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新型存儲技術(shù)不斷出現(xiàn) ULTRARAM占據(jù)制高點

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-08-22 16:19 ? 次閱讀
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新型存儲技術(shù)不斷出現(xiàn),這次ULTRARAM占據(jù)了制高點。

正如我們在本周早些時候所解釋的,ULTRARAM 看起來像是存儲技術(shù)的救世主,據(jù)說速度至少與 RAM 一樣快,但功耗要求更低,它還符合存儲器的非易失性特性,這種東西可以持續(xù)使用1000年。

新興技術(shù)中令人困惑且同樣具有亞當斯風格的技術(shù)細節(jié),例如可能由超智能藍色色調(diào)構(gòu)想出來的三重勢壘共振隧道結(jié)構(gòu),確實使得 ULTRARAM 很難作為一個外行觀察者進行感官“享受”。但更需要關(guān)注的是,現(xiàn)實世界的實用性存在一些非常明顯的問題。

畢竟,英特爾和美光圍繞 3D XPoint 技術(shù)有著非常相似的敘述,該技術(shù)構(gòu)成了 Optane SSD 系列和內(nèi)存持久存儲 DIMM 的基礎(chǔ),但進展并不順利。

那么,如果英特爾不能讓傲騰(Optane)發(fā)揮作用,獨立初創(chuàng)公司還指望什么呢?為了找到答案,我們采訪了一個應(yīng)該有好主意的人。他正是英國蘭卡斯特大學(xué)物理學(xué)教授馬努斯·海恩 (Manus Hayne)。他也是 ULTRARAM 的發(fā)明者。

海恩教授的研究興趣集中在低維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的物理學(xué),以及在新型器件的開發(fā)中利用這些特性。這促使他發(fā)明了 ULTRARAM,這是一種基于復(fù)合半導(dǎo)體的系統(tǒng)存儲器,具有 DRAM 和閃存的特性和性能。

首先,關(guān)于英特爾傲騰并行技術(shù),海恩對此有何看法?

“毫無疑問,前方存在著巨大的挑戰(zhàn),”海恩說?!暗绻覀儾徽J為有廣泛采用的前景,我們就不會將其作為商業(yè)前景來追求。”

“英特爾確實在 Optane 方面遇到了問題,但這并不是一個孤立的案例。有幾種新興存儲技術(shù),其中,Optane 是市場份額方面最著名和最重要的例子。這些新型存儲器很難實現(xiàn)如DRAM或閃存那樣低的成本,再加上攀登容量高峰的挑戰(zhàn),意味著它們占據(jù)了不到 1% 的市場份額,通常是在利基但穩(wěn)定的應(yīng)用中?!?/p>

“ULTRARAM 本質(zhì)上是快速且非常高效的,因此在單位級別上與 DRAM 在技術(shù)上具有競爭力,但規(guī)模化挑戰(zhàn)仍然存在。”

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換句話說,海恩既精通更廣泛的存儲市場,又對挑戰(zhàn)持現(xiàn)實態(tài)度,這無疑是一個充滿希望的開始,他還認識到技術(shù)需要多長時間才能完全成熟。

“由于批量生產(chǎn)的技術(shù)和商業(yè)問題以及相關(guān)成本問題,不會出現(xiàn)‘大爆炸’的顛覆性變化。例如,在 1980 年代發(fā)明的閃存花了(仍在花費)很長時間,取代硬盤驅(qū)動器,”他說。

談到閃存這個話題,海恩深知金錢萬能?!伴W存的趨勢是容量越來越大,而耐用性卻越來越低,因為每比特的成本更低,”他說。但仍然存在 ULTRARAM 可以取代 RAM 和閃存的用例,“最有可能在需要很少存儲的應(yīng)用中,例如家用電器和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?!?/p>

ULTRARAM 可以說是 RAM 的更好替代品,它能夠成功有其技術(shù)原因,例如,與硅相比,它使用化合物半導(dǎo)體,這可能是一種制造優(yōu)勢。

“有一個完全不同的半導(dǎo)體世界,其中化合物半導(dǎo)體占主導(dǎo)地位,那就是光子學(xué),”海恩解釋道?!盎衔锇雽?dǎo)體很容易獲得,多層不同的化合物半導(dǎo)體(異質(zhì)結(jié)構(gòu))通常在批量制造過程中以非常高的材料質(zhì)量生長。事實上,由于 ULTRARAM 的大部分復(fù)雜性都是在這個單一的技術(shù)過程中實現(xiàn)的,因此步驟減少了,半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)存儲器所需的時間大大減少,從而降低了成本。”

同樣,在容量和密度方面,據(jù)說 ULTRARAM 至少與傳統(tǒng) RAM 一樣好,即使不是更好。

“我們有一個 ULTRARAM 架構(gòu),至少可以與 DRAM 競爭,并且如果有適當?shù)墓ぞ?,預(yù)計它可以擴展到 10nm以下制程工藝。因此,至少可以與 DRAM 競爭,另一個因素是外圍電路。”

“所有存儲芯片都需要邏輯來尋址陣列、編程/擦除/讀出功能和 I/O 電路。然而,DRAM 需要補償刷新和破壞性讀取,閃存需要電荷泵和磨損均衡來補償較差的耐用性。ULTRARAM 不需要這些,而是為實際內(nèi)存留下更多的提升空間,”Hayne 說。

如果所有這些在該技術(shù)的最終版本中都是正確的,那么在計算平臺中支持 ULTRARAM 可能仍然存在一些主要的技術(shù)障礙。例如,IntelAMD 等公司真的有可能在其 CPU 中添加對 ULTRARAM 的支持嗎?

鑒于 ULTRARAM 項目的早期性質(zhì)(目前只是首次展示),海恩不會透露細節(jié),但他可以證實,與行業(yè)參與者的對話已經(jīng)在進行中。

我們只能說,PC 的核心組件最近一直相對停滯,因此,我們和我們的Hoovooloo霸主絕對歡迎新的和創(chuàng)新的事物,尤其是像 ULTRARAM 這樣有前途的技術(shù)。






審核編輯:劉清

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原文標題:RAM替代品的發(fā)明者:它可以“殺死”內(nèi)存DIMM

文章出處:【微信號:ICViews,微信公眾號:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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