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漢思新材料取得一種系統(tǒng)級(jí)封裝用封裝膠及其制備方法的專利

漢思新材料 ? 2025-08-08 15:10 ? 次閱讀
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漢思新材料(深圳市漢思新材料科技有限公司)于2023年公開(kāi)了一項(xiàng)針對(duì)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的專用封裝膠及其制備方法的專利(申請(qǐng)?zhí)枺?02310155819.4),該技術(shù)旨在解決多芯片異構(gòu)集成中的熱膨脹系數(shù)失配、界面應(yīng)力開(kāi)裂及高溫可靠性等核心問(wèn)題。

以下從技術(shù)背景、配方設(shè)計(jì)、工藝創(chuàng)新、性能優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用等角度綜合分析:

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一、專利背景與技術(shù)挑戰(zhàn)

系統(tǒng)級(jí)封裝需集成不同材質(zhì)芯片(如邏輯芯片、存儲(chǔ)器、射頻模塊等),傳統(tǒng)固態(tài)環(huán)氧塑封料因高溫高壓工藝易損傷焊點(diǎn),而液體封裝膠則存在熱膨脹系數(shù)(CTE)高、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)低、吸水率大等問(wèn)題。例如,現(xiàn)有技術(shù)中環(huán)氧封裝膠的CTE普遍>20 ppm/℃,吸水率>0.7%,導(dǎo)致濕熱環(huán)境下分層失效風(fēng)險(xiǎn)高。漢思此專利通過(guò)材料組分創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了低CTE(15 ppm/℃)、高Tg(180℃)和超低吸水率(0.32%)的協(xié)同突破。

二、核心配方組成

專利配方采用高比例無(wú)機(jī)填料+樹(shù)脂基體優(yōu)化設(shè)計(jì),具體組分如下:

1.有機(jī)樹(shù)脂(3wt%~10wt%)

可選雙酚A/F型環(huán)氧樹(shù)脂、脂環(huán)族環(huán)氧樹(shù)脂(如3,4-環(huán)氧環(huán)己基甲酸酯)、氰酸酯樹(shù)脂(如雙酚A型氰酸酯)等,通過(guò)多樹(shù)脂復(fù)配提升耐熱性與界面附著力。

2.增韌劑(0.05wt%~5wt%)

有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹(shù)脂或環(huán)氧基低聚倍半硅氧烷,增強(qiáng)抗沖擊性并降低內(nèi)應(yīng)力。

3.固化劑(3wt%~10wt%)

酸酐類(如甲基六氫苯酐、改性偏苯三酸酐),確保低溫固化活性與高交聯(lián)密度。

4.固化促進(jìn)劑(0.05wt%~2wt%)

咪唑衍生物(如2-乙基-4-甲基咪唑)或雙環(huán)脒類(如1,8-二氮雜二環(huán)十一碳-7-烯),精準(zhǔn)調(diào)控固化速度。

5.無(wú)機(jī)填料(75wt%~90wt%)

球形氧化鋁(粒徑0.5–20μm)或二氧化硅(0.1–10μm),高填充量顯著降低CTE并提升導(dǎo)熱性;粒徑梯度設(shè)計(jì)優(yōu)化顆粒堆疊密度。

6.偶聯(lián)劑(0.05wt%~2wt%)

環(huán)氧基硅烷(如3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷),強(qiáng)化填料-樹(shù)脂界面結(jié)合。

三、制備工藝創(chuàng)新

專利采用分步混合+均質(zhì)化研磨工藝,解決高填料比例下的分散難題:

1.樹(shù)脂-填料預(yù)混:將有機(jī)樹(shù)脂與部分無(wú)機(jī)填料(如片狀SiO?)初步混合,研磨至細(xì)度<15μm,形成高分散性基料。

2.梯度添加剩余組分:依次加入固化劑、增韌劑、球形填料及偶聯(lián)劑,低速攪拌避免氣泡生成。

3.三輥研磨脫泡:過(guò)三輥機(jī)研磨3遍,真空脫泡后過(guò)濾出料,確保粘度穩(wěn)定在80 Pa·s以下,適配點(diǎn)膠工藝。

此工藝避免填料沉降,提升批次一致性,且單組份設(shè)計(jì)支持自動(dòng)化產(chǎn)線快速點(diǎn)膠。

四、性能突破與應(yīng)用價(jià)值

1.關(guān)鍵性能參數(shù)

低熱膨脹系數(shù):CTE降至15 ppm/℃(較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低50%),匹配硅芯片與陶瓷基板,抑制熱應(yīng)力翹曲。

高耐熱性:Tg達(dá)180℃,適用于汽車電子(-40℃~150℃工作環(huán)境)。

環(huán)境穩(wěn)定性:吸水率0.32%,鹽霧測(cè)試>2000小時(shí),失效率<0.02ppm。

力學(xué)性能:抗彎強(qiáng)度>120 MPa,沖擊韌性提升3倍。

2.應(yīng)用場(chǎng)景

高密度SiP模塊:5G射頻前端、AI加速卡(如Chiplet異構(gòu)集成)。

車規(guī)級(jí)電子:ECU控制板、傳感器(通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證)。

消費(fèi)電子:屏下指紋模組(如HS700系列底部填充膠)、可穿戴設(shè)備微型封裝。

五、產(chǎn)業(yè)化與市場(chǎng)前景

國(guó)產(chǎn)替代價(jià)值:突破美日企業(yè)(如Henkel、Namics)在高階封裝膠的技術(shù)壟斷,已導(dǎo)入華為、三星供應(yīng)鏈,替代進(jìn)口產(chǎn)品。

環(huán)保兼容性:符合RoHS 2.0及Reach標(biāo)準(zhǔn),VOC趨零排放,環(huán)保性能超行業(yè)均值50%。

產(chǎn)學(xué)研協(xié)同:與復(fù)旦大學(xué)合作開(kāi)發(fā)3DIC封裝適配材料,規(guī)劃科創(chuàng)板上市加速產(chǎn)業(yè)化。

總結(jié):

漢思此項(xiàng)專利通過(guò)高填料改性+分步工藝,攻克了SiP中多材質(zhì)界面失效的行業(yè)痛點(diǎn),其低CTE、高Tg、低吸水的特性為先進(jìn)封裝(如Chiplet、3DIC)提供了底層材料支撐。技術(shù)已應(yīng)用于智能汽車、AI硬件等高端場(chǎng)景,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)封裝膠從“依賴進(jìn)口”向“全球輸出”轉(zhuǎn)型。進(jìn)一步技術(shù)細(xì)節(jié)可查閱專利原文(CN202310155819.4)或漢思膠水官網(wǎng)案例。

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