實時數(shù)據(jù)處理的需求在飛速增長，在各行各業(yè)均已得到證實。而我們同時也看到，各行業(yè)、企事業(yè)單位對于實時數(shù)據(jù)處理的需求，與其目前的項目開發(fā)方式和配套工具不適配的問題也在逐漸凸顯。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。

在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計算的擴展，客戶提出了許多要求，他們希望增加讀/寫周期、縮短數(shù)據(jù)寫入時間并提高存儲密度。這款新產(chǎn)品是為了滿足對現(xiàn)有 EEPROM 不滿意的客戶的要求而提供的解決方案。

MB85RS4MT 非常適合需要實時或頻繁數(shù)據(jù)記錄的各種應(yīng)用，例如行車/導(dǎo)航記錄儀、工業(yè)機器人、計算機數(shù)控 (CNC) 機床、測量設(shè)備、智能電表和消費設(shè)備。

MB85RS4MT封裝

4Mbit FeRAM 產(chǎn)品 MB85RS4MT是富士通半導(dǎo)體的串行外設(shè)接口 (SPI) 產(chǎn)品 FeRAM 系列中密度最高的。富士通半導(dǎo)體近20年來量產(chǎn)的FeRAM非易失性存儲器產(chǎn)品具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗等特點。

該 FeRAM 產(chǎn)品可保證 10 萬億次讀/寫周期，約為競爭性非易失性存儲器 EEPROM 的 1000 萬倍。

因此，即使MB85RS4MT用于邊緣計算中傳感器信息的頻繁數(shù)據(jù)記錄的存儲器，保證的讀/寫周期限制也不會成為客戶產(chǎn)品設(shè)計的瓶頸。（圖1）

圖1：讀/寫周期比較

FeRAM 產(chǎn)品還具有高速寫入操作的特點，通過覆蓋序列寫入數(shù)據(jù)，無需擦除操作。而傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如 EEPROM 和閃存）除了正常的寫入操作之外還需要額外的時間進行擦除操作。

這種快速寫入操作有助于保護數(shù)據(jù)免受突然電壓下降（例如寫入期間斷電）的影響。（圖2）

圖2：寫入時間比較（電壓下降時）

由于 MB85RS4MT 在 1.8V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內(nèi)工作，因此它可與其他工作電壓為 1.8V 或 3.6V 的外圍電子元件一起用于客戶端產(chǎn)品。其工作電流非常小，1MHz工作時最大工作電流為250μA，最大待機電流為50μA。這意味著，該 FeRAM 產(chǎn)品由于其低工作電壓和低工作電流而具有低功耗的優(yōu)勢。

FeRAM 產(chǎn)品采用行業(yè)標準的 8 引腳 SOP 封裝，可以輕松替換 8 引腳 SOP 中的現(xiàn)有 EEPROM。這使得客戶能夠改用 FeRAM 產(chǎn)品，而無需對最終產(chǎn)品中的主板進行重大設(shè)計更改。

MB85RS4MT的主要規(guī)格

關(guān)于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

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