Infineon FM24V10 1-Mbit 串行 F-RAM：高性能非易失性存儲器的理想之選

在當今的電子設計領域，可靠且高性能的非易失性存儲器至關重要。Infineon（原 Cypress）的 FM24V10 1-Mbit 串行（I2C）F-RAM 便是這樣一款出色的產(chǎn)品，今天就讓我們深入探究它的特性、功能及應用細節(jié)。

文件下載：FM24V10-GTR.pdf

一、F-RAM 基本信息

Cypress 如今已并入 Infineon Technologies，不過產(chǎn)品文檔仍保留“Cypress”標識，但這并不影響 Infineon 繼續(xù)向新老客戶提供該產(chǎn)品。無論是文檔內(nèi)容、訂貨型號等方面，都保持了連續(xù)性。

二、核心特性剖析

2.1 存儲能力與讀寫性能

FM24V10 擁有 1-Mbit 的鐵電隨機存取存儲器（F-RAM），邏輯上組織為 128K × 8。它具備高達 100 萬億（(10^{14})）次的讀寫耐力，數(shù)據(jù)保留時間長達 151 年（在 65°C 環(huán)境下）。而且采用 NoDelay? 寫入技術，寫入操作可在總線速度下完成，無需寫入延遲，大大提高了數(shù)據(jù)處理效率。

2.2 接口與兼容性

采用高速的兩線串行接口（I2C），頻率最高可達 3.4-MHz，還支持 100 kHz 和 400 kHz 傳統(tǒng)時序。能直接替代串行（I2C）EEPROM，硬件兼容性出色，為工程師的設計帶來便利。

2.3 設備標識與序列號

具備制造商 ID、產(chǎn)品 ID 以及唯一的序列號（FM24VN10 型號），方便對設備進行識別和管理。

2.4 功耗與工作條件

低功耗是其一大亮點，在 100 kHz 時，工作電流為 175 μA，待機電流典型值為 90 μA，睡眠模式電流典型值僅 5 μA。工作電壓范圍為 2.0 V 至 3.6 V，可在工業(yè)溫度范圍（-40°C 至 +85°C）內(nèi)穩(wěn)定工作。

2.5 封裝與環(huán)保

采用 8 引腳小外形集成電路（SOIC）封裝，并且符合有害物質(zhì)限制（RoHS）標準，滿足環(huán)保要求。

三、功能詳解

3.1 功能概述與架構

FM24V10 是一款串行 F-RAM 存儲器，與串行（I2C）EEPROM 功能操作相似，但在寫入性能、讀寫耐力和功耗方面表現(xiàn)更優(yōu)。其內(nèi)存陣列通過 17 位地址（包含 1 位頁選擇位和 16 位地址）進行尋址，可唯一指定每個字節(jié)地址。

3.2 I2C 接口協(xié)議

• 總線狀態(tài)：I2C 總線協(xié)議由 SDA 和 SCL 信號的轉(zhuǎn)換狀態(tài)控制，包括 START、STOP、數(shù)據(jù)位和確認四種條件。
• START 與 STOP 條件：START 條件下，總線主設備在 SCL 為高時將 SDA 從高拉低，用于開始新命令；STOP 條件下，主設備在 SCL 為高時將 SDA 從低拉高，結束操作。
• 數(shù)據(jù)與地址傳輸：數(shù)據(jù)傳輸（包括地址）在 SCL 為高時進行，SDA 信號在該時段應保持穩(wěn)定。
• 確認機制：每個事務中第 8 位數(shù)據(jù)傳輸后進行確認，接收器將 SDA 拉低表示確認，否則表示無確認，操作將中止。
• 從設備地址：START 條件后的第一個字節(jié)為從設備地址，包含設備類型、設備選擇地址位、頁選擇位和讀寫位。
• 高速模式：支持 3.4-MHz 高速模式，主設備發(fā)送特定主代碼（00001XXXb）可使設備進入該模式，STOP 條件退出。

3.3 內(nèi)存操作

3.3.1 寫入操作

寫入操作從發(fā)送從設備地址和內(nèi)存地址開始，主設備將從設備地址的最低位（R/W 位）設為 ‘0’ 表示寫入。寫入過程無有效延遲，可立即進行后續(xù)操作，無需像 EEPROM 那樣進行確認輪詢。WP 引腳可對內(nèi)存陣列進行寫保護。

3.3.2 讀取操作

有當前地址讀取和選擇性地址讀取兩種基本類型。當前地址讀取使用內(nèi)部地址鎖存器中的值作為起始地址，可進行順序讀取。選擇性讀取需先通過寫入操作設置內(nèi)部地址，再進行讀取。讀取操作結束時需正確終止，避免產(chǎn)生總線競爭。

3.3.3 睡眠模式

FM24V10 具備低功耗睡眠模式，主設備發(fā)送特定命令序列（包括多個 START、保留從設備 ID 和 STOP 等操作）可使設備進入該模式。進入睡眠模式后，設備消耗極低電流，同時監(jiān)測 I2C 引腳，接收到識別的從設備地址后可迅速喚醒。不過需要注意，該模式存在一個小問題，即進入睡眠模式時可能會產(chǎn)生一個意外的 STOP 條件，可通過主設備忽略該條件或主動拉低 SDA 線來解決。

3.3.4 設備 ID 和唯一序列號

設備包含 3 字節(jié)的只讀設備 ID，可用于識別制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本等信息。FM24VN10 還具備 8 字節(jié)的只讀唯一序列號，可用于唯一標識電路板或系統(tǒng)，其中 8 位 CRC 值可用于驗證通信是否出錯。

四、電氣特性與參數(shù)

4.1 最大額定值

明確了設備的各種最大額定值，如存儲溫度范圍（-65°C 至 +125°C）、電源電壓（-1.0 V 至 +4.5 V）、靜電放電電壓等，超出這些值可能會縮短設備使用壽命。

4.2 工作范圍與直流電氣特性

工作范圍為工業(yè)溫度（-40°C 至 +85°C）和電壓（2.0 V 至 3.6 V）。詳細列出了電源電壓、平均電流、待機電流、睡眠模式電流、輸入輸出泄漏電流等直流電氣特性參數(shù)。

4.3 數(shù)據(jù)保留與耐力

在不同環(huán)境溫度下，數(shù)據(jù)保留時間不同，如 85°C 時至少 10 年，65°C 時可達 151 年。讀寫耐力高達 (10^{14}) 次循環(huán)。

4.4 交流測試與開關特性

規(guī)定了交流測試負載、波形、條件以及開關特性參數(shù)，包括時鐘頻率、啟動和停止條件建立時間、時鐘高低周期等，以確保設備在不同工作頻率下的性能穩(wěn)定。

4.5 電源周期時序

明確了電源上電、下電以及從睡眠模式恢復的時間參數(shù)，保障設備在電源變化時的正常運行。

五、訂貨與封裝信息

5.1 訂貨信息

提供了不同訂貨代碼的詳細信息，包括型號、封裝類型、工作范圍等，方便工程師根據(jù)需求進行選擇。

5.2 封裝圖

展示了 8 引腳 SOIC 封裝的詳細尺寸和規(guī)格，便于進行 PCB 設計和布局。

六、應用與思考

FM24V10 的高性能特性使其適用于多種需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲應用場景，如數(shù)據(jù)記錄、工業(yè)控制等。在數(shù)據(jù)記錄應用中，其高讀寫耐力可確保長時間、大量數(shù)據(jù)的可靠寫入；在工業(yè)控制領域，無寫入延遲的特性可避免因 EEPROM 寫入時間過長導致的數(shù)據(jù)丟失問題。

不過，在實際應用中，工程師需要關注設備的一些細節(jié)，如睡眠模式的意外 STOP 條件問題。如何根據(jù)具體的應用場景和系統(tǒng)要求，合理利用設備的性能特點，同時避免潛在問題，這是我們在設計過程中需要深入思考的問題。希望通過對 FM24V10 的介紹，能為廣大電子工程師在存儲器選型和設計方面提供有價值的參考。