優(yōu)恩半導(dǎo)體-USB3.1- ESD靜電放電及插拔脈沖電壓防護(hù) II
方案簡介：USB 3.1 新標(biāo)準(zhǔn)的面世為這種運(yùn)用廣泛的數(shù)據(jù)接口帶來了重大變化，其中包括更高的數(shù)據(jù)速率。該標(biāo)準(zhǔn)將以前的 USB 3.0 標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)速率提升了一倍（達(dá) 10Gbps），并且使用的是相同的數(shù)據(jù)線，提高數(shù)據(jù)速率同時(shí)也凸顯了系統(tǒng)級 ESD 抗打擊能力的重要性，因?yàn)楦咚傧到y(tǒng)的結(jié)構(gòu)較小，對 ESD 更為敏感。我們的系統(tǒng)一方面需要快速傳輸數(shù)據(jù)，另一方面也容易受到 ESD 脈沖、插拔尖峰脈沖電壓等快速瞬變的影響，普通的防護(hù)器件會對數(shù)據(jù)的傳輸造成影響。此方案信號部分采用集成高分子材料 ESD 靜電防護(hù)器件，具有極其低的電容值 0.05pF，在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4 靜電放電防護(hù)需求，電源 Vbus 部分使用高壓大通流 ESD 器件，滿足目前消費(fèi)類 USB 充電端口的 8/20us 浪涌測試，使后端的電路得到有效的防護(hù)同時(shí)具有很大的成本優(yōu)勢。
產(chǎn)品圖示：
ESD12V88D-HA
PESD2510E05V應(yīng)用示例：符合要求 : ESD IEC 61000-4-2 Level 4
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