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開關電源效率高,LDO響應快,到底該咋理解?

jf_EPM6D1nS ? 來源:衡麗 ? 2023-08-01 18:02 ? 次閱讀
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電源是整個電路板中最重要的一塊了,電源不穩(wěn)定,其他啥都別談。

在電源設計上我們用得最多的場合是,從一個穩(wěn)定的“高”電壓得到一個穩(wěn)定的“低”電壓。這也就是經(jīng)常說的DC/DC,其中用得最多的電源穩(wěn)壓芯片有兩種,一種叫LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器,我們后面說的線性穩(wěn)壓電源,也是指它),另一種叫PWM(脈寬調制開關電源,我們在本文也稱它開關電源)。我們常常聽到PWM的效率高,但是LDO的響應快,這是為什么呢?別著急,先讓我們看看它們的原理。


下面會涉及一些理論知識,但是依然非常淺顯易懂,如果你不懂,嘿嘿,得檢查一下自己的基礎了。

1、線性穩(wěn)壓電源的工作原理

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2、開關電源的工作原理

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如上圖,為了從高電壓Vs得到Vo,開關電源采用了用一定占空比的方波Vg1,Vg2推動上下MOS管,Vg1和Vg2是反相的,Vg1為高,Vg2為低;上MOS管打開時,下MOS管關閉;下MOS管打開時,上MOS管關閉。由此在L左端形成了一定占空比的方波電壓,電感L和電容C我們可以看作是低通濾波器,因此方波電壓經(jīng)過濾波后就得到了濾波后的穩(wěn)定電壓Vo。Vo經(jīng)過R1、R2分壓后送入第一個放大器(誤差放大器)的負端V+,誤差放大器的輸出Va做為第二個放大器(PWM放大器)的正端,PWM放大器的輸出Vpwm是一個有一定占空比的方波,經(jīng)過門邏輯電路處理得到兩個反相的方波Vg1、Vg2來控制MOSFET的開關。

誤差放大器的正端Vref是一恒定的電壓,而PWM放大器的負端Vt是一個三角波信號,一旦Va比三角波大時,Vpwm為高;Va比三角波小時,Vpwm為低,因此Va與三角波的關系,決定了方波信號Vpwm的占空比;Va高,占空比就低,Va低,占空比就高。經(jīng)過處理,Vg1與Vpwm同相,Vg2與Vpwm反相;最終L左端的方波電壓Vp與Vg1相同。如下圖

25ebd5da-3050-11ee-9e74-dac502259ad0.jpg

當Vo上升時,V+將上升,Va下降,Vpwm占空比下降,經(jīng)過們邏輯之后,Vg1的占空比下降,Vg2的占空比上升,Vp占空比下降,這又導致Vo降低,于是Vo的上升將被抑制。反之亦然。

3、對比線性穩(wěn)壓電源和開關電源

懂得了線性穩(wěn)壓電源和開關電源的工作原理之后,我們就可以明白為什么線性穩(wěn)壓電源有較小的噪聲,較快的瞬態(tài)響應,但是效率差;而開關電源噪聲較大,瞬態(tài)響應較慢,但效率高了。

線性穩(wěn)壓電源內部結構簡單,反饋環(huán)路短,因此噪聲小,而且瞬態(tài)響應快(當輸出電壓變化時,補償快)。但是因為輸入和輸出的壓差全部落在了MOSFET上,所以它的效率低。因此,線性穩(wěn)壓一般用在小電流,對電壓精度要求高的應用上。

而開關電源,內部結構復雜,影響輸出電壓噪聲性能的因數(shù)很多,且其反饋環(huán)路長,因此其噪聲性能低于線性穩(wěn)壓電源,且瞬態(tài)響應慢。但是根據(jù)開關電源的結構,MOSFET處于完全開和完全關兩種狀態(tài),除了驅動MOSFET,和MOSFET自己內阻消耗的能量之外,其他能量被全部用在了輸出(理論上L、C是不耗能量的,盡管實際并非如此,但這些消耗的能量很?。?。

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原文標題:開關電源效率高,LDO響應快,到底該咋理解?

文章出處:【微信號:衡麗,微信公眾號:衡麗】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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