無(wú)陰極短路點(diǎn)：

(1)正向特性

(2)反向特性

高壓雙向可控硅（SCR）具有阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開(kāi)通門(mén)限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開(kāi)通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。

器件設(shè)計(jì)考慮：一是原始高阻單晶硅材料參數(shù)(高阻單晶硅電阻率、厚度、少子壽命等) 的選擇及P-區(qū)（等效NPN晶體管基區(qū)，薄基區(qū)）、N-區(qū)（等效PNP晶體管基區(qū)，厚基區(qū)）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，同時(shí)滿(mǎn)足產(chǎn)品高阻斷電壓、低飽和壓降及低漏電流特性；二是芯片門(mén)極、陰極區(qū)結(jié)構(gòu)及芯片面積的設(shè)計(jì)，同時(shí)滿(mǎn)足大初始導(dǎo)通面積（高di/dt）、高dv/dt、高電流容量和低導(dǎo)通延遲；三是非對(duì)稱(chēng)N+緩沖層的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，N+緩沖層的制備方法選擇，通過(guò)調(diào)整N+緩沖層的摻雜濃度及雜質(zhì)濃度分布來(lái)獲得較好的非對(duì)稱(chēng)特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高阻斷特性和低通態(tài)壓降。