摘? 要 :在產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計的過程中發(fā)現(xiàn),即使靜電防護器件的選型足夠嚴謹,器件設(shè)計參數(shù)的裕度足夠充分,有時也不能達到理想的設(shè)計效果,在靜電放電 (ESD) 測試過程中,常會出現(xiàn)功能丟失、死機等軟失效現(xiàn)象。文章闡述了產(chǎn)品設(shè)計中遇到的防護電路理論防護能力與測試效果存在的差異,結(jié)合瞬態(tài)電壓抑制二極管自身的特性以及靜電放電測試的特點,并以三種靜電防護電路設(shè)計中常出現(xiàn)的問題及優(yōu)化思路為例,通過實際測試與仿真,詳細分析了在印制電路板設(shè)計布局布線中的關(guān)鍵點及其對防護效果的影響趨勢。
關(guān)鍵詞 :瞬態(tài)電壓抑制二極管 ;靜電放電防護 ;電磁仿真
引言
瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)廣泛應(yīng)用于各種電源或者信號電路中,用來抑制瞬態(tài)過電壓。當被保護電路出現(xiàn)瞬態(tài)過電壓時,TVS 能迅速齊納擊穿,由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài),對瞬態(tài)過電壓進行分流和箝位,保護電路中各元件不被瞬間的脈沖電壓損壞。TVS 響應(yīng)速度快,反復(fù)通斷下的壽命長、結(jié)電容小,在多媒體設(shè)備的靜電防護、浪涌防護設(shè)計中,占有很高的比重。
在實際設(shè)計中發(fā)現(xiàn),TVS 的選型以及電路原理設(shè)計上沒有問題,但實際測試結(jié)果卻達不到預(yù)期。這可能是在印制板電路的設(shè)計中,對TVS 的布局布線做得不夠完善。以下對常見的三類問題做具體描述和仿真分析。
T 型走線的問題
1.1 問題描述
設(shè)計印制電路板時,由于空間限制或其它原因,信號線不是直接從 TVS 的焊盤上經(jīng)過,而是引出一個分叉,經(jīng)過一段微帶線搭到 TVS的焊盤上,如圖 1(a)所示。靜電泄放有尋找阻抗最小路徑的特性,當微帶線超過一定長度時,隨著長寬比的增加,在高頻狀態(tài)下就會有一定的感抗產(chǎn)生,從而對靜電的泄放產(chǎn)生負面影響。
對產(chǎn)品進行靜電放電(ESD)管腳注入測試,發(fā)現(xiàn)如圖 1(a)所示設(shè)計,雖然 8 kV 可以通過測試,但測試過程中屏幕會閃爍,測試之后恢復(fù)正常 ;而圖 1(b)所示設(shè)計,8 kV 可以通過測試,而且無異常現(xiàn)象。
圖1 TVS 布局設(shè)計
1.2 仿真分析
圖 2(a)的 3D 設(shè)計包含一段帶有防護電路分支的微帶線,以及介質(zhì)層和參考地。仿真時,以信號線到 TVS 信號端焊盤之間的導(dǎo)線長度作為參數(shù)變量 Length 來進行分析 ;圖 2(b)是8 kV 的靜電信號發(fā)生電路 ;圖 2(c)是仿真的完整電路,其中,綠色的子模塊就是 3D 結(jié)構(gòu)模型,而外部端口 1 下方的子電路,就是 8 kV的靜電信號發(fā)生電路。3D 模型的下方是 TVS 的參數(shù)模型,3D 模型的右側(cè)是負載。
分別設(shè)置參數(shù)變量 Length 為 10 mil、50 mil來進行仿真,電壓探針的測試結(jié)果如圖 2(d)所示,負載端的最大干擾電壓分別為 10.7 V 和6.3 V。說明信號線到 TVS 信號端焊盤之間的導(dǎo)線長度越短,負載端接收到的最大干擾電壓越小,發(fā)生系統(tǒng)性失效的概率也就越小。由此可見,信號線直接經(jīng)過 TVS 的信號端焊盤,防護效果是更好的。
圖2 仿真設(shè)計
以下對微帶線的寄生電感及感抗進行一個簡單的估算 :
微帶線的寄生電感包括自感和回路電感,需先計算單位長度電感LSUB,再乘以走線長度Length。
其中,W為微帶線寬度,取值 0.2 mm ;h為介質(zhì)厚度(微帶線到參考地平面的距離),取值0.5 mm。總寄生電感L如式(2)所示,感抗XL如式(3)所示。
以 100 MHz 的 ESD 雜訊為例,當 Length=50 mil( 即 1.27 mm) 時, 感 抗
,相當于在靜電的低阻抗泄放路徑上增加了 0.37 Ω 的串接電阻,會對靜電的有效泄放帶來一定的負面影響。
TVS 地端焊盤到地過孔的距離問題
2.1 問題描述
設(shè)計印制電路板時,TVS 地端的焊盤沒有就近打過孔,而是經(jīng)過一段微帶線打過孔到內(nèi)層地,如圖 3(b)所示。
這與第 1 章的問題比較相似,也是由于TVS 路徑上走線較長,導(dǎo)致高頻特性阻抗偏大,不利于靜電的泄放,從而引起經(jīng)過信號路徑上的靜電能量較大,甚至超過負載端的承受范圍,引起功能異常。
對 產(chǎn) 品 進 行 ESD 管 腳 注 入 測 試, 發(fā) 現(xiàn)圖 3(a)的設(shè)計,6.5 kV 就會出現(xiàn)功能異常,外部端口已經(jīng)不能識別了 ;而圖 3(b)的設(shè)計,8 kV 是可以通過的。
圖3 TVS 布局設(shè)計
2.2 仿真分析
圖 4(a)的 3D 設(shè)計包含一段帶有防護電路分支的微帶線,以及介質(zhì)層和參考地。仿真時,以防護器件 TVS 的地端焊盤到地過孔之間的導(dǎo)線長度作為參數(shù)變量Dis來進行分析 ;靜電發(fā)生電路和仿真電路參考圖 2(b)和圖 2(c)。
圖4 仿真設(shè)計
分別設(shè)置參數(shù)變量Dis為 40 mil、80 mil、120 mil 來進行仿真,電壓探針的測試結(jié)果如圖 4(b)所示,負載端的最大干擾電壓分別為5.6 V、8.5 V 和 10.8 V。說明防護器件 TVS 的地端焊盤到地過孔之間的導(dǎo)線長度越短,負載端接收到的最大干擾電壓越小,發(fā)生系統(tǒng)性失效的概率也就越小。由此可見,TVS 地端焊盤到地過孔之間距離越短,防護效果越好。
計算分析的過程可以參照 1.2 節(jié),不良設(shè)計同樣是由于防護器件的引線過長,導(dǎo)致靜電泄放路徑上的感抗偏大,對靜電的有效泄放造成了負面影響。
TVS 和電容、磁珠協(xié)同工作的問題
3.1 問題描述
音頻模塊采用的數(shù)據(jù)傳輸信號是模擬信號,模擬信號的抗干擾能力弱于數(shù)字信號。所以在模擬信號的抗干擾電路設(shè)計上,除了 TVS 之外,還會加上去耦電容和鐵氧體磁珠作為二級濾波單元和三級濾波單元。
對 產(chǎn) 品 進 行 ESD 管 腳 注 入 測 試, 發(fā) 現(xiàn)圖 5(a)所示設(shè)計,8 kV 時可以通過測試 ;而圖 5(b)所示設(shè)計,7 kV 時就會出現(xiàn)功能異常,設(shè)備聲音丟失,需要重啟才可恢復(fù)。
圖5 防護電路布局設(shè)計
經(jīng)分析,與以下因素有關(guān) :
(1)TVS 和電容響應(yīng)時間差異 :TVS 的響應(yīng)時間可以達到 ps 級,而電容的響應(yīng)時間是 ns級。如果 TVS 和電容緊挨著擺放,經(jīng) TVS 泄放之后的主線路上的靜電干擾信號,未及電容響應(yīng)就已經(jīng)傳遞到后端。
(2)TVS 的地端和電容的地端距離太近,經(jīng) TVS 泄放的靜電干擾信號,部分能量會經(jīng)電容回流到信號線上,影響防護效果。
(3)濾波電路組態(tài)問題,LC 型和 CL 型濾波電路應(yīng)用效果的差異。
本案例選用的是某型號 3 300 pF 容值的多層陶瓷電容器,其頻率特性如圖 6(a)所示 ;
選用的磁珠是 600 Ω 的鐵氧體磁珠,其頻率特性如圖 6(b)所示。
圖6 電容和磁珠的頻率特性
已知,靜電干擾信號的能量主要集中在30~500 MHz,在此頻段內(nèi),所選電容的阻抗在1 Ω 以下,所選磁珠的阻抗在 300 Ω 以上。而本案例的負載在 10 Ω 量級,考慮到源端靜電發(fā)生電路的內(nèi)阻以及測試輔助工具引入的阻抗,源端阻抗是遠大于負載端的,選擇 LC 型的濾波設(shè)計效果更優(yōu)。
3.2 仿真分析
圖 7(a)中,自源端到負載端依次是激勵端口、TVS、磁珠、電容、負載端口;圖 7(b)中,自源端到負載端依次是激勵端口、TVS、電容、磁珠、負載端口。
如圖 8 所示,在 3D 全電波仿真生成的仿真電路模型上,依次加入外部端口、靜電發(fā)生電路、TVS、電容、磁珠的S參數(shù)模型以及負載和探針。電路搭建完成后,添加瞬態(tài)任務(wù),設(shè)定信號波形,然后開啟仿真。
圖8 仿真電路設(shè)計
仿真結(jié)果如圖 9 所示,第一種設(shè)計,仿真得到的負載端干擾電壓最大值約 0.8 V ;第二種設(shè)計,仿真得到的負載端干擾電壓最大值約1.6 V。
圖9 負載端干擾電壓仿真結(jié)果
由此可見,即使 TVS 的選型和布局設(shè)計一致,若后端的濾波電路設(shè)計有差異,也會影響該信號線路的整體防護效果。所以,做防護電路設(shè)計時,要注意 TVS、電容、磁珠等器件的協(xié)同工作,才可以達到更好的防護效果。
結(jié)論
通過理論研究、實際測試以及仿真分析,可以得出以下結(jié)論 :
(1)要盡量減小 TVS 信號端及接地端的引線長度,減小引線的感抗。建議 TVS 信號端引腳到被保護信號線之間的引線長度不超過20 mil,TVS 接地端引腳到地過孔的距離不超過50 mil。
(2) 為 達 到 最 佳 防 護 效 果,TVS 配 合 電容、磁珠等器件進行 ESD 防護時,要注意器件的組態(tài)和擺放位置。TVS 和電容盡量分開接地,TVS 靠近外部接口擺放,距離接口位置不大于200 mil。當負載端(被保護芯片)阻抗較大時,建議電容靠近負載端擺放,當源端(靜電信號注入端)阻抗較大時,建議電容靠近源端擺放。
本文引自 :李維翰,鄭緒強,魏偉,等 . TVS 布局對靜電放電防護效果的影響分析 [J]. 安全與電磁兼容,2025(4): 61-66.
晶揚電子 | 電路與系統(tǒng)保護專家
深圳市晶揚電子有限公司成立于2006年,是國家重點專精特新“小巨人”科技企業(yè)、國家高新技術(shù)企業(yè)、深圳知名品牌、廣東省制造業(yè)單項冠軍產(chǎn)品、深圳市制造業(yè)單項冠軍企業(yè),知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè),建成廣東省ESD靜電保護芯片工程技術(shù)研究中心,榮獲中國發(fā)明創(chuàng)業(yè)獎金獎等。是多年專業(yè)從事IC設(shè)計、生產(chǎn)、銷售及系統(tǒng)集成的集成電路設(shè)計公司,在成都、武漢和加拿大設(shè)立有研發(fā)中心,擁有超百項知識產(chǎn)權(quán)和專利,業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護專家”。為各類電子產(chǎn)品提供全方位、全覆蓋的靜電保護、高邊開關(guān)等保護方案。
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原文標題:科技前沿 | TVS布局對靜電放電防護效果的影響分析
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