chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪三種

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-08-27 15:48 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪三種

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有特殊的導(dǎo)電特性。在半導(dǎo)體中,電子在晶體中的運(yùn)動(dòng)方式和原子結(jié)構(gòu)的特性都對其導(dǎo)電特性產(chǎn)生影響。在本文中,我們將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性,包括三種主要的導(dǎo)電特性:本征導(dǎo)電、雜質(zhì)導(dǎo)電和PN結(jié)的導(dǎo)電。

一、本征導(dǎo)電

本征導(dǎo)電是半導(dǎo)體的最主要的導(dǎo)電方式。在純凈的半導(dǎo)體中,部分(尤其是價(jià)帶)能級是充滿的,而部分(尤其是導(dǎo)帶)能級是空的,這導(dǎo)致了電子的擴(kuò)散和運(yùn)動(dòng)。半導(dǎo)體的本征導(dǎo)電是由于晶體中的缺陷引起的,這些缺陷可以是點(diǎn)缺陷(例如空穴和電子)或線缺陷(例如晶界和脫位)。電子在半導(dǎo)體中的移動(dòng)是由于熱波動(dòng)、外界電場和光的影響。

本征導(dǎo)電與半導(dǎo)體的香克斯方程密切相關(guān),這些方程描述了電子與空穴的活性能級和電荷密度的分布。這些方程的基本形式如下:

?n/?t = G - R - F_n

?p/?t = G - R - F_p

其中,n代表電子濃度,p代表空穴濃度,G是由過剩激發(fā)而引起的電子和空穴的產(chǎn)生率,R是由缺陷引起的電子和空穴的再復(fù)合率,F(xiàn)_n和F_p是電場引起的電子和空穴的運(yùn)動(dòng)率。

二、雜質(zhì)導(dǎo)電

半導(dǎo)體中加入雜質(zhì)原子會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性發(fā)生改變。雜質(zhì)原子的摻入會(huì)導(dǎo)致新的能級出現(xiàn),這些能級可以處于價(jià)帶的下面或?qū)У纳厦?。?dāng)雜質(zhì)原子摻入半導(dǎo)體時(shí),它的價(jià)電子會(huì)進(jìn)入半導(dǎo)體的價(jià)帶中,同時(shí)留下缺少一個(gè)電子的“空位”。這個(gè)空位稱為雜質(zhì)原子的“空穴”,它會(huì)像電子一樣在半導(dǎo)體中運(yùn)動(dòng)。

當(dāng)雜質(zhì)原子的能級處于導(dǎo)帶的上面時(shí),它將捐獻(xiàn)一個(gè)自由電子進(jìn)入導(dǎo)帶中,從而產(chǎn)生雜質(zhì)離子的正電荷和自由電子。這種雜質(zhì)原子的加入被稱為n型摻雜。當(dāng)雜質(zhì)原子的能級處于價(jià)帶下面時(shí),它將捐獻(xiàn)一個(gè)空穴進(jìn)入價(jià)帶中,從而產(chǎn)生雜質(zhì)離子的負(fù)電荷和空穴。這種雜質(zhì)原子的加入被稱為p型摻雜。

雜質(zhì)導(dǎo)電是半導(dǎo)體中自由電子和空穴的產(chǎn)生導(dǎo)致的,它們在雜質(zhì)原子的能級中運(yùn)動(dòng)。通過引入特定的雜質(zhì),可以改變材料的電性質(zhì),例如電導(dǎo)率和半導(dǎo)體的工作溫度范圍。

三、PN結(jié)的導(dǎo)電

PN結(jié)是由n型摻雜的半導(dǎo)體和p型摻雜的半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中,n型和p型材料的剩余電子和空穴會(huì)通過復(fù)合而形成一個(gè)空位區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi),電子的濃度和空穴的濃度變得非常低,因此它具有高阻抗。當(dāng)PN結(jié)受到正向偏置時(shí),電子會(huì)從n型側(cè)進(jìn)入p型側(cè),同時(shí)空穴會(huì)從p型側(cè)進(jìn)入n型側(cè),這會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電性的增加。

當(dāng)PN結(jié)受到反向偏置時(shí),電子和空穴會(huì)被吸引回過剩側(cè),并獲得額外的能量,在結(jié)區(qū)域中產(chǎn)生電子和空穴對。這些對被稱為載流子對,它們在結(jié)區(qū)域中移動(dòng),產(chǎn)生微弱的電流。PN結(jié)的導(dǎo)電特性取決于偏置電場的大小和方向。

總結(jié)

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性具有本質(zhì)的物理特性,它們與半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷的摻入密切相關(guān)。在純凈的半導(dǎo)體中,電子和空穴的本征導(dǎo)電主要由電子和空穴的熱運(yùn)動(dòng)引起,在雜質(zhì)導(dǎo)電和PN結(jié)導(dǎo)電等情況下,半導(dǎo)體的電性質(zhì)可被改變,從而提高半導(dǎo)體的工作效率和可靠性。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29935

    瀏覽量

    257616
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MEMS中的三種測溫方式

    在集成MEMS芯片的環(huán)境溫度測量領(lǐng)域,熱阻、熱電堆和PN結(jié)原理是三種主流技術(shù)。熱阻是利用熱敏電阻,如金屬鉑或注入硅的溫度電阻系數(shù)恒定,即電阻隨溫度線性變化的特性測溫,電阻變化直接對應(yīng)絕對溫度,需恒流源供電。
    的頭像 發(fā)表于 07-16 13:58 ?1270次閱讀
    MEMS中的<b class='flag-5'>三種</b>測溫方式

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)
    發(fā)表于 07-11 14:49

    半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)

    半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式很多種,比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對半導(dǎo)體導(dǎo)電性造成不同的影響,但最終在
    的頭像 發(fā)表于 06-23 16:41 ?1705次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中載流子的運(yùn)動(dòng)

    半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1634次閱讀

    半導(dǎo)體分立器件分類哪些?哪些特性?

    半導(dǎo)體分立器件分類及應(yīng)用領(lǐng)域 一、核心分類 ?基礎(chǔ)元件? ?二極管?:包括普通二極管(如硅/鍺二極管)、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)等。 ?極管?:如NPN/PNP型雙極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 15:28 ?1056次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>分立器件分類<b class='flag-5'>有</b>哪些?<b class='flag-5'>有</b>哪些<b class='flag-5'>特性</b>?

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點(diǎn)是一條直線,就可以免去調(diào)焦過程,本文將介紹一能把
    發(fā)表于 05-10 22:32

    模擬電路入門100個(gè)知識點(diǎn)

    可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。 純分享貼,需要可以直接下載附件獲取文檔! (如果內(nèi)容幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評論支持一下哦~)
    發(fā)表于 04-25 15:51

    模電200問(有問有答)

    資料介紹 以下是前面20問,全部內(nèi)容下載附件查看 1、半導(dǎo)體材料制作電子器件與傳統(tǒng)的真空電子器件相比什么特點(diǎn)? 答:頻率特性好、體積小、功耗小,便于電路的集成化產(chǎn)品的袖珍化,此外在堅(jiān)固抗震可靠
    發(fā)表于 04-21 16:22

    整流橋導(dǎo)電特性哪些?

    整流橋作為關(guān)鍵的整流元件,其導(dǎo)電特性與電路整體性能息息相關(guān)。通過精準(zhǔn)選擇合適的二極管類型,巧妙優(yōu)化整流橋的正向?qū)ê头聪蜃钄?b class='flag-5'>特性,能夠顯著提升電路的效率與可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中,深入理解并精心優(yōu)化整流橋的
    的頭像 發(fā)表于 04-14 15:36 ?1216次閱讀
    整流橋<b class='flag-5'>導(dǎo)電</b><b class='flag-5'>特性</b><b class='flag-5'>有</b>哪些?

    redis三種集群方案詳解

    在Redis中提供的集群方案總共有三種(一般一個(gè)redis節(jié)點(diǎn)不超過10G內(nèi)存)。
    的頭像 發(fā)表于 03-31 10:46 ?1258次閱讀
    redis<b class='flag-5'>三種</b>集群方案詳解

    《電子技術(shù)基礎(chǔ)》(模電+數(shù)電)教材配套課件PPT

    ,半導(dǎo)體一般呈晶體結(jié)構(gòu)。 二、半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體導(dǎo)電特性:1.摻雜性:在
    發(fā)表于 03-25 16:21

    GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別

    如果想要說明白GaN、超級SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 18:05 ?2137次閱讀

    鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

    VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
    的頭像 發(fā)表于 02-14 10:52 ?798次閱讀
    鎵仁<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶<b class='flag-5'>導(dǎo)電</b>摻雜

    示波器的三種觸發(fā)模式

    示波器的觸發(fā)方式不僅影響波形捕捉的時(shí)機(jī),還決定了顯示的波形是否穩(wěn)定。 常見的觸發(fā)模式三種: 單次觸發(fā) (Single)、 正常觸發(fā) (Normal)和 自動(dòng)觸發(fā) (Auto)。下面將對這三種觸發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 11:04 ?1.3w次閱讀
    示波器的<b class='flag-5'>三種</b>觸發(fā)模式

    ADS8688,ADS8688A,ADS8688AT三種型號什么區(qū)別?如何選擇?

    問一下官方,ADS8688三種型號,ADS8688,ADS8688A,ADS8688AT,好像還不是同一個(gè)手冊上的型號,請問這三種型號什么區(qū)別?如何選擇?如果芯片
    發(fā)表于 12-12 07:51