最近，三星存儲業(yè)務(wù)高管在電子工程師協(xié)會2023年夏季會議上透露，他們預(yù)計到2030年，V-NAND閃存技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)超過1000層的堆疊。目前，三星、美光、SK海力士等存儲巨頭已經(jīng)將3D NAND閃存的層數(shù)提升至200層以上，因此對于閃存層數(shù)的競爭也變得越來越激烈。

三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層；而第十代3D NAND計劃跳過300層區(qū)間，直接推出430層的閃存，預(yù)計在2025-2026年推出。

早在2007年，當(dāng)2D NAND閃存達(dá)到其極限時，東芝率先提出了3D NAND的概念。而2013年，三星首次推出了被稱為“V-NAND”的3D NAND閃存技術(shù)。

最初的三星V-NAND芯片每個單元的容量為128Gb（16GB），通過3D堆疊技術(shù)最多可以堆疊24層芯片，這意味著24層的V-NAND總?cè)萘靠蛇_(dá)384GB。

三星此次提到的未來1000層閃存引發(fā)了存儲巨頭之間在3D NAND時代的技術(shù)競爭。未來，NAND閃存的堆疊層數(shù)將像摩天大樓一樣越來越高。三星高管表示，V-NAND的出現(xiàn)延續(xù)了NAND閃存的發(fā)展歷程，也是韓國在創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)方面獲得成功的一個案例之一。

編輯：黃飛