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射頻(RF)接口的ESD靜電防護(hù)

jf_15747056 ? 來源:jf_15747056 ? 作者:jf_15747056 ? 2025-08-01 18:51 ? 次閱讀
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上一期我們揭開了智能手環(huán)整體ESD防護(hù)的“防御體系”,從傳感器到電路,每一層防護(hù)都在與靜電這個“隱形殺手”博弈。而在這些防護(hù)環(huán)節(jié)中,射頻RF接口堪稱智能手環(huán)的“數(shù)據(jù)咽喉”——它既要穩(wěn)定傳輸藍(lán)牙信號、同步運(yùn)動數(shù)據(jù),又要直面靜電最容易入侵的薄弱點。

今天,我們就聚焦這個關(guān)鍵接口,拆解射頻(RF)接口的靜電防護(hù)方案,看看這道“咽喉防線”是如何煉成的。

射頻(RF)接口靜電防護(hù)

射頻的英文Radio Frequency,簡稱RF。是高頻電磁波的簡稱。射頻接口在智能手環(huán)和手表電路中,主要是指無線藍(lán)牙接口或WiFi接口,射頻無線傳輸信號或?qū)崿F(xiàn)信號連接。

通常射頻RF的無線信號耦合以及射頻接口防護(hù)電路示意如下圖所示:

wKgZO2iMnC-AMFexAAAVv4njiJI973.jpg

* 射頻接口防護(hù)電路示意圖

射頻接口防護(hù)器件選型

晶揚(yáng)電子TT0501SB是一種低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),旨在為高速數(shù)據(jù)接口提供靜電放電(ESD)保護(hù)。TT0501SB的典型電容僅為0.35pF,旨在保護(hù)寄生敏感系統(tǒng)免受過電壓和過電流的影響瞬態(tài)事件。它符合IEC 61000-4-2(ESD),4級(±25kV空氣,±20kV接觸放電)、極快充電設(shè)備模型(CDM)ESD和電纜放電事件(CDE)等。

TT0501SB采用超小型DFN1006-2L封裝。每個TT0501SB設(shè)備可以保護(hù)一條高速數(shù)據(jù)線。它為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了靈活性,可以在空間非常重要的情況下保護(hù)單個數(shù)據(jù)線。低電容、超小尺寸和高ESD魯棒性的組合特性使TT0501SB成為高速數(shù)據(jù)端口和高頻線路(如USB 2.0和天線線路)應(yīng)用的理想選擇,如手機(jī)和高清視覺設(shè)備。

TT0501SB的VRWM為5V,即反向電壓5V加于TT0501SB上時,二極管陣列處于反向關(guān)斷狀態(tài);VBR(最小的雪崩電壓)為6V,即25°C時,所加的反向電壓低于6V時,二極管保護(hù)陣列不導(dǎo)通,當(dāng)所加反向電壓大于6V時,二極管導(dǎo)通并開始保護(hù)電路;VC(鉗位電壓)為13V,即在流過峰值電流時其兩端電壓可以鉗位在13V;Cj為0.35pF,該電容是二極管陣列的寄生電容。

以下為TT501SB的主要性能參數(shù)、內(nèi)部電路圖和引腳配置圖。

wKgZPGiMnC-AHGCKAADWtBTOuTw317.jpg

* TT0501SB的主要性能參數(shù)

wKgZO2iMnDCAbmoHAACJ-DsqZSY512.jpg

* TT0501SB內(nèi)部電路圖

wKgZPGiMnDCAQSPDAAC9dA2hN8Y547.jpg

* TT0501SB引腳配置圖

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