美浦森N溝道超級結(jié)MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600V N溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要。超結(jié)MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。

封裝

特性

美浦森SJ-MOSFET采用了國際先進的多層外延工藝，RSP水平與國際主流品牌相當。

該工藝的超結(jié)MOS產(chǎn)品應用可靠性更高，EAS及EMI通過性更好。

具有內(nèi)阻低，抗沖擊能力強，結(jié)電容低，可靠性高，品質(zhì)穩(wěn)定等特點。入偏置電流：1nA（最大值）

應用范圍

● LED電源	● PD電源
● PC和服務器電源	● 光伏逆變
● UPS	● 充電樁
● 智能家居	● BLDC
● BMS	● 小家電

主要器件

產(chǎn)品型號	封裝外形	導通電阻-RDS （On） [R](Max)
SLH60R043E7D	TO-247	0.043
SLH60R041GTDI	TO-247	0.041
SLH60R040E7	TO-247	0.040
SLH60R030E7D	TO-247	0.030
SLH60R028E7	TO-247	0.028
SLH65R039GTDI	TO-247	0.039

相關應用

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