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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>PSMN2R9-100SSE N溝道MOSFET規(guī)格書

      PSMN2R9-100SSE N溝道MOSFET規(guī)格書

      2025-02-18 | pdf | 332.28KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      N溝道增強(qiáng)模式MOSFET采用LFPAK88封裝，溫度等級(jí)為175°C。 部分 Nexperia用于熱插拔和軟啟動(dòng)的專用MOSFET （ASFET）。這 PSMN2R9-100SSE 提供極低的 RDSon 和增強(qiáng)的安全工作區(qū)性能 高可靠性銅夾片LFPAK88封裝。 PSMN2R9-100SSE 是對(duì)最新的“熱插拔”控制器的補(bǔ)充 - 足夠堅(jiān)固，可以承受 開啟期間具有較大的浪涌電流，低 RDSon，可最大限度地降低 I2R 損耗并提供最佳 完全開啟時(shí)的效率。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) • • • 完全優(yōu)化的安全工作區(qū) （SOA），實(shí)現(xiàn)卓越的線性模式操作 低 RDSon，可實(shí)現(xiàn)低 I2R 傳導(dǎo)損耗 LFPAK88包適用于需要最高性能和可靠性的應(yīng)用 3. 應(yīng)用 負(fù)載開關(guān) • 熱插拔 • • 軟啟動(dòng) • 電子保險(xiǎn)絲 • 基于 48 V 背板/電源軌的電信系統(tǒng) 
      MOSFET N溝道
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