～通過替換現(xiàn)有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%～

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

近年來，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O用的驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用。在這種市場背景下，ROHM結(jié)合所擅長的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢，開發(fā)出集功率半導(dǎo)體——GaN HEMT和模擬半導(dǎo)體——柵極驅(qū)動(dòng)器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問世使得被稱為“下一代功率半導(dǎo)體”的GaN器件輕輕松松即可實(shí)現(xiàn)安裝。

新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下簡稱“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低損耗和更小體積。

新產(chǎn)品已于2023年6月開始量產(chǎn)（樣品價(jià)格4,000日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品及對應(yīng)的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已開始網(wǎng)售，在Ameya360等電商平臺可購買。

＜產(chǎn)品陣容＞

新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動(dòng)時(shí)間快，因此支持一次側(cè)電源中的各種控制器IC。

＜應(yīng)用示例＞

適用于內(nèi)置一次側(cè)電源（AC-DC或PFC電路）的各種應(yīng)用。

消費(fèi)電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調(diào)

工業(yè)設(shè)備：服務(wù)器、OA設(shè)備

＜電商銷售信息＞

電商平臺：Ameya360

產(chǎn)品和評估板在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

（開始銷售時(shí)間：2023年7月起）

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品型號：

BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB

評估板信息

評估板型號：

BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003

＜什么是EcoGaN＞

EcoGaN是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。

EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。

＜術(shù)語解說＞

*1) 一次側(cè)電源

在工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子等設(shè)備中，會通過變壓器等對電源和輸出單元進(jìn)行隔離，以確保應(yīng)用產(chǎn)品的安全性。在隔離部位的兩側(cè)，電源側(cè)稱為“一次側(cè)（初級）”，輸出側(cè)稱為“二次側(cè)（次級）”，一次側(cè)的電源部位稱為“一次側(cè)電源”。

*2) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應(yīng)用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。

*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是晶體管的一種，根據(jù)器件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現(xiàn)更出色，在處理大功率時(shí)損耗更小。

審核編輯 黃宇