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華為公布“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”專利

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-08-09 10:13 ? 次閱讀
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最近,華為技術有限公司新增了多項專利信息。其中一項專利名稱為“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”,公開號碼為cn116504752a。

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芯片技術領域的應用概要,用于簡化芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備、芯片堆棧結構的制造技術。該芯片的堆疊結構至少包括兩個堆疊的芯片,每一個芯片包括電線層,電線層設有電具組。其中至少有兩個芯片:堆疊的第一個芯片與第二個芯片,第一個芯片與第二個芯片之間通過耦合層電連接。結合層包括第1區(qū),圍繞第1區(qū)的第2區(qū),第1區(qū)和第2區(qū)以外的第3區(qū)。結合層的第一區(qū)域,第一芯片層的投影法和第一芯片層的前工具結構至少部分一致。金屬相層設置在第一,第三區(qū)域。

說明書中提到,它將用于簡化芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備技術和芯片堆棧結構的制造技術。

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