摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān)，舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，NiPtSi，比NiSi要穩(wěn)定。

填充了接觸溝槽的鎢被研磨到金屬柵極的同一平面，如下圖e)所示。

由于接觸溝槽只與凸起的源/漏極接觸，所以接觸溝槽深度很淺，這樣使得過(guò)刻蝕的控制簡(jiǎn)單。

從版圖的角度考慮，代替了圓形和橢圓形接觸孔的溝槽式接觸，簡(jiǎn)化了光刻膠圖形化過(guò)程。

但是一項(xiàng)技術(shù)的改革往往會(huì)帶來(lái)一些新的問(wèn)題，比如說(shuō)，這會(huì)在接觸刻蝕中，過(guò)刻蝕到STI氧化層而導(dǎo)致W尖刺問(wèn)題。

由于鎢栓塞的長(zhǎng)度顯著縮短，所以栓塞的電阻大大降低（因?yàn)殡娮璧闹蹬c長(zhǎng)度為正比關(guān)系）。

在下面的結(jié)構(gòu)圖中顯示了金屬1(M1)的形成工藝過(guò)程。

在這個(gè)過(guò)程當(dāng)中，該工藝使用了覆蓋在TEOS上的硬掩膜TiN保護(hù)了多孔低h介質(zhì)不受光刻膠去除工藝過(guò)程的損傷。

多孔低k電介質(zhì)的化值(2.2?2.5)通常比碳硅酸鹽玻璃的么值(CSG，k為2.7~2.9)低。

多孔低k電介質(zhì)可以通過(guò)PECVD摻碳氧化硅電介質(zhì)形成，通過(guò)將摻雜的濃度進(jìn)行相應(yīng)的精確控制，可以保證其中含有小于2nm的孔和高達(dá)40%的孔隙度。這些是在CVD時(shí)通過(guò)在氣流中加入致孔劑實(shí)現(xiàn)的。

CVD預(yù)沉積，可以是三甲基硅烷或四甲基硅烷，致孔劑可以是冰片烯或a-松油烯。

鉭阻擋層和銅籽晶層通過(guò)具有金屬離化等離子體PVD工藝獲得。

由于銅的沉積量非常大，所以傳統(tǒng)的方法已經(jīng)不再適用了，所以大量的銅沉積利用化學(xué)電鍍(ECP)工藝。

在經(jīng)過(guò)銅退火工藝后，利用金屬CMP去除不需要的銅、鉭阻擋層和TiN硬掩膜CMP研磨停止于TEOS覆蓋層，這樣可以保護(hù)多孔低k電介質(zhì)不受CMP漿料的污染。

下圖顯示了具有溝槽的雙鑲嵌銅/低k互連工藝。

通常金屬硬掩膜TiN、TEOSPECVD氧化物或TEOS覆蓋層保護(hù)多孔低k電介質(zhì)不受CMP漿料的污染。

因?yàn)檫@樣相當(dāng)于在多孔低k電介質(zhì)的外表面加上了幾層的保護(hù)膜，今兒產(chǎn)生了一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的小環(huán)境。

并且在此基礎(chǔ)上，可以利用自對(duì)準(zhǔn)CoWP化學(xué)電鍍的技術(shù)來(lái)防止銅的擴(kuò)散并提高電遷移抵抗能力，通過(guò)這種技術(shù)從而提高了IC芯片的可靠性。

下圖顯示了從M3金屬層(見(jiàn)下圖(a))到M9金屬層(見(jiàn)下圖(c))的銅/低k互連工藝過(guò)程。該過(guò)程基本上是下圖所示的通孔工藝過(guò)程的重復(fù)。

鉛(Pb)廣泛用于形成焊球。眾所周知，鉛是一種污染物，可以影響心臟、骨骼、腸、腎和神經(jīng)系統(tǒng)的正常運(yùn)行，特別是對(duì)于兒童有很大的傷害。

大量使用IC芯片的過(guò)時(shí)電子儀器形成每年萬(wàn)噸級(jí)的電子垃圾，這些具有鉛的電子垃圾填埋給環(huán)境污染帶來(lái)潛在風(fēng)險(xiǎn)，因此，像日本、歐洲和中國(guó)等許多國(guó)家已經(jīng)立法，嚴(yán)格限制或消除鉛在半導(dǎo)體和所有電子行業(yè)中的使用。下圖顯示了一個(gè)無(wú)鉛焊料凸點(diǎn)。

審核編輯：劉清