靠性車規(guī)級(jí)LPDDR4/x、DDR4、DDR3在內(nèi)的多款DRAM芯片、CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控產(chǎn)品方案,以及行業(yè)領(lǐng)先的三維堆疊DRAM(SeDRAM)產(chǎn)品技術(shù)方案。

紫光國芯存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)品覆蓋PSRAM、SDR至DDR4、LPDDR4/x及LPDDR5/x等全代際產(chǎn)品,容量規(guī)格選擇多樣。從最早RK31系列,RK32系列到現(xiàn)在的RK33系列,RK35系列,尤其當(dāng)前針對(duì)RK3588和RK3576等主流明星產(chǎn)品,紫光國芯均有與之匹配的高性能存儲(chǔ)器,提供深度適配的同時(shí)還可長期穩(wěn)定供應(yīng)。

紫光國芯在存儲(chǔ)器領(lǐng)域創(chuàng)下一個(gè)又一個(gè)新高,成功研發(fā)出多款產(chǎn)品并大規(guī)模量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)全球銷售,尤其DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品填補(bǔ)了國內(nèi)高端存儲(chǔ)器領(lǐng)域的多項(xiàng)空白。本次展出的LPDDR4/4x(8GB~1GB),專為智能手機(jī)、平板電腦、工業(yè)、車載、便攜式設(shè)備及高性能物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)計(jì)。具備業(yè)界領(lǐng)先的高速率、超低功耗的特性,顯著提升終端設(shè)備的續(xù)航能力與流暢體驗(yàn),滿足日益增長的高清顯示、多任務(wù)處理等各類高性能需求。

展會(huì)期間,紫光國芯重點(diǎn)展示了其行業(yè)領(lǐng)先的三維堆疊DRAM(SeDRAM)技術(shù)與CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控產(chǎn)品方案。其中,依托深耕10年的技術(shù)積累和持續(xù)創(chuàng)新,紫光國芯的SeDRAM技術(shù)憑借超大帶寬與超低功耗優(yōu)勢,可為算力芯片提供最優(yōu)存儲(chǔ)解決方案,助力用戶產(chǎn)品性能的極致釋放。同時(shí)展出的CXL內(nèi)存擴(kuò)展主控產(chǎn)品方案,能有效擴(kuò)展系統(tǒng)內(nèi)存帶寬與容量,支持高性能服務(wù)器實(shí)現(xiàn)TB級(jí)內(nèi)存突破。

紫光國芯依托多年優(yōu)勢技術(shù)研發(fā)積累,可提供高性能、低功耗、高可靠的存儲(chǔ)解決方案;結(jié)合本地化技術(shù)支持,協(xié)同國產(chǎn)AIoT芯片領(lǐng)軍企業(yè)瑞芯微,實(shí)現(xiàn)了端側(cè)算力平臺(tái)的優(yōu)勢互補(bǔ)。 未來,紫光國芯將持續(xù)深化與產(chǎn)業(yè)伙伴的合作,以創(chuàng)新的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品方案賦能更廣闊的應(yīng)用場景,助力客戶產(chǎn)品競爭力提升。

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原文標(biāo)題:紫光國芯受邀參展2025 RKDC,多款存儲(chǔ)創(chuàng)新成果亮相

文章出處:【微信號(hào):gh_fb990360bfee,微信公眾號(hào):西安紫光國芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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